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[发明专利]电阻式存储器的读写控制装置-CN201610573184.X有效
发明人： 黄鹏如;张玲月 -专利权人：来扬科技股份有限公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种电阻式存储器的读写控制装置，其在位线驱动电路针对用以输出位线信号的一个PMOS及一个NMOS串接组成的第一晶体管组的栅极连接第一逻辑单元，而该第一逻辑单元的一对输入端分别用以接收行选择信号以及决定是否执行写入数据“0”的控制信号；并且在源极线驱动电路针对用以输出源极线信号的一个PMOS及一个NMOS串接组成的第二晶体管组的栅极连接第二逻辑单元，而该第二逻辑单元的一对输入端分别用以接收行选择信号以及决定是否执行写入数据“1”的控制信号，藉此使记忆单元中的晶体管的源极与该源极线驱动电路输出该源极线信号的一端连接，并使该记忆单元中的可变电阻元件相对于其与该晶体管的漏极连接的另一端则与该位线驱动电路输出该位线信号的一端连接，且该记忆单元的晶体管的栅极用以接收字线驱动电路所输出的列选择信号。
电阻存储器读写控制装置

[发明专利]基于SPI界面的多内存协作结构-CN201710282506.X在审
发明人：洪奇正;阙子敬;黄鹏如 -专利权人：来扬科技股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SPI界面的多内存协作结构，包括第一内存、第二内存、与控制模块，于一实施例中，所述控制模块分别传输至第一、第二内存的第一、第二作动指令的指令编码不同。于另一实施例中，所述第一作动指令具有预选指令编码与备选指令编码，所述第二作动指令具有第二指令编码，其中，所述预选指令编码与备选指令编码不同，且所述预选指令编码与所述备选指令编码的其中至少一个与所述第二指令编码不同。藉此，本发明仅需设置一个内存选择端口即可避免不同内存之间的信号冲突，可降低制造成本。
指令编码内存备选控制模块指令内存选择信号冲突制造成本协作传输

[发明专利]双芯片封装结构-CN201710102251.4在审
发明人：洪奇正;黄鹏如 -专利权人：来扬科技股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种双芯片封装结构，通过设置外露垫以作为接地端，将封装结构中之两个芯片的GND打线垫片电性耦接至所述外露垫，令所述导线架具有两个CS引脚以分别电性耦接所述两个芯片的CS打线垫片，从而可使封装结构在八个引脚的前提下，避免两个芯片之间的设备冲突问题，藉此本发明提供了一种低引脚数量的双芯片封装结构，可有效降低成本。
封装结构双芯片电性耦接芯片外露打线垫片引脚有效降低成本设备冲突导线架接地端

[发明专利]应用于MRAM的尖峰电流旁路保护控制装置-CN201610332706.7在审
发明人：张玲月;黄鹏如;洪奇正 -专利权人：来扬科技股份有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：一种应用于MRAM的尖峰电流旁路保护控制装置，在多个磁性记忆元件所组成的记忆元件阵列中，针对每一列磁性记忆元件并联一旁路单元，以在对前述记忆元件阵列中的磁性记忆元件读写时，在选择开关导通的瞬间，通过该磁性记忆元件所并联的旁路单元，以将流经该磁性记忆元件上的尖峰电流导出。
应用于 mram 尖峰电流旁路保护控制装置