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[发明专利]一种抗多基地雷达探测的伪装超表面构建方法-CN202210018931.9有效
发明人：李猛猛;朱泳庚;丁大志;韩居正;樊振宏;房欣宇;赖梓扬;左雨翰;史琪;宁子豪;宋汶钊;曹仁猛;赖瑞鑫;洪宏展;陈明辉 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01S13/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗多基地雷达探测的伪装超表面构建方法，包括：确定在不同雷达观测角度下表征目标特征量的物理量大小；将超表面在空间中离散成多个调控模块，使用每个调控模块分别对雷达回波进行调控，根据实际调控模块阵列大小和超表面单元的电尺寸设置离散角度；利用超表面单元组建各调控模块，根据调控模块之间的倾角和不同雷达观测角度下物理量大小，调控超表面改变目标特征量；通过改变调控模块每列单元之间时序的起始时刻实现谐波的波束偏转，使整个伪装超表面在设定观测角度区间内实现特征伪装。本发明具有简单、高效、灵活的优点，能够在空间多个观测角度下实现伪装。
一种基地雷达探测伪装表面构建方法

[发明专利]一种基于柔性电调超表面的双频段散射特性智能伪装系统-CN202210018938.0有效
发明人：李猛猛;宁子豪;丁大志;韩居正;樊振宏;房欣宇;左雨翰;朱泳庚;赖梓扬;赖瑞鑫;陈明辉;曹仁猛;宋汶钊;史琪;洪宏展 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于柔性电调超表面的双频段散射特性智能伪装系统。该伪装系统包括：可铺设在高阶曲面上的柔性电调超表面，超表面中的每列单元组成子阵，每列子阵由同一信号控制；可智能调控超表面的FPGA控制模块，控制模块具有多个I/O口，独立调控超表面每列子阵。本发明通过引入PIN二极管作为电阻可调器件，使得发明的柔性电调超表面对双频段入射电磁波具有高精度、大幅度的动态调控范围，且调控方式简单；本发明通过对FPGA输出的电流信号做时空编码，使得发明的伪装系统可以模拟目标的微动特征，实现对目标电磁散射特性的智能伪装；本发明相较于传统设计具有低功耗、重量轻、易加工的特点。
一种基于柔性电调超表面双频散射特性智能伪装系统

[发明专利]基于空间映射的隐身超表面雷达散射截面减缩方法-CN201810221894.5有效
发明人：陈如山;唐之宣;李猛猛;丁大志;樊振宏;韩居正;陶诗飞;何姿 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-03-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于空间映射的隐身超表面雷达散射截面减缩方法。首先建立隐身超表面模型，令均匀平面波照射到隐身超表面上，确定隐身超表面的总散射场；然后根据考虑耦合的阵因子计算出第1步所得隐身超表面的RCS，作为隐身超表面SM算法的粗模型，优化粗模型并找到粗模型的最优解，最后，利用粗模型的最优解和步骤3中所建立映射关系求得细模型的预测参数，判断所得响应是否满足优化设计要求，如果不满足，对所建立的粗模型参数与细模型参数的映射关系进行迭代更新，获直到所得响应满足设计要求。本发明的方法对两种单元组成超表面的排布方式进行优化，在超表面阵面大小确定的情况下，提高了RCS缩减量的同时节约了时间和内存。
基于空间映射隐身表面雷达散射截面减缩方法

[发明专利]一种基于MEMS串联开关的高功率自动保护电路-CN202110746278.3有效
发明人： 韩居正;陈如山 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02H7/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS串联开关的高功率自动保护电路，包括功分器、整流器、电压比较器、MEMS串联开关，当功分器功率输入口输入功率小于等于设定的安全阈值，且电压比较器输入电压小于等于基准电压时，电压比较器输入到MEMS串联开关的电压为低电平，MEMS串联开关处于闭合状态；当功分器功率输入口输入功率大于设定的安全阈值，且电压比较器输入电压大于基准电压时，电压比较器输入到MEMS串联开关的电压为高电平，MEMS串联开关断开。本发明能够在高功率输入条件下自适应地断开信号通路，即便输入信号功率大小存在波动的情况下，也能自适应地选择开关的开启或断开状态。
一种基于 mems 串联开关功率自动保护电路

[发明专利]基于MEMS微悬臂梁和石墨烯CPW传输线的高功率自动保护电路-CN202110746247.8有效
发明人： 韩居正;陈如山 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS微悬臂梁和石墨烯CPW传输线的高功率自动保护电路，石墨烯层设置在CPW中心信号线和地线之间，MEMS微悬臂梁耦合出传输线上的部分信号，并根据耦合功率的大小产生一个控制信号，控制信号加载到石墨烯层上，根据石墨烯的电调特性，控制信号可以改变石墨烯层的化学势及电导率，进而改变CPW传输线的传输特性。当输入功率小于安全阈值时，石墨烯的化学势为零，电导率很小，信号能够正常传输，传输损耗较小；当输入功率超出安全阈值时，控制信号增大，石墨烯化学势和电导率增大，进而改变CPW传输线的传输特性，输出信号被大幅度衰减，对后续电路起到自动保护作用。本发明的优点在于低功率状态传输损耗较小，高功率情况下不易击穿，可靠性高，且能根据输入功率的大小进行自适应防护等。
基于 mems 悬臂梁石墨 cpw 传输线功率自动保护电路

[发明专利]一种极化扭转有源角反射方向回溯系统-CN202010275454.5有效
发明人： 韩居正;董士伟;樊振宏;陈如山;李正军;李小军 -专利权人：南京理工大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01Q15/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化扭转有源角反射方向回溯系统，由有源极化扭转天线阵列、第一极化选择表面和第二极化选择表面两两正交，拼接构成三面角反射器。本发明利用有源极化扭转天线阵列和极化选择表面的镜面反射，实现微波信号的方向回溯与极化扭转，以提高收发隔离；另外，利用极化扭转天线阵列的有源特性，可根据应用环境的需求，对回溯信号实现功率放大。本发明适用于雷达、微波功率传输、卫星通信等领域，具有收发隔离度高、回波功率可控等特性，并且设计过程简单，能够采用印刷电路技术进行批量生产。
一种极化扭转有源反射方向回溯系统

[发明专利]基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器-CN201610399006.X有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H03B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器，包括MEMS宽频带相位检测器、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1和第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2、除法器。本发明的有益效果为：MEMS宽频带相位检测器的使用，使倍频器具有宽频带特性，可以实现对不同频率的参考信号的倍频；通过可变电阻对压控振荡器电压的控制和对直流自动增益控制AGC放大器增益的控制，实现对参考信号和反馈信号的同步调节，即使在电路存在波动的情况下也能实现倍频；结构新颖，操作方便，与GaAs单片微波集成电路兼容。
基于 mems 宽频相位检测器倍频器

[发明专利]基于MEMS宽频带相位检测器和温度补偿电阻的锁相环-CN201610395163.3有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS宽频带相位检测器和温度补偿电阻的锁相环，包括MEMS宽频带相位检测器、温度补偿电阻R、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1、第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2。本发明的有益效果为：锁相环具有宽频带特性，可以实现对不同频率的参考信号的锁定；通过可变电阻对压控振荡器电压的控制和对直流自动增益控制AGC放大器增益的控制，实现对参考信号和反馈信号的同步调节，即便在电路存在波动的情况下也能实现锁定；具有温度补偿特性，在温度发生变化时，能够消除温度变化对锁相环状态的影响，具有温度稳定性；结构简单新颖，操作方便，与GaAs单片微波集成电路兼容。
基于 mems 宽频相位检测器温度补偿电阻锁相环

[发明专利]基于MEMS宽频带相位检测器的分频器-CN201610395544.1有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS宽频带相位检测器的分频器，包括MEMS宽频带相位检测器、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1和第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2、乘法器。本发明的有益效果为：MEMS宽频带相位检测器的使用，使分频器具有宽频带特性，可以实现对不同频率的参考信号的分频；通过可变电阻对压控振荡器电压的控制和对直流自动增益控制AGC放大器增益的控制，实现对参考信号和反馈信号的同步调节，即使在电路存在波动的情况下也能实现分频；结构新颖，操作方便，与GaAs单片微波集成电路兼容。
基于 mems 宽频相位检测器分频器

[发明专利]基于MEMS宽频带相位检测器和温度补偿电阻的分频器-CN201610393055.2有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS宽频带相位检测器和温度补偿电阻的分频器，包括MEMS宽频带相位检测器、温度补偿电阻R、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1、第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2、乘法器。本发明的有益效果为：分频器具有宽频带特性，可以实现对不同频率的参考信号的分频；通过可变电阻对压控振荡器电压的控制和对直流自动增益控制AGC放大器增益的控制，实现对参考信号和反馈信号的同步调节，即便在电路存在波动的情况下也能实现分频；具有温度补偿特性，在温度发生变化时，能够消除温度变化对分频器状态的影响，具有温度稳定性；结构简单新颖，操作方便，与GaAs单片微波集成电路兼容。
基于 mems 宽频相位检测器温度补偿电阻分频器

[发明专利]基于MEMS宽频带相位检测器的锁相环-CN201610395751.7有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS宽频带相位检测器的锁相环，包括MEMS宽频带相位检测器、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1、第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2。本发明的有益效果为：MEMS宽频带相位检测器的使用，使锁相环具有宽频带特性，可以实现对不同频率的参考信号的锁定；通过可变电阻对压控振荡器控制电压和直流自动增益控制AGC放大器的增益的控制，实现对参考信号和反馈信号的同步调节，在电路存在波动的情况下也能实现锁定；结构新颖，操作方便，与GaAs单片微波集成电路兼容。
基于 mems 宽频相位检测器锁相环

[发明专利]基于MEMS宽频带相位检测器和温度补偿电阻的倍频器-CN201610395545.6有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H03B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS宽频带相位检测器和温度补偿电阻的倍频器，包括MEMS宽频带相位检测器、温度补偿电阻R、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1、第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2、除法器。本发明的有益效果为：倍频器具有宽频带特性，可以实现对不同频率的参考信号的倍频；通过可变电阻对压控振荡器电压的控制和对直流自动增益控制AGC放大器增益的控制，实现对参考信号和反馈信号的同步调节，即便在电路存在波动的情况下也能实现倍频；具有温度补偿特性，在温度发生变化时，能够消除温度变化对倍频器状态的影响，具有温度稳定性；结构简单新颖，操作方便，与GaAs单片微波集成电路兼容。
基于 mems 宽频相位检测器温度补偿电阻倍频器

[发明专利]硅基低漏电流双悬臂梁可动栅分频器-CN201510378509.4有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流双悬臂梁可动栅分频器由硅衬底，N型增强型MOSFET，外接的低通滤波器、压控振荡器、乘法器、高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的悬臂梁，由直流偏置控制，并作为参考信号和反馈信号的输入。悬臂梁的下拉电压设计为MOSFET的阈值电压。两个悬臂梁可动栅均处于悬浮状态时，MOSFET截止，栅电容较小，能减小栅极漏电流。两个悬臂梁可动栅均下拉与栅氧化层接触时，MOSFET导通，参考信号和反馈信号经MOSFET相乘，通过低通滤波器、压控振荡器和乘法器实现参考信号的分频。下拉单个悬臂梁可动栅，可实现对单个信号的放大，电路具有多功能。本发明降低漏电流，体积更小，且实现多功能。
硅基低漏电悬臂梁可动栅分频器

[发明专利]砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅倍频器-CN201510379436.0有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明的GaAs基低漏电流双固支梁开关双栅HEMT倍频器，由GaAs衬底，增强型HEMT，外接的低通滤波器，压控振荡器，除法器、高频扼流圈构成。两个固支梁开关悬浮在两个栅极上，作为参考信号和反馈信号的输入，固支梁开关下拉电压设计为HEMT阈值电压，在直流偏置下控制HEMT的导通。两个固支梁开关均断开时，栅电压为0，没有沟道，HEMT截止，有利于减小栅极漏电流。两个固支梁开关均下拉闭合与栅极接触时，二维电子气沟道形成，HEMT导通，参考信号和反馈信号通过HEMT放大，漏极输出经低通滤波器、压控振荡器以及除法器反馈循环后，得到倍频信号。只一个固支梁开关闭合时，可实现对选通信号的单独放大，电路具有多功能。
砷化镓基低漏电流双固支梁开关倍频器

[发明专利]硅基低漏电流双悬臂梁可动栅倍频器-CN201510378508.X有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOSFET倍频器，由硅衬底，N型增强型MOSFET，以及外接的低通滤波器，压控振荡器，除法器、高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的悬臂梁，下拉电压设计为MOSFET的阈值电压，由直流偏置控制，并作为参考信号和反馈信号的输入。当两个悬臂梁可动栅均处于悬浮状态时，MOSFET截止，栅极不与栅氧化层接触，能减小栅极漏电流，降低功耗。当两个悬臂梁可动栅均下拉与栅氧化层接触时，MOSFET导通，参考信号和反馈信号传输到MOSFET相乘，通过外接电路实现参考信号频率的乘法运算。单个悬臂梁可动栅下拉后，可以实现对单个信号的放大，电路具有多功能。本发明降低功耗，体积更小，实现多功能。
硅基低漏电悬臂梁可动栅倍频器

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