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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质-CN202211133158.7在审
发明人：齐藤择弥;高桥哲;广谷博史;冈崎太洋 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质，在使用多种不同的气体在输送室内形成气流时容易将输送室内控制为所需的气氛。基板处理装置具备：输送室，其包含对从基板收纳容器搬出的基板进行输送的输送空间；第一吹扫气体供给系统；第二吹扫气体供给系统；排气系统，其排出输送室内的环境气体；循环路径，其连接输送空间的一端与另一端；风扇，其设置在循环路径上或其端部，并使输送室内的环境气体循环；以及控制部，其能够控制风扇，使得风扇的旋转速度根据处于从第一吹扫气体供给系统供给第一吹扫气体的第一吹扫模式、和从第二吹扫气体供给系统供给第二吹扫气体的第二吹扫模式中的哪一个的状态而不同。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]导电性颗粒、使用其的导电性材料和连接构造体-CN202180036685.3在审
发明人： 高桥哲;田杉直也;成桥智真 -专利权人：日本化学工业株式会社
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C18/36 文献下载
摘要：本发明提供一种兼具优异的保存稳定性、优异的耐腐蚀性和低的连接电阻的导电性颗粒，在芯材颗粒的表面形成有作为导电层的镍镀层，在导电性颗粒中，利用扫描型俄歇电子分光分析装置测得的从上述导电层的表面至深度方向5nm以内的碳相对于镍与磷的合计的摩尔比(C/(Ni+P))、或碳相对于镍与硼的合计的摩尔比(C/(Ni+B))为0.0002以上1.65以下，氧相对于镍与磷的合计的摩尔比(O/(Ni+P))、或氧相对于镍与硼的合计的摩尔比(O/(Ni+B))为0.0001以上1.8以下，并且磷相对于镍的摩尔比(P/Ni)、或硼相对于镍的摩尔比(B/Ni)为0.003以上0.7以下。
导电性颗粒使用材料连接构造

[发明专利]导电性颗粒的制造方法和导电性颗粒-CN202180036693.8在审
发明人：松本千纮;高桥哲;久持昭纮;稻叶裕之 -专利权人：日本化学工业株式会社
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C18/31 文献下载
摘要：本发明提供一种对导电性颗粒的品质的影响少并且能够降低制造成本的导电性颗粒的制造方法，该导电性颗粒的制造方法包括对芯材颗粒的表面具有导电层的导电性颗粒在1000Pa以下的真空下、以温度200～600℃进行加热的工序。加热时间优选为0.1～10小时。上述芯材颗粒也优选由包含无机物、有机物或无机物和有机物双方的材质构成，上述导电层也优选为选自镍、金、镍合金和金合金中的至少1种。
导电性颗粒制造方法

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN201980061353.3在审
发明人：冈崎太洋;高桥哲 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：衬底处理装置的控制部对第1衬底搬送臂进行控制，使其执行将加载互锁室内的衬底向衬底处理室内搬送的第1搬送处理、和将在设置于搬送室内的衬底冷却单元载置的衬底向加载互锁室内搬送的第3搬送处理，对第2衬底搬送臂进行控制，使其执行将衬底处理室内的衬底向衬底冷却单元搬送并载置于衬底冷却单元的第2搬送处理，对第1衬底搬送臂以及第2衬底搬送臂进行控制，使得在第1搬送处理和第3搬送处理中施加于衬底的加速度的最大值比第2搬送处理中施加于衬底的加速度的最大值大。
衬底处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]内视镜系统-CN201880057960.8在审
发明人：千叶敏雄;山下纮正;谷冈健吉;高桥哲 -专利权人：凯罗斯股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： A61B1/045 文献下载
摘要：一种内视镜系统，在内视镜10的触发信号产生部产生了放大或缩小的触发信号的情况下，控制装置40根据产生所述触发信号时的偏光眼镜50内的传感器的探测信号及显示装置30内的传感器的探测信号的关系，确定显示装置30的显示图像内的手术执行者的注视点，并将所述注视点的周围放大或缩小，因此包含8K内视镜的内视镜系统的便利性进一步提升。
内视镜系统

[发明专利]结晶系硅太阳能电池及其制造方法-CN201480041740.8有效
发明人： 高桥哲;斋藤元希 -专利权人：纳美仕有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C03C3/07 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到高性能的结晶系硅太阳能电池。本发明为一种结晶系硅太阳能电池，其具有：第一导电型的结晶系硅基板、在结晶系硅基板的至少一个表面的至少一部分形成的杂质扩散层、在杂质扩散层的表面的至少一部分形成的缓冲层、和在缓冲层的表面形成的电极，电极包含导电性金属和复合氧化物，缓冲层是包含硅、氧和氮的层。
结晶太阳能电池及其制造方法

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201610212878.0有效
发明人： 高桥哲 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制颗粒的产生的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有：处理容器，对衬底进行处理；处理气体供给部，向处理容器供给处理气体；衬底载置台，设置于处理容器内；处理容器侧排气部，与处理容器连接；轴，以上端支承所述衬底载置台；轴支承部，对轴进行支承；开口孔，设置于贯穿有轴的处理容器的底壁；波纹管，具有配置于开口孔与轴支承部之间的可伸缩的波纹管壁，波纹管壁的内侧空间与处理容器的空间连通；波纹管侧气体供给排出部，将非活性气体向波纹管壁的内侧空间的供给与内侧空间的气氛的排气并行地进行。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法-CN201610115049.0在审
发明人： 高桥哲;丰田一行 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于，即使在将处理室维持在高温来处理衬底的情况下也能够抑制对周围构造的热影响。作为方式之一而提供一种衬底处理装置，其具有第一处理室，其具有加热第一衬底的第一加热部、处理第一衬底的第一处理空间、配置在第一处理空间的下方的第一输送空间以及构成第一处理空间和第一输送空间的壁；第二处理室，其具有隔着作为壁的一部分的共用壁而与第一处理室相邻并加热第二衬底的第二加热部、处理第二衬底的第二处理空间以及配置在第二处理空间的下方的第二输送空间；其他壁，其在构成第一处理室和第二处理室的壁中构成与所述共用壁不同的壁；冷却流路，其设在共用壁和其他壁上，以使共用壁的冷却效率比其他壁高的方式构成。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[实用新型]盖开闭机构、壳体及图像形成装置-CN201521002845.0有效
发明人：山内大悟;高桥哲 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G03G21/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及盖开闭机构、壳体及图像形成装置，提供一种用于关闭护盖而不使护盖在打开状态下被放置不管的技术。盖开闭机构包括：盖部件，其布置在通常使用时的图像形成装置的壳体的上表面上，通过以转动轴线为中心的转动来在覆盖目标物的闭合状态和不覆盖目标物的开启状态之间进行切换，并且具有作为目标物的覆盖部分的盖部和相对于转动轴线而位于与盖部相反的一侧的被推压部；推压部件，其在源自盖部件的自重的力矩起作用以使得盖部件朝向开启状态的方向转动的状态下，对盖部件的被推压部进行推压以使盖部件一直转动，并且转动至力矩起作用使得盖部件朝向闭合状态的方向转动的位置为止。
开闭机构壳体图像形成装置

[发明专利]导电性糊剂以及结晶系硅太阳能电池的制造方法-CN201480041741.2在审
发明人： 高桥哲;斋藤元希 -专利权人：纳美仕有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到一种导电性糊剂，其在对结晶系硅基板的表面形成电极时，能够形成良好的电接触的电极。本发明的导电性糊剂包含导电性粉末、复合氧化物、和有机媒质，复合氧化物包含氧化钼、氧化硼和氧化铋。
导电性以及结晶太阳能电池制造方法

[发明专利]连接器及其制造方法-CN201110243929.3有效
发明人：大西辉幸;矶部晋一;椎野高太郎;高桥哲 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01R13/502 文献下载
摘要：本发明公开了一种连接器及其制造方法。该连接器不仅维持防水性，而且具有更简单的结构。所述连接器具有模制部件(30)和密封部件(32)，所述模制部件(30)成型为由绝缘体包覆导线的包覆线(10a～10e)的露出部(B)从一端侧的x轴正方向侧突出，包覆线(10a～10e)的包覆区域(A)从另一端侧的x轴负方向侧突出；所述密封部件(32)将模制部件(30)的另一端侧的x轴负方向侧和包覆线(10a～10e)的绝缘体的外周之间密封。
连接器及其制造方法

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN200910173142.7有效
发明人：野内英博;坂田雅和;高桥哲 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的基板处理装置能够同时实现高吞吐量化和省占地面积化这样相反的条件，并能够确保晶片的保护层剥离均匀性。本发明的基板处理装置具有：对基板进行处理的处理室；内置在所述处理室中的基板载置台；能够在所述基板载置台的上方使基板临时待机的基板输送部件；以包围所述基板载置台的方式设置的排气孔；在连结所述排气孔和所述基板载置台的上端部的线、和所述基板载置台之间使所述基板输送部件退避的退避空间。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN200910173141.2有效
发明人： 高桥哲;野内英博;坂田雅和 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，能够同时实现高吞吐量化和省占地面积化这样相反的条件。本发明的基板处理装置具有输送室和处理基板的处理室，所述输送室具有将基板从该输送室向所述处理室输送的第1基板输送部件，所述处理室具有：与所述输送室邻接的、具有第1基板载置台的第1处理部；与所述第1处理部中的所述输送室一侧不同侧邻接的、具有第2基板载置台的第2处理部；在所述第1处理部和所述第2处理部之间输送基板的第2基板输送部件；至少控制所述第2基板输送部件的控制部。
处理装置方法

[发明专利]动力转向装置-CN200810175422.7无效
发明人：松村达雄;佐佐木光雄;高桥哲;大野浩平;河西荣治;斋藤贵俊 -专利权人：株式会社日立制作所;丰田自动车株式会社
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： B62D5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种动力转向装置，该装置包括：具有第一和第二压力腔室的动力缸体；包括第一排出端口和第二排出端口的可逆泵；包括由弹性体制成的部分的第一液压通路；包括由弹性体制成的部分的第二液压通路；用于驱动可逆泵的马达；马达控制部分；泵反向旋转判断部分，用于当可逆泵的实际旋转方向与马达根据来自马达控制部分的驱动信号而旋转的方向不对应时，判断可逆泵的反向旋转状态；以及阻尼扭矩添加部分，用于当泵反向旋转判断部分确定可逆泵的反向旋转状态时，衰减在可逆泵中产生的扭矩。
动力转向装置

[发明专利]便携终端-CN200680054438.1无效
发明人：佐藤则喜;佐藤健一;高桥哲 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-03-02 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：一种滑动式便携终端，具有用于防止螺丝的头部和前端在该终端处于打开状态时露出的滑块部。第一壳体(2)和第二壳体(3)通过滑块部(4)可滑动地连接。第一壳体(2)在面向第二壳体(3)的表面内具有开口部(40)。第二壳体(3)在面向第一壳体(2)的表面具有固定部(41)。滑块部(4)由基部(32)、导轨部(31)和促动部(33、34)构成。基部(32)固定到固定部(41)，且由导轨部(31)可滑动地引导。导轨部(31)具有可滑动地引导基部(32)并朝第二壳体(3)突出的基部(32)，且还具有通过延伸导轨部(31)从而从引导部(46)向外突出而形成的延伸部(52)。促动部(33、34)被设置以促动基部(32)至引导部(46)的滑动端。当滑块部(4)附着到开口部(40)使得滑块部(4)从第一壳体的内表面侧指向外表面侧时，延伸部(52)形成为与开口部(40)外围接触，且基部(32)和促动部(33、34)通过导轨部(31)而被允许穿过开口部(40)以及被防止穿过开口部(40)。
便携终端

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