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[发明专利]基于嵌入模型的产品信息推荐方法、装置、设备和介质-CN202310907148.2在审
发明人：吴正良;陈辉华;苑博文;刘殿兴;陈昭铭;徐崚峰;钱岳;罗安扬;岳丰;方兴 -专利权人：中信证券股份有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06Q30/0601 文献下载
摘要：本公开的实施例公开了基于嵌入模型的产品信息推荐方法、装置、设备和介质。该方法的一具体实施方式包括：根据浏览行为信息序列组，构建有向节点对集；根据有向节点对集，构建有向同构子图组；对有向同构子图组中的每个有向同构子图进行权重变换处理，以生成变换有向同构子图，得到变换有向同构子图组；对变换有向同构子图组中的每个变换有向同构子图进行随机游走处理，以生成产品节点序列，得到产品节点序列组；根据产品节点序列组，对初始节点嵌入模型进行训练，得到训练后的节点嵌入模型；根据节点嵌入模型和产品特征信息集，向每个用户的用户端推送相关联的相似产品信息。该实施方式避免了推送资源的浪费，避免了用户浏览时间的浪费。
基于嵌入模型产品信息推荐方法装置设备介质

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111569929.2在审
发明人：黎子兰;张树昕;陈昭铭 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括具有特殊设计的栅极结构。栅极结构包括层叠设置的高阻氮化物外延层和p‑帽层以及设置于第一势垒层远离沟道层的表面的第一栅绝缘层。p‑帽层在层叠结构层叠方向的投影长度大于高阻氮化物外延层在层叠结构的投影长度。第一栅绝缘层的厚度小于高阻氮化物外延层的厚度。高阻氮化物外延层的设置可以提高p‑帽层的结晶质量。高阻氮化物外延层的设置可以防止Mg扩散而使沟道退化。高阻氮化物外延层的设置可以有效地减小栅电极的泄漏电流。本申请通过设置特殊的栅极结构减少了栅极漏电，使得器件具有较大的栅极电压工作范围，大大地提高了器件的可靠性。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]人造羽毛球的制造方法及模具-CN202210987450.9在审
发明人：陈庶荣;陈昭铭;王子玮;王馨侦;侯懿凌 -专利权人：胜利体育事业股份有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：本发明揭露一种人造羽毛球的制造方法及模具，用以将一羽毛球半成品制成一人造羽毛球。模具包括一公模以及一母模。公模包括一圆锥台及多个第一环形凹槽。羽毛球半成品置于圆锥台的一外侧。第一环形凹槽间隔地设置于圆锥台的外侧。母模包括一锥形槽、多个第二环形凹槽及一注料流道。第二环形凹槽间隔地设置于锥形槽的一内表面。当羽毛球半成品连同公模置入母模，各该些第一环形凹槽对应至各该些第二环形凹槽，以形成多个成型槽。注料流道与该些第二环形凹槽连通，且该些成型槽通过该些第二环形凹槽与注料流道连通。通过公模与母模的结构制成人造羽毛球的连接件，以解决习知人造羽毛球的连接件的制造流程繁复的问题。
人造羽毛球制造方法模具

[发明专利]碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管-CN202110644991.7有效
发明人： 陈昭铭;张安平;刘鸣然;袁朝城;殷鸿杰;罗惠馨 -专利权人：松山湖材料实验室;东莞理工学院
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管。包括衬底、多个间隔设置的栅极沟槽。多个间隔设置的栅极沟槽形成于衬底的一侧。每个栅极沟槽内设置第一栅极和第二栅极。第一栅极和第二栅极沿衬底延伸的方向排布。第一栅极为第一导电类型。第二栅极为第二导电类型。每个栅极沟槽的内壁形成栅极氧化层。栅极氧化层位于栅极沟槽的内壁和第一栅极和第二栅极之间。第一栅极和第二栅极形成PN结后，第二栅极会被第一栅极完全耗尽，形成空间电荷区。空间电荷区可以承受电压，相当于增加了栅极氧化层的厚度。栅极氧化层的厚度增加所以减少了栅极和屏蔽区之间的电容，进而减少了栅电荷，从而能够提高开关速率，降低开关损耗。
碳化硅功率半导体器件场效应晶体管

[发明专利]焊膏及其制备方法，器件及焊接方法-CN202011641880.2有效
发明人：袁朝城;张安平;陈昭铭;殷鸿杰;刘鸣然;罗惠馨 -专利权人：松山湖材料实验室;东莞理工学院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B23K35/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种焊膏，包括：铜粉、碳化钼、稀释剂、分散剂和粘结剂，所述碳化钼吸附在所述铜粉表面，所述碳化钼为纳米级，所述铜粉为纳米级和微米级中的任意一种或多种，所述铜粉的粒径大于所述碳化钼的粒径。本发明还公开了一种焊膏的制备方法。本发明还公开了一种器件，包括基板、芯片，所述基板和芯片之间通过所述的焊膏焊接。本发明还公开了一种焊接方法，包括以下步骤：将所述的焊膏施加在基板与芯片之间，进行预烧结，预烧结温度65℃～180℃，预烧结时间5s～120s；预烧结结束之后立即升温至二次烧结烧结温度进行二次烧结，所述二次烧结温度为250℃～320℃，二次烧结烧结时间为5min～30min。
及其制备方法器件焊接

[发明专利]纳米焊剂及其制备方法，器件及焊接方法-CN202011640655.7有效
发明人：袁朝城;张安平;陈昭铭;殷鸿杰;刘鸣然;罗惠馨 -专利权人：松山湖材料实验室;东莞理工学院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B23K35/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米焊剂，包括：保护剂、纳米碳化钼、纳米铜粉和溶剂，所述保护剂包裹在所述纳米铜粉的表面形成保护剂层，所述纳米碳化钼镶嵌在所述纳米铜粉的保护剂层上，所述保护剂用于保护所述纳米铜粉不被氧化。本发明还公开了一种纳米焊剂的制备方法。本发明还公开了一种器件，包括基板、芯片，所述基板和芯片之间通过所述的纳米焊剂和粘结剂的混合物进行焊接。本发明还公开了一种焊接方法，包括以下步骤：将所述的纳米焊剂和粘结剂的混合物施加在基板与芯片之间，进行预烧结，预烧结温度65℃～180℃，预烧结时间5s～120s；预烧结结束之后立即升温至二次烧结温度进行二次烧结，所述二次烧结温度为250℃～320℃，二次烧结时间为5min～30min。
纳米焊剂及其制备方法器件焊接

[发明专利]功率半导体器件及其应用-CN202210258377.1在审
发明人： 陈昭铭;夏经华;张安平 -专利权人：松山湖材料实验室;东莞理工学院
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件及其应用，功率半导体器件包括：基体，基体内设有第一金属区、源区、栅氧介质层和栅电极区，栅氧介质层包绕栅电极区，源区位于第一金属区与栅氧介质层之间且源区的侧壁分别与第一金属区和栅氧介质层接触，第一金属区、源区、栅氧介质层与栅电极区的表面与基体的一侧表面平齐，基体和源区具有同一导电类型，基体的材料的功函数小于第一金属区的材料的功函数；绝缘介质层，绝缘介质层设置在栅氧介质层、栅电极区以及源区上。上述功率半导体器件结构中，第一金属区与基体间形成了肖特基体二极管，避免了双极退化现象，还可以耗尽栅电极区的漂移区，使半导体器件成为常闭型器件，减少半导体器件的漏电流。
功率半导体器件及其应用

[发明专利]功率半导体器件及其应用-CN202210259292.5在审
发明人： 陈昭铭;夏经华;张安平 -专利权人：松山湖材料实验室;东莞理工学院
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件及其应用，其中器件包括：基体，基体具有相对的第一表面和第二表面，基体内设有接触区、源区、屏蔽区以及第一浮空区，源区与接触区的一侧表面与基体的第一表面平齐，源区与接触区的另一侧表面与屏蔽区接触，源区的侧壁与接触区的侧壁接触，源区、屏蔽区以及基体包绕接触区，第一浮空区整体较屏蔽区更靠近于基体的第二表面。上述功率半导体器件在基体内中设计了第一浮空区，可以对栅介质层起到保护作用并进一步配合直接使用漂移区作为积累型沟道，而不需要使用离子注入形成，屏蔽区和源区可以使用同一离子注入工艺形成，同时由于积累型沟道中没有经过离子注入，所以晶格缺陷少、电子迁移率高以及导通电阻减少。
功率半导体器件及其应用

[发明专利]集成体继流二极管的场效应晶体管、其制备方法及功率器件-CN202111675142.4在审
发明人： 陈昭铭;夏经华;张安平 -专利权人：松山湖材料实验室;东莞理工学院
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成体继流二极管的场效应晶体管、其制备方法及功率器件。该场效应管器件包括衬底、功能主体、栅介质、栅极和外电极，功能主体包括漂移外延区、阱区、源区、沟槽屏蔽区和第一栅极屏蔽区，功能主体中设置有槽口位于远离衬底的一侧表面的栅极沟槽和电极沟槽，第一间隔壁位于栅极沟槽与电极沟槽之间且第一间隔壁中依次设置有第一栅极屏蔽区和部分漂移外延区，位于第一间隔壁中的漂移外延区电连接电极沟槽中的外电极。该场效应管器件实现了在基本不增加器件面积的情况下在该场效应管器件内部集成体二极管，相当于减少了实际制备的芯片所需的面积。
集成体继流二极管场效应晶体管制备方法功率器件

[发明专利]场效应晶体管器件、其制备方法及功率器件-CN202111675319.0在审
发明人： 陈昭铭;夏经华;张安平 -专利权人：松山湖材料实验室;东莞理工学院
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管器件、其制备方法及功率器件。该场效应晶体管器件包括衬底、功能主体、栅介质和栅极；功能主体包括漂移外延区、沟道区、源区、第一屏蔽区和第二屏蔽区，功能主体中设置有槽口位于远离衬底的一侧表面的多个栅极沟槽，各栅极沟槽内均设置有栅极和栅介质，沟道区接触其中一个栅极沟槽中的栅介质，沟道区中具有沟道，第一屏蔽区位于沟道区与另一个栅极沟槽之间，且第一屏蔽区接触另一个栅极沟槽中的栅介质，第二屏蔽区位于栅极沟槽下，第二屏蔽区连接于第一屏蔽区。该第一屏蔽区和第二屏蔽区能够大幅降低器件的导通电阻并提高器件的击穿电压。
场效应晶体管器件制备方法功率

[发明专利]碳化硅半导体结构、器件及制备方法-CN202111185003.3在审
发明人： 陈昭铭;张安平;夏经华;殷鸿杰;袁朝城;罗惠馨 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅半导体结构、器件及制备方法，设置第二导电类型的第一屏蔽区和第二屏蔽区。所述第二屏蔽区在栅极沟槽靠近衬底的一侧且所述第二屏蔽区不与所述栅极沟槽接触。所述第一屏蔽区在接触区靠近所述衬底的一侧且与所述接触区接触。所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区改变了栅极沟槽的电场分布，从而屏蔽栅极沟槽高电场使碳化硅半导体器件获得较高的击穿电压。所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区也能避免产生过大的耗尽区而阻碍电流，从而降低了碳化硅半导体器件的导通电阻。同时，本申请所述的碳化硅半导体结构、器件及制备方法避免了所述第二屏蔽区的界面处受到传统屏蔽区离子注入重掺杂工艺的影响而降低栅极沟槽界面质量。
碳化硅半导体结构器件制备方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及制备方法-CN202111182922.5在审
发明人： 陈昭铭;殷鸿杰;罗惠馨;夏经华;张安平 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅半导体器件及制备方法，在槽栅介质层的两侧分别设置两个重掺杂第二导电类型的多晶硅沟槽区。由于碳化硅和多晶硅的能带结构，多晶硅沟槽区减少了屏蔽区的耗尽区面积。耗尽区面积的降低既能降低保护槽栅介质拐角处的电场强度，又能较少地阻碍电子流动，从而减低漂移区的电阻。而且第二导电类型的多晶硅沉积工艺较为简单，本申请采用重掺杂第二导电类型的多晶硅沟槽区避免了传统的第二导电类型碳化硅离子注入工艺带来的深度和横向扩散问题。
碳化硅半导体器件制备方法

[实用新型]一种用于电脑零配件加工的面向调整装置-CN202023292174.X有效
发明人： 陈昭铭 -专利权人：苏州宏上立智能制造有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及面向调整装置技术领域，具体为一种用于电脑零配件加工的面向调整装置，包括底座、连接板和加工件，所述底座的顶端设置有连接板，且连接板的一侧通过转轴与底座顶端的一侧活动连接有，所述连接板上设置有加工件，且连接板上设置有固定机构，所述底座的内部设置有面向调整机构，所述面向调整机构包括活动槽、螺杆、滑块、第一滑槽、调节腔、螺套、第一锥形齿轮、第二锥形齿轮和转动把手，所述底座内部的一侧开设有活动槽，且活动槽的内部设置有螺杆。本实用新型解决了现有的电脑零配件加工的面向调整装置大都使用较为麻烦和现有的电脑零配件加工的面向调整装置大都无法对对不同尺寸的电脑零配件进行固定的问题。
一种用于电脑零配件加工面向调整装置

[实用新型]一种电脑配件生产用卸料装置-CN202023299505.2有效
发明人： 陈昭铭 -专利权人：苏州宏上立智能制造有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B65G47/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及配件技术领域，具体为一种电脑配件生产用卸料装置，包括卸料装置主体，所述卸料装置主体的顶端设置有进料口，且进料口的顶端内壁上对称镶嵌有第二固定块，所述第二固定块的内侧皆通过轴承活动连接有盖板，且盖板的底端中部皆通过铰接杆连接在滑块内侧中部，所述滑块皆滑动连接在滑杆的外壁上，且滑杆的外端皆固定连接在滑槽的外端中部，所述滑槽皆开设在进料口的内壁中部。本实用新型较为安全的对配件进入卸料装置主体时进行减力防护，解决了顶端开口无防护，使得配件进行入室容易受重力与速度的条件下与装置碰撞，从而造成损伤，影响使用寿命的问题，使得装置更为安全合理。
一种电脑配件生产卸料装置

[发明专利]碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件-CN202110509862.7在审
发明人： 陈昭铭;张安平;刘鸣然;殷鸿杰;罗惠馨;袁朝城 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件，包括：衬底，为第一导电类型；漂移层，为第一导电类型，位于所述衬底的一侧；第一源极和两个栅极沟槽，位于所述漂移层远离所述衬底的表面，两个栅极沟槽分别位于所述第一源极的两侧，每个栅极沟槽靠近所述第一源极的一侧包围设置有第一屏蔽区；所述第一屏蔽区为第二导电类型，两个所述第一屏蔽区间隔设置。本发明在每个栅极沟槽靠近第一源极的一侧包围设置有第二导电类型第一屏蔽区，改变栅极氧化物的电场分布，从而屏蔽栅极氧化物高电场使碳化硅半导体器件获得较高的击穿电压。此外，集成体二极管来代替外部二极管来充当体二极管，提高器件集成度，使器件尺寸减小，成本降低。
碳化硅半导体结构半导体器件

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