“项国洪”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电沉积电极结构、全彩化显示结构及其制备方法-CN202111670157.1在审
发明人：李德鹏;项国洪;曾友宏;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供一种电沉积电极结构、全彩化显示结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：形成包括多个第一电极块的第一电极层于绝缘基板上，形成第一绝缘层；形成包括多个第二电极块的第二电极层于第一绝缘层上，第一、第二电极块在水平方向上间隔排布；形成第二绝缘层；形成多个第一开口以显露第一电极块；形成第三电极块于第一开口中；形成多个第二开口以显露第二电极块；形成第四电极块于第二开口中。本发明将二维平面上制备的电极变为三维电极，利用电极之间的绝缘层来隔绝电极间相互影响，解决了二维平面电极容易短路的问题。由于两层电极的连线可以上下排布，节约了排布面积，使得像素间距进一步缩小，进而可以得到更高分辨率的色彩转换膜。
沉积电极结构全彩显示及其制备方法

[发明专利]一种降低微腔半导体激光器阈值的方法-CN201811583566.6有效
发明人：张昭宇;刘秀;方铉;周陶杰;项国洪;项博媛 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低微腔半导体激光器阈值的方法，包括：将制备得到的微腔半导体激光器器件通入惰性气体启辉；通入等离子气体进行电离，使所述等离子气体附着于所述微腔半导体激光器器件的微腔腔体上，形成表面钝化，以便于降低所述微腔半导体激光器器件的激光器阈值。本发明实现了抑制材料非辐射复合过程，提高发光效率，有效降低激光器件阈值；避免了现有解决激光器器件表面态的(工作阈值)方式为通过含硫溶液进行的钝化手段，但其重复性较差，不易控制，且易破坏微纳尺度器件的缺陷。
一种降低半导体激光器阈值方法

[发明专利]一种石墨烯-ZnO复合材料及其制备方法和紫外探测器-CN201811611051.2有效
发明人：张昭宇;项国洪;钟可怡;方铉;袁牧锋 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯‑ZnO复合材料及其制备方法和紫外探测器，该石墨烯‑ZnO复合材料的制备方法包括以下步骤：(1)采用射频等离子体增强化学气相沉积法在衬底上得到垂直的石墨烯薄片，所述衬底采用泡沫镍；(2)采用电化学沉积法在所述垂直的石墨烯薄片间横向生长ZnO纳米线。本发明得到的石墨烯‑ZnO复合材料具有较高的比表面积，应用于紫外探测器中时，有效提高了紫外探测器器件中光敏层的表面积(即实际感光面积)和光生电子利用效率，以及使基于石墨烯‑ZnO复合材料的紫外探测器具有更高的电学性能和稳定性，且导热能力增加。
一种石墨 zno 复合材料及其制备方法紫外探测器

[外观设计]包装盒-CN202030624233.5有效
发明人：盛文庆;项国洪;平夏婷 -专利权人：浙江康恩贝制药股份有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装盒。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于包装。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：使用参考图1。5.组件1后视图与组件1主视图相同，省略组件1后视图;组件1右视图与组件1左视图相同，省略组件1右视图;组件2后视图与组件2主视图相同，省略组件2后视图;组件2右视图与组件2左视图相同，省略组件2右视图;组件3后视图与组件3主视图相同，省略组件3后视图;组件3右视图与组件3左视图相同，省略组件3右视图。6.本外观设计产品由透明材料制成。
包装

[外观设计]药用软膏管-CN202030624234.X有效
发明人：盛文庆;项国洪;毕真真 -专利权人：浙江康恩贝制药股份有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： 09-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：药用软膏管。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于软膏包装。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1主视图。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.指定设计1为基本设计。
药用软膏

[发明专利]一种盘型激光器件-CN201811580248.4有效
发明人：张昭宇;周陶杰;项国洪;方铉;项博媛 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一盘型激光器件包括衬底、形成于所述衬底上的缺陷抑制层、形成于所述缺陷抑制层上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的牺牲层及形成于所述牺牲层上的有源区；所述盘型激光器件的直径为0.5～10um。本发明的盘型激光器件包括衬底、形成于衬底上的缺陷抑制层、形成于缺陷抑制层上的缓冲层、形成于缓冲层上的牺牲层及形成于牺牲层上的有源区；盘型激光器件的直径为0.5～10um；不仅尺寸小，能够很好地应用于大面积及高密度集成的硅基光芯片，且该盘型激光器件具有优良的发光强度及阈值。
一种激光器件

[发明专利]半导体微腔激光器的制备方法和半导体-CN201811440520.9在审
发明人：张昭宇;刘秀;方铉;周陶杰;项国洪;项博媛 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体微腔激光器的制备方法和半导体，该方法包括：对基片的衬底层进行预处理，得到第一基片；在第一基片的衬底层上生成硬掩膜，得到第二基片；利用旋涂机对第二基片旋涂电子胶，得到第三基片；按照预设图案对第三基片中的电子胶进行书写，得到第四基片；对第四基片上暴露的硬掩膜进行刻蚀，并对刻蚀后的电子胶进行清洗，得到第五基片；按照预设图案对第五基片进行刻蚀，并清洗刻蚀后的硬掩膜，得到第六基片；对第六基片进行柱状架空结构刻蚀，得到半导体微腔激光器。采用分子束外延方式生长半导体材料，随后进行RTA处理，最后通过ICP刻蚀方式获得腔体尺寸可调的微腔激光器，这种制备方式简捷并节省了资源。
刻蚀半导体微腔激光器电子胶硬掩膜制备预设图案衬底层半导体清洗生长半导体材料预处理分子束外延微腔激光器尺寸可调架空结构旋涂机腔体旋涂柱状书写暴露