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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于收紧阈值电压宽度以避免编程干扰的编程方法-CN201380036509.5有效
发明人：龟井辉彦;库恩·特林;井上淳之;高桥利幸 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司;株式会社东芝
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种非易失性存储系统执行多阶段编程处理以将非易失性存储装置编程为一组数据阈值电压分布。该多阶段编程处理包括执行多阶段编程处理的第一阶段以将非易失性存储元件中的至少子集的阈值电压从擦除分布改变为一个或多个中间分布；执行多阶段编程处理的中间阶段以将非易失性存储元件中的至少部分非易失性存储元件的阈值电压改变为数据阈值电压分布中的适当分布；以及在执行多阶段编程处理的中间阶段之后，执行多阶段编程处理的后一阶段以仅收紧数据阈值电压分布的子集。
用于收紧阈值电压宽度避免编程干扰方法

[发明专利]铜管乐器用练习器具-CN201080023756.8有效
发明人： 高桥利幸 -专利权人： 高桥利幸
申请日： 2010-05-10 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G09B15/00 文献下载
摘要：一种铜管乐器用练习器具(1)，用于保持用于演奏铜管乐器的嘴唇的状态来进行训练，具有：筒体(10)，该筒体(10)的内部形成有贯通孔(11)；以及叼部(20)，该叼部(20)固定于上述筒体(10)的一端侧，具备一方向相对长的截面形状，以匹配上下嘴唇之间的形状，并且该叼部(20)具备开口部(22)，该开口部(22)与上述贯通孔(11)连通而构成供来自嘴唇的空气流通的流路。
铜管乐器用练习器具

[发明专利]半导体装置-CN200610073802.0有效
发明人：菊地修一;大川重明;中谷清史;高桥利幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。在现有的半导体装置中，存在有不能提高为保护元件不受过电压破坏而设置的保护二极管的耐压特性的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)上的外延层(3)上形成有元件保护用的保护二极管(1)。在外延层(3)的表面上形成有肖特基势垒用金属层(14)，并在肖特基势垒用金属层(14)的端部(20)下方形成有P型扩散层(9)。并且，在比P型扩散层(9)靠近阴极区域侧形成浮置状态的P型扩散层(10、11)，与施加了阳极电位的金属层(18)电容耦合。通过该结构，减小耗尽层的大的曲率变化，提高保护二极管(1)的耐压特性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200610073801.6无效
发明人：菊地修一;大川重明;中谷清史;高桥利幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置。在现有的半导体装置中，存在有不能将保护元件不受过电压破坏而设置的保护二极管的耐压特性提高的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)上的外延层(3)上形成有元件保护用的保护二极管(1)。在外延层(3)表面形成有肖特基势垒用金属层(14)，并在肖特基势垒用金属层(14)的端部(20)的下方形成有P型扩散层(7)。并且，与P型扩散层(7)连结并向阴极区域侧形成P型扩散层(9)。在P型扩散层(9)的上方形成施加了阳极电位的金属层(18)，可得到场板效果。通过该结构，减小耗尽层的大的曲率变化，使保护二极管(1)的耐压特性提高。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200610004208.6有效
发明人：菊地修一;大川重明;中谷清史;高桥利幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-01-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体装置，在现有的半导体装置中，在施加有高电位的配线层在分离区域上面交叉的区域存在在该分离区域耐压劣化的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)上堆积外延层(3)，在被分离区域(4)区分的区域形成有LDMOSFET1。在与漏极电极(16)连接的配线层(18)于分离区域(4)上面交叉的区域，在配线层(18)下方形成有接地电位的导电屏极(24)和浮置状态的导电屏极(25)。根据该结构，在配线层(18)下方，分离区域(4)附近的电场被缓和，LDMOSFET1的耐压特性提高。
半导体装置

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