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- [发明专利]利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法-CN201811624760.4有效
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高忙忙;强璐;高昂;赵旭;祁雪燕;梁森;李海波
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宁夏大学
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2018-12-28
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2022-05-17
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C01B33/037
- 利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法为配置提纯原料,将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料;将提纯原料倒入反应炉中,通入氩气和氢气的混合气体,氩气与氢气的体积比为100:4,以将反应炉中的空气排出;按照8℃/min的速度提高反应炉的温度,直至反应炉中的温度升高至1450℃,并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体,以使反应炉维持惰性的气体环境;提纯原料在1450℃的条件下保温2h,然后按照8℃/min的速度进行降温至600℃,然后自然冷却至室温;对冷却至室温的提纯原料进行半固态处理,具体为提纯原料在室温时,按照20℃/s的速度升温至硅和铝的共晶温度以上,然后保温5~25min;自然冷却至室温,然后酸洗得到提纯后的多晶硅。
- 利用固态提高合金提纯多晶收率方法
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