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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]复合基板及其制造方法-CN202210263542.2在审
发明人：曾彦凯;江柏萱;江瑞凤 -专利权人： 鸿创应用科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合基板及其制造方法，本发明所提供的复合基板及其制造方法藉由在载板及基板间设置复数中间层，不但得以确保层体间有良好的键结作用力，更得以调控层体间的热膨胀系数差异，进而避免基板容易断裂等缺陷。
复合及其制造方法

[发明专利]碳化硅复合晶圆及其制造方法-CN202110617448.8在审
发明人：曾彦凯;江柏萱 -专利权人： 鸿创应用科技有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明为一种碳化硅复合晶圆及其制造方法，适用于半导体制程程序、电子产品及半导体设备所需。该碳化硅复合晶圆包含一碳化硅材料及一晶圆基底，该晶圆基底的上表面结合于该碳化硅材料的下表面，其中，该碳化硅材料的下表面及该晶圆基底的上表面两者或任一经表面改质，使该碳化硅材料与该晶圆基底直接紧密接合。本发明的功效在于该复合晶圆不同材料间接合处的接合能力强，后续加工处理较容易，材料间彼此紧密结合的状态下能缩短制程并且提高良率，产业利用性高。
碳化硅复合及其制造方法

[发明专利]氮化铝晶圆片的制造方法及其氮化铝晶圆片-CN202010197138.0在审
发明人：曾彦凯;江柏萱 -专利权人： 鸿创应用科技有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝晶圆片的制造方法及氮化铝晶圆片，其中该制造方法包含于该氮化铝晶圆片材的外圆上形成至少一对位槽口或对位平边，该对位槽口及对位平边可使该氮化铝晶圆片在半导体制程过程中不会产生制程不良的状况，且具备精准对位功能，以提高优良率。本发明的氮化铝晶圆片具有高热传导率、高介电常数、绝缘性及散热佳等优点，适于应用在半导体制程程序、电子产品及半导体设备所需，并作为电子产品。
氮化铝晶圆片制造方法及其

[发明专利]陶瓷电路复合结构及其制造方法-CN201910204101.3在审
发明人：曾彦凯;江柏萱 -专利权人： 鸿创应用科技有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷电路复合结构及其制造方法，其中陶瓷电路复合结构包含：一陶瓷盘，具有一乘载凹槽；一曲面电路，埋设于该陶瓷盘内；及一电力供给构件，与该曲面电路电性连接。本发明的陶瓷电路复合结构利用曲面电路改善了现有技术中平面电路中心点温度或静电较外围区域低的问题。
陶瓷电路复合结构及其制造方法

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