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[发明专利]一种半导体MOSFET器件及其制备方法-CN202211231392.3在审
发明人：史文华;温家平;黄昊怡 -专利权人：清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体MOSFET器件及其制备方法，器件包括：漂移层，漂移层的顶部区域包括沿第一方向排布的若干间隔的第一漂移区和沿第二方向排布的若干间隔的第二漂移区；阱区，阱区位于第一漂移区和第二漂移区的侧部周围；阱区包括特征交叉阱区；源极注入区，位于第一漂移区沿第二方向两侧以及第二漂移区沿第一方向两侧的阱区中以及特征交叉阱区中，特征交叉阱区中的源极注入区为特征交叉源区；第一沟道区，位于源极注入区和第一漂移区之间且环绕所述第一漂移区的侧壁；第二沟道区，位于源极注入区和第二漂移区之间且环绕所述第二漂移区的侧壁。所述半导体MOSFET器件兼顾降低正向导通电阻和抑制表面电场。
一种半导体 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202211352950.1在审
发明人：史文华;温家平;黄昊怡 -专利权人：清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的外延层，所述外延层包括有源区和包围所述有源区的终端区；位于所述外延层的终端区中的若干个间隔设置的场限环；位于所述终端区中的若干相互间隔的结终端扩展区，所述结终端扩展区的深度小于所述场限环的深度，至少部分结终端扩展区位于所述场限环之间；相邻的结终端扩展区之间的外延层构成电流截止区，所述电流截止区的导电类型与所述场限环和结终端扩展区的导电类型均相反。所述半导体器件的可靠性和稳定性高。
一种半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种旋转三腿塔-CN202022339784.4有效
发明人：宋刚;郭勇;张彤;陈成;卢彬芳;黄昊怡 -专利权人：中国能源建设集团浙江省电力设计院有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： E04H12/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种旋转三腿塔,包括塔身及安装在塔身上的塔头和地线支架，所述塔身的底部设置有塔腿，其特征在于：所述塔身与塔腿之间设置有圆盘型结构，所述塔腿可通过该圆盘型结构相对于塔身旋转从而可以在安装时根据障碍物的位置对塔腿位置进行相对调整；所述塔身主要包括呈矩形布置的主支架及交错设置在主支架之间的若干个连接板，所述塔腿的数量为三根，三根塔腿呈等腰三角形设置在所述圆盘型结构的底部；所述圆盘型结构包括相互连接且可以相对旋转的上法兰盘和下法兰盘，所述下法兰盘的直径大于上法兰盘的直径，上法兰盘和下法兰盘上轴向开设有若干个用于安装螺栓以对两法兰盘进行固定的螺栓孔。
一种旋转三腿塔

[发明专利]一种基于广域信息的电力系统惯性水平评估方法-CN201711364766.8在审
发明人：褚晓东;黄昊怡;张磊 -专利权人：山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于广域信息的电力系统惯性水平评估方法，将电力系统同步发电机组分为多个慢同调机群，对每个慢同调机群，计算其包含的同步发电机组的参与因子和相关因子，选择起主导作用的机组；根据慢同调机群主导机组转子运动方程，确定主导机组电角速度、电角速度变化率、惯性时间常数与有功功率差额之间的关系；根据主导机组有功功率差额与惯性时间常数等参数间的关系，利用各慢同调机群主导机组的广域信息，得到电力系统总有功功率差额的估计值，用来评估电力系统整体惯性水平。本发明保证了系统整体惯性水平评估的准确性。根据慢同调理论对电力系统进行分群，减少了惯性水平评估中所需获取的信息量，显著提高了计算效率。
一种基于广域信息电力系统惯性水平评估方法