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[发明专利]功率模块的开封方法-CN202310353321.9在审
发明人：龚瑜;黄彩清;王粒连 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B24B27/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率模块的开封方法，功率模块包括模封体、芯片与散热基板，芯片位于模封体内，芯片与散热基板沿模封体的正面至背面的第一方向层叠设置，散热基板包括沿第一方向层叠设置的第一导电层、陶瓷层与第二导电层，功率模块的开封方法包括以下步骤：获取第一导电层和/或陶瓷层在第一方向上的位置信息；基于位置信息，从模封体的侧面沿与第一方向垂直的第二方向进行第一切割步骤，以去除第二导电层与至少部分陶瓷层；对切割后的功率模块进行打磨以使芯片露出。本发明能够通过侧向切割的方式去除第二导电层与至少部分陶瓷层，能够显著减少打磨的工作量，提升开封效率，并降低物料成本。
功率模块开封方法

[发明专利]PN结区域检测方法-CN202310247956.0在审
发明人：龚瑜;黄彩清;刘颖 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06V20/69 文献下载
摘要：本发明公开了一种PN结区域检测方法，包括以下步骤：对半导体器件的不同区域依次进行加热，半导体器件包括导电环路与接入导电环路中的P型半导体与N型半导体；每执行一次加热，检测导电环路内的电流；基于导电环路中检测到基于加热产生的电流，对半导体器件的光学图像中与加热区域对应的目标区域进行标识。与原子力显微镜检测的方法相比，本发明无需使用检测探针，不会受探针的使用次数与磨损程度影响，有助于减小误差，实现稳定检测；无需检测半导体器件的形貌特征，因此不需要进行去层处理，能够检查步骤，提高效率；能够进行大范围的缺陷定位，同样能够提升检测效率；能够在光学图像中直接对PN结区域进行显像，便于检测人员查看。
pn 区域检测方法

[发明专利]半导体器件失效检测方法-CN202211261109.1在审
发明人：袁锦科;黄彩清 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件失效检测方法，半导体器件包括覆盖在杂物外侧的干涉部件，包括以下步骤：准备光源，所述光源能够发出穿透所述干涉部件的光线，通过所述光源照射所述干涉部件；如观测到干涉图像，通过所述干涉图像在所述干涉部件上定位出对应于杂物的目标区域；基于所定位的所述目标区域检测杂物。本发明实施例的半导体器件失效检测方法可以对杂物进行定位，使得检测人员只需要在较小的范围进行检测，能够提升检测效率与检测成功率。
半导体器件失效检测方法

[发明专利]芯片打磨方法-CN202210980506.8在审
发明人：刘金龙;黄彩清;杨胜坤 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片打磨方法，步骤为：准备待处理的样本与硬质的承载片，样本包括芯片与框架，芯片连接于框架的正面，承载片具有相对设置的第一表面与第二表面；将框架的背面与承载片的第一表面贴合；至少在芯片的外侧面包覆隔离层，并在隔离层的外侧面包覆增强层，且至少使承载片的第二表面露出；从第二表面开始向芯片打磨，直至芯片剩余设定厚度；去除隔离层，以使样本与增强层分离。样本的背面与承载片的第一表面贴合，二者之间不存在粘接剂，因此样本不会因粘接剂厚度不均而相对承载片歪斜，有助于改善芯片打磨后厚度不均匀的问题。
芯片打磨方法

[发明专利]低密度材料透视成像方法及系统-CN201811123045.2有效
发明人：刘金龙;黄彩清;吴凌 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明公开了低密度材料透视成像方法及系统，用于通过超声波对封装体内的检视器件进行成像，检视器件包括具有第一表面的第一元件、具有第二表面的第二元件，以及连接第一表面和第二表面的导线；第一表面与第二表面位于不同的平面，导线为密度低于5克每立方厘米的导线；方法包括：获取第一表面的第一聚焦参数，以及获取第二表面的第二聚焦参数；根据扫描约束条件对检视器件进行扫描成像，扫描约束条件具体为根据第一聚焦参数和第二聚焦参数生成。既可以在第一表面、第二表面处得到较好的成像效果，还可以在成像结果中较好的体现低密度导线；实现了在非破坏性的条件下对具有低密度导线元器件的扫描成像。
密度材料透视成像方法系统

[发明专利]一种芯片的失效定位方法-CN202010042395.7有效
发明人：龚瑜;黄彩清;吴凌;刘颖 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片的失效定位方法，包括如下步骤：连接步骤：将待测芯片与驱动电路相接，并将OBIRCH机器的电源输出端与待测芯片的输入端或输出端相接；加电步骤：依照模拟芯片或数字电路芯片的加电顺序依次对待测芯片的输入端和/或输出端进行加电，当对各输入端加电完成之后时，获取失效定位图像以判断是否存在缺陷。本发明的芯片的失效定位方法通过对不同的芯片端位进行加电进而待测芯片工作，使得OBIRCH机器实现对芯片的动态检测，并且采用本发明的方法进行实现定位检测成本低廉、且节约时间。
一种芯片失效定位方法

[发明专利]一种半导体器件的焊锡厚度测量方法-CN202011134281.1有效
发明人：刘金龙;黄彩清 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01B17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的焊锡厚度测量方法，包括基准面确定步骤、测量基准确定步骤、第一扫描步骤、第一计算步骤与第二计算步骤，其能够在不损坏半导体器件的情况下对半导体器件的焊锡厚度进行测量。
一种半导体器件焊锡厚度测量方法

[发明专利]晶粒层厚度测量方法及晶粒层异常的判断方法-CN201910026397.4有效
发明人：龚瑜;黄彩清;吴凌 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了晶粒层厚度的测量方法，至少包括以下步骤：步骤S10:将待测晶粒使用FIB处理至目标区域；步骤S20:在所述目标区域滴入由CH3COOH、HNO3、HF或者H2O、HNO3、HF按预设比例混合形成的混合酸溶液，静置预设时间后清洗，并去除所述目标区域的残留液体，得到检测样品；步骤S30：使用SEM在预设电压下对检测样品进行观察和测量。还公开了判断晶粒层异常的判断方法，通过芯片晶粒层厚度测量方法测量晶粒结构中各层厚度，并与标准值进行比较，判断芯片晶粒厚度是否存在异常，以及哪一层存在异常。本发明用于解决现有技术中对芯片晶粒层厚度测量方法的缺陷，操作简单且精确度高。
晶粒厚度测量方法异常判断方法

[发明专利]一种芯片失效定位方法及夹具-CN202011134272.2在审
发明人：龚瑜;黄彩清;游俊 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片失效定位方法及夹具，其包括转移步骤、第一次定位步骤、第一次标记步骤、第二次定位步骤与第二次标记步骤，该芯片失效定位方法能够对表面规则没有特征图形的芯片的失效点进行定位。
一种芯片失效定位方法夹具

[实用新型]一种可选取阅读信息区域的财务报表辅助装置-CN202020374571.2有效
发明人：黄智炜;黄彩清 -专利权人：深圳立知信企业管理集团有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B42D9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及文具用品技术领域，具体为一种可选取阅读信息区域的财务报表辅助装置，包括双面书写贴组，双面书写贴组包括若干并排设置的双面书写贴，双面书写贴组外配套设有重点标记贴，重点标记贴的半透明贴片上通过激光划线机规则划出若干贴点。本实用新型通过设置由双面书写贴组和重点标记贴相配套的辅助装置，通过将双面书写贴粘贴在财务报表外进行标注，可以从财务报表外直接选取需查阅的财务项目区域，同时通过半透明的贴点对财务报表内重要的信息区域进行重点标记，在查阅财务报表时不需逐条翻阅，可以直接读取所需的信息，操作简单、查阅方便、标记清晰明了，便于进行查账对账，且不会对财务报表的准确性、权威性产生影响。
一种选取阅读信息区域财务报表辅助装置

[发明专利]一种半导体器件的导线线弧高度测量方法-CN201911276555.8在审
发明人：刘金龙;黄彩清 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G01B17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的导线线弧高度测量方法，包括如下步骤：采用超声显微镜对放置于待测位的半导体器件进行基准面确定；控制超声显微镜以对半导体器件内导线线弧最高点进行扫描以得到半导体器件的第一回声图像，根据第一回声图像以得到导线线弧最高点到半导体器件上表面的时间Sw；控制超声显微镜以对半导体器件内导线线弧最低点进行扫描以得到半导体器件的第二回声图像，根据第二回声图像以得到导线线弧最低点到半导体器件上表面的时间Sd；根据时间Sw、时间Sd以及距离计算公式以得到导线线弧高度H。本发明的半导体器件的导线线弧高度测量方法通过超声显微镜设置基准面实现对半导体器件倾斜的自动校正，进而提高导线线弧高度的测量精度。
一种半导体器件导线高度测量方法

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