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[发明专利]多层结构的下层及使用其的方法-CN202210590272.6在审
发明人： 黄景弘;赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文涉及多层结构的下层及使用其的方法。所述方法包括：在衬底上提供分层结构，该分层结构包含在衬底上方形成的底层和在底层上方形成的光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层暴露于辐射源；显影光致抗蚀剂层；图案化底层；以及穿过在图案化的底层中的开口而去除部分衬底。在一些实施方案中，在底层和光致抗蚀剂层之间提供中间层。底层的材料包含至少一种交联剂，该交联剂已被官能化以降低其对底层中其他材料的亲和力。
多层结构下层使用方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202110842368.2在审
发明人： 黄景弘;赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括形成保护层在具有多个突起和凹槽的基板上方。保护层包括聚合物成分，其包括具有重复单元的聚合物，重复单元是一或多个:其中a、b、c、d、e、f、g、h和i各自是H、‑OH、‑ROH、‑R(OH)2、‑NH2、‑NHR、‑NR2、‑SH、‑RSH或‑R(SH)2，其中各个重复单元上a、b、c、d、e、f、g、h和i至少一者不是H。R、R1和R2各自是C1～C10烷基、C3～C10环烷基、C1～C10羟烷基、C2～C10烷氧基、C2～C10烷氧基烷基、C2～C10乙酰基、C3～C10乙酰烷基、C1～C10羧基、C2～C10烷基羧基或C4～C10环烷基羧基，n是2至1000。阻剂层形成在保护层上方，且图案化阻剂层。
制造半导体装置方法

[发明专利]旋涂碳合成物与制造半导体元件的方法-CN202110023472.9在审
发明人： 黄景弘;张庆裕;赖韦翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制造半导体元件的方法包括在半导体基板上形成包含旋涂碳合成物的旋涂碳层。首先在第一温度下加热该旋涂碳层，以部分交联该旋涂碳层。在第二温度下对旋涂碳层进行第二加热，以进一步交联该旋涂碳层。在旋涂碳上层上形成一层覆盖层。第二温度高于第一温度。
旋涂碳合成物制造半导体元件方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910575179.6在审
发明人： 黄景弘;王建惟;张尚文;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：方法包括形成底层于半导体基板上，其中底层包括键合至第一交联剂与第二交联剂的聚合物，第一交联剂设置为紫外线活化，而第二交联剂设置为第一温度的热活化。方法接着使底层暴露至紫外线源以活化第一交联剂，进而形成曝光的底层。方法还包括烘烤曝光的底层，其中烘烤步骤活化第二交联剂。
交联剂烘烤半导体基板紫外线活化步骤活化紫外线源曝光聚合物热活化活化键合暴露

[发明专利]甲壳素修饰的纳米金粒子及其制造方法-CN201010280567.0有效
发明人： 黄景弘;赖宗庆;郑良谦;刘如熹;萧宏升;何丽贞;颜尧德 -专利权人：聚和国际股份有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种甲壳素修饰的纳米金粒子及其制作方法。该甲壳素修饰的纳米金粒子包含纳米金粒子；及甲壳素，其与所述纳米金粒子形成化学键结。本发明还涉及一种甲壳素修饰的金包四氧化三铁纳米材料及其制作方法。该甲壳素是通过与该纳米金粒子和该四氧化三铁纳米材料直接形成化学键结，而达到提高纳米材料生物兼容性的目的。
甲壳素修饰纳米粒子及其制造方法

[发明专利]甲壳素修饰的金纳米柱及其制造方法-CN201010280569.X有效
发明人： 黄景弘;赖宗庆;郑良谦;刘如熹;萧宏升;何丽贞;颜尧德 -专利权人：聚和国际股份有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种金纳米柱及其制造方法，该方法包含以下步骤：a、提供一混合液，其包含甲壳素以及多烷基三甲基溴化铵修饰的金纳米柱；b、使所述甲壳素和所述金纳米柱形成化学键结；及c、离心以获得甲壳素修饰的金纳米柱。通过甲壳素取代多烷基三甲基溴化铵以达到提升金纳米柱的生物兼容性的目的。
甲壳素修饰纳米及其制造方法