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- [发明专利]发光元件-CN202310352591.8在审
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陈昭兴;林羿宏;洪千雅
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晶元光电股份有限公司
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2023-04-04
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2023-10-17
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H01L33/38
- 本发明公开一种发光元件，包含一基板；一第一半导体层以及一半导体平台位于第一半导体层上，半导体平台包含一第二半导体层，以及一活性层位于第一半导体层与第二半导体层之间；多个开口穿过半导体平台以露出第一半导体层；多个第一电极分别位于多个开口中的第一半导体层上而未覆盖半导体平台；一第二电极位于第二半导体层上而未覆盖位于多个开口中的第一半导体层；多个第一电极垫仅位于多个开口中的第一半导体层上而未覆盖半导体平台；以及一第二电极垫仅位于半导体平台上而未覆盖位于多个开口中的第一半导体层，其中多个第一电极垫的一第一表面高于第二电极垫的一第二表面，且第一表面与第二表面之间包含一阶差小于2μm。
- 发光元件
- [发明专利]发光元件-CN202211649722.0在审
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陈昭兴;洪孟祥;许启祥;郭彦良;洪千雅;陈咏扬;林昱伶;姚学呈
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晶元光电股份有限公司
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2022-12-21
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2023-07-14
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H01L33/38
- 本发明公开一种发光元件，含半导体叠层，含第一型半导体层，含第一部分及第二部分连接第一部分；半导体高台，含主动区域形成于第一部分上，第二型半导体层形成于主动区域上；第一绝缘层形成于半导体叠层上，含第一组、第二组第一绝缘层开口；反射导电结构形成于第一绝缘层上，经第一组第一绝缘层开口电连接第二型半导体层；第二绝缘层，形成于反射导电结构上，具有接触区域含覆盖部及第一组第二绝缘层开口部，覆盖部与第一组第一绝缘层开口部重叠，第一组第一、第二绝缘层开口部错置；第一焊垫，位于第二绝缘层上，经第二组第一绝缘层开口部电连接该第一型半导体层；第二焊垫，位于第二绝缘层上，经第一组第一绝缘层开口部电连接第二型半导体层。
- 发光元件
- [发明专利]发光元件-CN202210594547.3在审
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陈昭兴;林羿宏;洪国庆;许启祥
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晶元光电股份有限公司
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2022-05-27
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2022-11-29
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H01L33/38
- 本发明公开一种发光元件，包含一半导体叠层包含一第一半导体层及一第二半导体层，其中于一俯视图下，半导体叠层包含一外周部及一内侧区域，外周部露出第一半导体层，且第二半导体层设置于外周部以外的内侧区域；一绝缘层包含多个第一绝缘层外侧开口及一第二绝缘层开口；一第一电极覆盖多个第一绝缘层外侧开口，且通过多个第一绝缘层外侧开口接触第一半导体层；一第二电极覆盖第二绝缘层开口；以及一保护层覆盖绝缘层，其中绝缘层及保护层于外周部相接触的部分包含一总厚度自外周部向内侧区域渐减。
- 发光元件
- [发明专利]发光元件-CN202210008926.X在审
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林羿宏;陈昭兴;王佳琨;曾咨耀;余仁杰;陈冠吾
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晶元光电股份有限公司
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2018-01-26
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2022-05-13
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H01L33/40
- 本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部，围绕半导体结构，且露出第一半导体层的一第一表面；一透明导电层形成于第二半导体层的一表面上；一绝缘结构，包含一布拉格反射镜(DBR)结构，形成于第一半导体层的第一表面并覆盖第二半导体层的表面，包含一第一开口以及一第二开口；一第一电极，形成在环绕部上及第二半导体层上；以及一第二电极，形成在第二半导体层上；其中第一电极和第二电极分别包括包括铂(Pt)的一打线层以与焊料相接触，第一电极和第二电极相隔一距离小于50微米。
- 发光元件
- [发明专利]发光元件-CN202210049213.8在审
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陈昭兴;萧长泰;王佳琨;许启祥;陈之皓;林永翔;郭欧瑞
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晶元光电股份有限公司
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2018-07-13
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2022-05-10
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H01L33/24
- 本发明公开一种发光元件，其包含基板；缓冲层位于基板上；第一半导体层位于缓冲层上；半导体柱位于第一半导体层上，半导体柱包含第二半导体层及活性层；第一接触层位于第一半导体层上，包含第一接触部及第一延伸部环绕半导体柱；第一电极接触层接触第一接触层；第二接触层位于第二半导体层上；第二电极接触层接触第二接触层，其中在发光元件的上视图上，第二电极接触层环绕第一电极接触层的多个侧壁；第一绝缘层位于第一接触层及第二接触层上，包含第一绝缘层第一开口位于第一接触部上及第一绝缘层第二开口位于第二接触层上；第一电极覆盖第一绝缘层第一开口且电连接第一半导体层；以及第二电极覆盖第一绝缘层第二开口且电连接第二半导体层。
- 发光元件
- [发明专利]发光元件-CN202111634818.5在审
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陈昭兴;王佳琨;庄文宏;曾咨耀;吕政霖
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晶元光电股份有限公司
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2018-01-22
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2022-04-26
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H01L33/14
- 本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部位于半导体结构上及/或环绕半导体结构以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构位于半导体结构上，包含多个凸出部以覆盖第一半导体层的表面的一部分及多个凹陷部以露出第一半导体层的表面的其它部分；一第一接触部分形成于环绕部上，并通过多个凹陷部以接触第一半导体层的表面的其它部分；一第一焊垫形成在半导体结构上；以及一第二焊垫形成在半导体结构上。
- 发光元件
- [发明专利]发光元件-CN201810077979.0有效
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林羿宏;陈昭兴;王佳琨;曾咨耀;余仁杰;陈冠吾
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晶元光电股份有限公司
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2018-01-26
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2022-01-25
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H01L33/20
- 本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一通孔穿过第二半导体层和活性层以露出第一半导体层的一表面；一第一电极形成在通孔中和第二半导体层上；一第二电极形成在第二半导体层上；以及一绝缘结构覆盖第一电极、第二电极和半导体结构，并且绝缘结构包括一第一开口以露出第一电极和一第二开口以露出第二电极，其中第一电极和第二电极分别包括一金属层以与绝缘结构相接触，金属层包括一材料具有大于1500达因/厘米(dyne/cm)的表面张力值和大于0.3伏(V)的标准还原电位。
- 发光元件
- [发明专利]发光元件-CN201810058016.6有效
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陈昭兴;王佳琨;庄文宏;曾咨耀;吕政霖
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晶元光电股份有限公司
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2018-01-22
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2022-01-04
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H01L33/14
- 本发明公开一种发光元件，包含一半导体结构，其包含一第一半导体层，一第二半导体层，及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一环绕部位于半导体结构上及/或环绕半导体结构以露出第一半导体层的一表面；一第一绝缘结构位于半导体结构上，包含多个凸出部以覆盖第一半导体层的表面的一部分及多个凹陷部以露出第一半导体层的表面的其它部分；一第一接触部分形成于环绕部上，并通过多个凹陷部以接触第一半导体层的表面的其它部分；一第一焊垫形成在半导体结构上；以及一第二焊垫形成在半导体结构上。
- 发光元件
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