“陈桥梁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果72个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种用于水泥粉煤灰碎石桩的桩头切割装置-CN202321363080.8有效
发明人： 陈桥梁;王守佳;丁振亚;魏永平;胡械;杨浩琼;伍豪;陈强;张潇搏 -专利权人：中交广州航道局有限公司;中交广航局第五工程有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： E02D9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于水泥粉煤灰碎石桩的桩头切割装置，包括装置本体以及切割装置；切割装置包括锯盘、驱动电机以及轨道；轨道具有直线段以及衔接在直线段末端的环形段，且环形段能够供水泥粉煤灰碎石桩的桩头穿入其中，轨道的直线段远离环形段的一端固定连接在装置本体上；装置本体包括承力架，驱动电机可移动的安装于承力架上，且驱动电机的输出端穿设在轨道内，以使得驱动电机能够在承力架的支撑作用下沿轨道移动；锯盘的中心轴固定安装在驱动电机的输出端上且能够随驱动电机的输出端进行转动，锯盘的盘面与轨道的环形段的环面相平行，且锯盘的尺寸半径大于轨道环形段的半径。本实用新型的桩头切割装置可一次性完全将桩头切割，操作方便。
一种用于水泥粉煤碎石桩头切割装置

[实用新型]一种岩石顶管机增稳减阻装置-CN202321362961.8有效
发明人：赵其达拉图;陈桥梁;粟学平;王守佳;丁振亚;魏永平;伍豪;杨浩琼;胡械;陈强;张潇搏 -专利权人：中交广州航道局有限公司;中交广航局第五工程有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： E21D9/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种岩石顶管机增稳减阻装置，包括顶管机刀头、连接仓和增稳减阻仓，所述连接仓的轴向两侧分别与所述顶管机刀头和所述增稳减阻仓连接，且所述连接仓沿竖向方向的顶部高于对应位置所述增稳减阻仓的顶部，在所述增稳减阻仓靠近所述连接仓一侧的顶部还设有开孔，在所述增稳减阻仓的顶部还设有向所述连接仓方向倾斜的挡石板，所述挡石板和所述连接仓分别位于所述开孔的轴向两侧。本方案能够减少岩渣卡管、抱管情况，同时减小顶管阻力，提升顶管机自身稳定性，保证施工质量和效率。
一种岩石顶管机增稳减阻装置

[实用新型]一种桥梁变形倾斜感测装置-CN202321363575.0有效
发明人：丁振亚;陈桥梁;王守佳;胡械;魏永平;杨浩琼;伍豪;陈强;张潇搏 -专利权人：中交广州航道局有限公司;中交广航局第五工程有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01C9/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桥梁变形倾斜感测装置，包括至少一个桥梁变形倾斜感测机构，所述桥梁变形倾斜感测机构包括主体和供电组件，所述主体内设有倾斜监测组件，所述供电组件通过电能传输线向所述倾斜监测组件供电；所述倾斜监测组件包括数据转换电路、以及与所述主体固定连接的监测罐体，所述监测罐体内设有待感测溶液，在所述监测罐体的内侧壁上沿周向方向还设有多个液位传感器，各个所述液体传感器均与所述待感测溶液接触，且所述液位传感器还与所述数据转换电路数据连接，以采集对应位置所述待感测溶液的液位信息发送给所述数据转换电路。本方案能够对桥梁的变形情况进行实时感测。
一种桥梁变形倾斜装置

[发明专利]隧道逃生管用自动化运输伤员装置-CN202211529410.6有效
发明人： 陈桥梁;赵其达拉图;徐鑫;邓镜辉;邓萍;额木格;王平洲;王栋;苏庆坤;刘栋超;魏永平;宋裕 -专利权人：中交广州航道局有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： E21F11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种隧道逃生管用自动化运输伤员装置，包括滑设在逃生管道内的小车，小车的底部中间位置设有驱动轮，驱动轮的两侧分别设有行走轮，小车包括铰接的第一承托板和第二承托板，第一承托板和第二承托板结构相同，小车的底部两侧还设有折叠单元，小车的两侧还设有调整单元，行走轮上还设有自适应单元，自适应单元上设有压力传感器，第一承托板和第二承托板的底部还设有倾角传感器和电源模块，调整单元、压力传感器、折叠单元和驱动轮分别与电源模块电连接。本发明结构紧凑，能大幅度提高隧道内被困伤员的转移效率，对人员的施救具有良好的作用。
隧道逃生管用自动化运输伤员装置

[发明专利]一种用于测试功率器件的共源电感的测试电路及测试方法-CN202111236295.9有效
发明人：吴佳芮;杨旭;王康平;陈文洁;魏吉文;魏高昊;陈桥梁 -专利权人：西安交通大学;龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于测试功率器件的共源电感的测试电路及测试方法，可以实现准确的测量功率器件的共源电感，同时可以低成本的搭建测试电路，针对不同的封装形式和大小测量器件的共源电感。相比于以前的测量方式，本发明的测量方法不仅能够实现对确定布局后的功率器件的共源电感准确测量，同时可以将功率回路和驱动回路之间的耦合效应考虑在内，对功率器件的共源电感进行测量。
一种用于测试功率器件电感电路方法

[实用新型]一种适用于人工挖孔桩的施工提升架-CN202222924541.6有效
发明人： 陈桥梁;徐鑫;邓镜辉;李刚;邓萍;额木格;王康;王栋;张潇博;宋裕 -专利权人：中交广州航道局有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： E02D15/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种适用于人工挖孔桩的施工提升架，包括对称设置的两个支撑框，支撑框的顶部设置有连接梁，相对的两个连接梁上支承有多个承重梁，位于中间的两个承重梁上设有第一起吊单元，第一起吊单元包括两个手拉葫芦，四个手拉葫芦配合将钢筋孔吊装至孔口内，多个承重梁的下部通过悬臂梁连接，悬臂梁上滑设有第二起吊单元。本实用新型取材方便，结构简洁，自重轻，受力明确，能在施工现场快速组装，大幅提高了人孔挖孔的施工效率。
一种适用于人工挖孔桩施工提升

[实用新型]一种适用于隧道逃生管内人员转移的装置-CN202223207635.8有效
发明人： 陈桥梁;赵其达拉图;徐鑫;邓镜辉;邓萍;额木格;王平洲;王栋;苏庆坤;刘栋超;魏永平;宋裕 -专利权人：中交广州航道局有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： E21F11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种适用于隧道逃生管内人员转移的装置，包括小车，小车的底部设有多个行走轮，行走轮滑设在逃生管道的内侧壁，小车的截面为圆弧形，小车的两侧分别可拆卸的设有用于固定人员的绑带，小车包括相对设置的第一承托板和第二承托板，第一承托板和第二承托板结构相同，第一承托板和第二承托板通过铰接座连接。本实用新型设计巧妙，能大幅提高隧道坍塌时，被困人员自救和施救的效率，且整体移动便捷，操作方便，对人员的生命安全起到了良好的保障。
一种适用于隧道逃生人员转移装置

[实用新型]一种半导体分立器件动态特性测试机柜-CN202222376581.1有效
发明人： 陈桥梁;王舶男;崔金茜 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体分立器件动态特性测试机柜，包括接地处理的柜体，柜体的前部无门，两侧及后部分别设置有侧门及后门，侧门及后门独立开合，柜体一侧设置有总空开，柜体顶部设置有报警灯，柜体前部设置有多个安装槽位，柜体前部还设置有显示器，显示器与柜体通过摇臂连接，所述安装槽位下端设置有出线孔；柜体前部还设置有急停开关、存储位、托盘；所述柜体内部设置有多个排插。本实用新型组装灵活，外形美观、结构坚固，将不同的测试仪器集中在一起，便于在同一位置检测不同的产品或不同项目，同时保证测试工作的安全性。
一种半导体分立器件动态特性测试机柜

[实用新型]一种截污干管吊取设备-CN202223172116.2有效
发明人： 陈桥梁;赵其达拉图;杨二武;王守佳;杨浩琼;丁振亚;魏永平;胡械;任存金 -专利权人：中交广州航道局有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B66C1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种截污干管吊取设备，包括提升机构和抓取机构，所述抓取机构安装在提升机构的提升执行端且位于提升机构的下方，所述提升机构能够在电驱动下使抓取机构竖向上升或下降，所述抓取机构具有两个抓取端，每个抓取端具有固定钩，所述固定钩通过竖向弹簧与抓取机构的抓取端弹性伸缩连接，未抓取管道时，竖向弹簧不发生弹性形变，抓取管道时，竖向弹簧发生弹性拉伸形变；该设备适用于不同尺寸的截污干管，在保证其工作效率的同时提高设备适应性；减低在抓取过程中出现滑落的可能性，提高了安全性。
一种截污干管吊取设备

[发明专利]一种具有高k介质的屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法-CN202211693751.7在审
发明人：麻泽众;杨乐;李铁生;陈桥梁 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高k介质的屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，包括步骤：在衬底上方生长外延层；形成由依次叠加的第一氧化层、氮化硅介质层和第二氧化层组成的硬掩模结构；通过光刻形成沟槽；在沟槽内部淀积形成侧壁氧化层；淀积并回刻形成源极多晶硅；湿法刻蚀侧壁氧化层至目标深度；淀积高k介质层填充沟槽并回刻至目标深度；淀积产生氧化层回填沟槽；去除氮化硅上方的氧化层，湿法刻蚀氧化层形成隔离氧化层；采用热氧化工艺形成栅极氧化层；形成栅极多晶硅。本发明可利用高k介质来增强源极多晶硅与漂移区的电荷耦合效果，使漂移区纵向电场分布更加均匀，进一步提高器件的击穿电压以及实现更优的比导通电阻和栅漏电荷。
一种具有介质屏蔽沟槽 mosfet 制造方法

[发明专利]一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法-CN202211693735.8在审
发明人：麻泽众;杨乐;李铁生;陈桥梁 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法，所述屏蔽栅沟槽MOSFET结构包括沟槽内部的栅极多晶硅和源极多晶硅，栅极多晶硅与源极多晶硅被中间氧化层相隔离，源极多晶硅和沟槽侧壁之间的绝缘介质膜由氧化层、氮化硅和氧化层组成，源极多晶硅和沟槽底部之间的绝缘介质膜由氧化层组成；在漏极承受反向偏置时，源极多晶硅对漂移区进行横向耗尽，从沟槽的顶部到底部方向上，氮化硅夹层会使漂移区的电场分布更加均匀。本发明所述屏蔽栅沟槽MOSFET结构能提高器件的击穿电压，降低器件的比导通电阻，进一步提高屏蔽栅沟槽MOSFET的应用范围。
一种屏蔽沟槽 mosfet 结构及其制造方法

[发明专利]一种具有高k介质的屏蔽栅沟槽型MOSFET结构-CN202211692949.3在审
发明人：麻泽众;杨乐;李铁生;陈桥梁 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高k介质的屏蔽栅沟槽型MOSFET结构，隶属于屏蔽栅沟槽型MOSFET。本发明包括重掺杂N型衬底、衬底上方的N型外延层、P型阱区、重掺杂N型源区以及重掺杂P型接触区，结构内部设有伸入到N型外延层的深沟槽，深沟槽两侧拥有侧壁氧化层介质和高k介质，沟槽内部的源极多晶硅通过中间氧化层与栅极多晶硅相隔离。高k介质的存在可以有效提高漂移区中部的电场强度，与传统SGT MOSFET相比，可以在保证击穿电压相等的情况下增加外延层的掺杂浓度，使导通电阻进一步降低。另外高k介质可以增强源极多晶硅与漏极的电荷耦合效应，使栅漏电容和栅电荷都有一定程度的降低，有效提高了器件性能。
一种具有介质屏蔽沟槽 mosfet 结构

[实用新型]一种高效市政道路标线划线装置-CN202222697790.6有效
发明人： 陈桥梁;徐鑫;杨二武;邓镜辉;曹木凌;杜凯凯;毛晓飞;陈涛 -专利权人：中交广州航道局有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： E01C23/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了的一种高效市政道路标线划线装置，包括支撑板，所述支撑板的表面开设有滑槽，支撑板的上表面滑动连接有多个移动板，多个移动板的表面均开设有通孔，移动板的上表面安装有两个电动推杆，两个电动推杆的顶端设有连接组件。本实用新型通过电动推杆可便于调节漏斗瓶与地面之间的距离，从而可调节定位尖端推动堵塞板滑动到漏斗瓶内部的距离，可便于对划线液体的流速进行调节，通过固定组件可便于对调节漏斗瓶与漏斗瓶之间间距后，对调节好位置的移动板和漏斗瓶进行固定，通过多个漏斗瓶滑动在支撑板的表面，从而可便于同时对道路表面滑出多条指示线，提高划线效率。
一种高效市政道路标线划线装置

[发明专利]一种基于开关矩阵电池均衡拓扑的电池模型参数和荷电状态联合估计算法-CN202211295341.7在审
发明人：王舶男;崔金茜;王力;王晶晶;陈桥梁 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01R31/367 文献下载
摘要：本发明属于电池管理系统技术领域，具体涉及一种基于开关矩阵电池均衡拓扑的电池模型参数和荷电状态联合估计算法。该算法包括以下步骤：步骤1.建立电池的二阶分数阶模型作为荷电状态估计以及均衡的模型；步骤2.采用多尺度分数阶双无迹卡尔曼滤波法实现电池参数和荷电状态的联合估计；步骤3.根据步骤2中得到的电池模型参数以及电池荷电状态估计，基于开关矩阵均衡拓扑完成电池的均衡过程。基于开关矩阵均衡拓扑完成电池的均衡过程，增加了电池寿命，基于电池分数阶模型并采用多尺度分数阶双无迹卡尔曼滤波法，为BMS系统均衡、报警等功能提供可靠依据，确保了保证锂离子电池在应用过程中的可靠性和稳定性。
一种基于开关矩阵电池均衡拓扑模型参数状态联合估计算法

[发明专利]一种降低GaN HEMT器件温度的结构-CN202211187070.3在审
发明人：赵宏美;张园园;肖晓军;陈桥梁;李铁生 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明为一种降低GaN HEMT器件温度的结构，其克服了现有技术中存在的GaNHEMT器件温度过高降低了器件的可靠性的问题。本发明能降低常规型GaN HEMT器件内部温度，进一步提高器件的可靠性。本发明其结构具有GaN梯形微阱和AlGaN矩形微阱，主要用于降低器件温度，器件结构从底部到顶部依次为：衬底、GaN梯形微阱、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、AlGaN矩形微阱、钝化层、源极、栅极、漏极，其中栅极与AlGaN势垒层构成肖特基接触，源极和漏极与GaN缓冲层构成欧姆接触。GaN梯形微阱能增加缓冲层和衬底界面的热扩散面积，具有减小界面热阻的作用，AlGaN矩形微阱具有调制沟道温度分布的作用。
一种降低 gan hemt 器件温度结构

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 72 条