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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]带有集成背空腔的MEMS声传感器-CN201480011805.4有效
发明人：艾尔翰·波拉特卡恩·阿塔;马丁·利姆;李想;斯蒂芬·劳埃德;迈克尔·朱利安·达内曼 -专利权人：因文森斯公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：在此披露了一种MEMS器件。该MEMS器件包括一个带有一个第一表面和一个第二表面的第一极板；以及一个附接到一个第一衬底上的锚点。该MEMS器件进一步包括一个带有一个第三表面和一个第四表面的附接到该第一极板上的第二极板。一个连接机构将该锚点连接到该第一极板上，其中，在该第一极板的该第一和第二表面之间存在一个声压差的情况下，该第一极板和第二极板移位。该第一极板、第二极板、连接机构和锚点全都包含在由该第一衬底和一个第二衬底形成的一个围隔内，其中，该第一和第二衬底其中之一包含一个通口以使该第一极板的该第一表面暴露在环境下。
带有集成空腔 mems 传感器

[发明专利]封闭的MEMS器件的内部电接触-CN201410044191.1有效
发明人：克刚·黄;申钟禹;马丁·利姆;迈克尔·朱利安·达内曼;约瑟夫·西格 -专利权人：因文森斯公司
申请日： 2014-01-30 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：在此披露了一种MEMS器件。这种MEMS器件包括一个MEMS衬片。该MEMS衬片包括一个第一半导体层，该第一半导体层由处于中间的一个介电层连接到一个第二半导体层上。由该第二半导体层形成了多种MEMS结构，并且这些结构包括多个第一导电垫片。这种MEMS器件进一步包括一个基底衬片，该基底衬片包括在其上的多个第二导电垫片。这些第二导电垫片被连接到第一导电垫片上。最后，这种MEMS器件包括一个导电连接件，这个导电连接件是穿过该MEMS衬片的介电层而形成的以提供在该第一半导体层与该第二半导体层之间的电耦联。该基底衬片被电连接到该第二半导体层以及第一半导体层上。
封闭 mems 器件内部接触

[发明专利]用于其中一部分暴露在环境下的密封MEMS设备的工艺-CN201280038081.3有效
发明人：迈克尔·J·达内曼;马丁·利姆;约瑟夫·西格;伊戈尔·切尔科夫;史蒂文·S·纳西里 -专利权人：因文森斯公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在此披露了一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的MEMS设备的方法和系统。该方法包括将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个其中介电层被布置在这些操作晶片和设备晶片之间的MEMS衬底。该方法包括平版印刷地在该设备晶片上限定至少一个压铆螺母柱并将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底和该集成电路衬底之间形成一个密封腔。该方法包括在该操作晶片、压铆螺母柱或集成电路衬底中限定至少一个开口以使该设备晶片的一部分暴露在外部环境下。
用于其中一部分暴露环境密封 mems 设备工艺

[发明专利]包括不同受控压力下的多个腔的CMOS-MEMS集成装置以及制造方法-CN201510646926.2有效
发明人：李大成;申钟禹;申正日;彼得·斯米斯;马丁·利姆 -专利权人：因文森斯公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种集成MEMS装置，包括两个基底，其中该第一和第二基底被联接在一起并且在其间具有两个闭合空间。该第一和第二基底之一包括一个除气源层和一个除气阻挡层以便调节这两个闭合空间内的压力。该方法包括在基底上沉积并且构图除气源层和第一除气阻挡层，从而产生两个截面。在这两个截面中的一者中，该除气源层的顶表面没有被该除气阻挡层所覆盖并且在这两个截面中的另一者中，该除气源层被封装在该除气阻挡层中。该方法还包括保形地沉积第二除气阻挡层并且蚀刻该第二除气阻挡层以便在该除气源层的侧壁上留下该第二除气阻挡层的间隙。
包括不同受控压力多个腔 cmos mems 集成装置以及制造方法

[发明专利]制作具有垂直集成电子产品及晶片规模气密封装的X-Y轴双质量块调谐叉陀螺仪的方法-CN200680048919.1有效
发明人：史蒂文·S·纳西里;约瑟夫·西格;马丁·利姆;安东尼·弗朗西斯·小弗兰纳里;亚历山大·卡斯特罗 -专利权人：因文森斯公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： G01P3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于测量X-Y传感器平面中角速度的X及Y分量的双轴传感器。所述双轴传感器包含用于测量角速度的所述X分量的第一子传感器及用于测量角速度的所述Y分量的第二子传感器。所述第一子传感器及所述第二子传感器含纳于所述双轴传感器内的单个气密密封内。
制作具有垂直集成电子产品晶片规模气密封装质量调谐陀螺仪方法

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