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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410443424.5有效
发明人：李东洙;李明宰;赵成豪;穆罕默德·拉基布·乌丁;大卫·徐;梁炆承;李商文;李成训;许智贤;黄义澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ‑Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201910891256.9在审
发明人：俞尚旼;金柱然;罗炯住;徐凤锡;郑主护;黄义澈;李城门 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910752340.2在审
发明人：俞尚旼;金柄成;金柱然;徐凤锡;罗炯柱;李城门;郑主护;黄义澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：有源鳍，每个所述有源鳍在衬底上沿第一方向延伸，所述有源鳍在不同于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；导电结构，所述导电结构在所述衬底上沿所述第二方向延伸，并且与所述有源鳍接触；第一扩散中断图案，所述第一扩散中断图案在所述衬底与所述导电结构之间，并且将所述有源鳍的第一有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分；以及第二扩散中断图案，所述第二扩散中断图案与所述衬底上的所述导电结构相邻，所述第二扩散中断图案的上表面高于所述导电结构的下表面，并且所述第二扩散中断图案将所述有源鳍的第二有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分。
半导体器件

[发明专利]包括扩散中断区的半导体器件-CN201910525070.1在审
发明人：朴俊模;金柱然;罗炯柱;俞尚旼;黄义澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底、在第一区上沿第一方向延伸的第一有源鳍、在第二区上与第一有源鳍平行延伸的第二有源鳍、以及在两个第一有源鳍之间的单扩散中断区。单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区、以及在下扩散中断区上的上扩散中断区。上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，每个上扩散中断区可以重叠下扩散中断区。
包括扩散中断半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910640800.2在审
发明人：俞尚旼;金柱然;罗炯柱;徐凤锡;郑主护;黄义澈;李城门 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开。所述器件还包括位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的场绝缘膜。所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面共面。所述器件还包括位于隔离沟槽中的元件隔离结构，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中。所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面。
源图案上表面场绝缘膜元件隔离结构半导体器件隔离沟槽纵长延伸

[发明专利]半导体器件-CN201910670044.8在审
发明人： 黄义澈;金柱然;罗炯柱;徐凤锡;俞尚旼;郑主护;李城门 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。
栅结构场绝缘膜源图案器件隔离膜方向延伸上表面侧壁半导体器件倾斜表面下表面衬底锐角

[发明专利]具有电绝缘扩散中断区的鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201910106711.X在审
发明人：罗炯柱;金柱然;徐凤锡;俞尚旼;郑主护;黄义澈;李城门 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
方向延伸横跨器件隔离层栅极结构长边鳍式场效应晶体管扩散中断电绝缘上表面下表面下侧壁衬底