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[实用新型]一种功率MOSFET栅电荷测试装置-CN202020399157.7有效
发明人：王伟;管浩强;鞠柯;高善明;徐永斌 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率MOSFET栅电荷测试装置，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括PWM发生器和第一电源电压，所述第一电源电压通过限流电阻与功率MOSFET漏极电连接，所述功率MOSFET栅极与驱动电阻一端电连接，所述驱动电阻另一端与PWM发生器的9号引脚电连接，所述PWM发生器的9号引脚为输出脉冲端，所述PWM发生器的14号引脚为基准电压输出端，所述PWM发生器的14号引脚与PWM发生器13号引脚电连接，所述PWM发生器的12号引脚与第二电源电压电连接；所述PWM发生器的1号引脚和16号引脚分别通过接地电阻接地；所述功率MOSFET源极接地。本申请不仅结构简单，操作便捷，而且成本低、测试精度高。
一种功率 mosfet 电荷测试装置

[发明专利]半导体芯片背面硅腐蚀的工艺方法-CN201410258844.6在审
发明人：江浩;肖鹏飞;王润波;李建立;沈晓东;高善明 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片背面硅腐蚀的工艺方法，所述工艺方法包括以下步骤步骤一、半导体芯片提取；步骤二、半导体芯片的背面腐蚀；步骤三、半导体芯片去离子水清洗；步骤四、半导体芯片浸泡到双氧水和氟化铵溶液的混合水溶液；步骤五、半导体芯片去离子水清洗甩干。本发明既能保证芯片背面腐蚀质量，背面蒸发后无色差的工艺要求，操作简单，不需要增加价格昂贵的全自动设备。
半导体芯片背面腐蚀工艺方法

[实用新型]可控硅器件的平面终端钝化结构-CN201020123884.7有效
发明人：王新潮;冯东明;高善明;李建立 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型一种可控硅器件的平面终端钝化结构，其特征在于所述结构包括芯片硅衬底层(1)，在所述芯片硅衬底层(1)表面复合有钝化层(2)，在所述钝化层(2)表面依次复合有第一保护层(3)、第二保护层(4)和第三保护层(5)，且在所述芯片硅衬底层(1)表面留出阴极和门极引线孔窗口；所述钝化层(2)材料采用半绝缘掺氧多晶硅。本实用新型的钝化结构能够提高可控硅产品参数稳定性、可控性，减小芯片面积，缩短生产流程，减少碎片率，降低生产成本。
可控硅器件平面终端钝化结构

[实用新型]可控硅器件的复合平面终端钝化结构-CN201020123842.3有效
发明人：王新潮;冯东明;高善明;李建立 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型一种可控硅器件的复合平面终端钝化结构，其特征在于所述结构包括芯片硅衬底层(1)，在所述芯片硅衬底层(1)表面复合有钝化层(2)，在所述钝化层(2)表面依次复合有第一保护层(3)、第二保护层(4)和第三保护层(5)，且在所述芯片硅衬底层(1)表面留出阴极和门极引线孔窗口；所述钝化层(2)材料采用半绝缘掺氧多晶硅，第一保护层(3)和第三保护层(5)材料均采用二氧化硅，第二保护层(4)材料采用磷硅玻璃。本实用新型的钝化结构能够提高可控硅产品参数稳定性、可控性，减小芯片面积，缩短生产流程，减少碎片率，降低生产成本。
可控硅器件复合平面终端钝化结构

[发明专利]可控硅器件的复合平面终端钝化方法-CN201010119711.2有效
发明人：王新潮;冯东明;高善明;李建立 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明涉及一种可控硅器件的复合平面终端钝化方法，所述方法包括以下工艺过程：一、在一定温度、时间和气氛下，将磷原子推入硅片一定深度，形成门区，完成芯片阴极区氧化扩散，二、将硅片表面氧化层全剥离，形成芯片硅衬底层，三、在步骤二形成的芯片硅衬底层表面淀积一钝化层，四、在步骤三形成的钝化层表面依次淀积第一保护层、第二保护层和第三保护层，形成钝化膜保护PN结终端，五、将步骤四形成的钝化膜保护PN结终端退火、时间处理后，通过光刻在所述钝化膜保护PN结终端刻出阴极、门极引线孔窗口，完成可控硅平面终端钝化。本发明方法能够提高可控硅产品参数稳定性、可控性，减小芯片面积，缩短生产流程，减少碎片率，降低生产成本。
可控硅器件复合平面终端钝化方法