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[发明专利]一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法-CN202011366680.0有效
发明人：张庆猛;陈均优;周敏;杨志民;杨剑 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，保温2‑3h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法

[发明专利]一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法-CN202011366770.X有效
发明人：周敏;陈均优;张庆猛;杨志民;杨剑 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％‑30％，加入玛瑙球进行混合8‑12h；(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中，将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃，保温1‑8h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相，且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。
一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法

[发明专利]具有高透光率低介电损耗的锂铝硅系微晶玻璃及制备方法-CN202111519262.5在审
发明人： 陈均优;张庆猛;周敏;赵艳芸 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C03C10/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高透光率低介电损耗的锂铝硅系微晶玻璃及其制备方法。按质量百分比计，玻璃组成为：54％≤SiO2≤62％，16％≤Al2O3≤24％，3％≤Li2O≤7％，2％≤ZrO2≤3％，1.2％≤TiO2≤1.6％，0.5≤Sb2O3≤2％，0.5≤ZnO≤2％，1％≤Na2O≤4％，1％≤CaO≤4％，1％≤MgO≤5％，1％≤K2O≤4％，0.5％≤MgF2≤1.5％。其制备方法包括以下步骤：(1)按照所设计的玻璃组成准确称量各种原料，将原料充分混合均匀后放入铂金坩埚中在1520℃熔制3h，浇注成块后在550℃退火处理30min，然后随炉冷却至室温；(2)将所得玻璃在580～610℃进行核化处理，核化时间为4h，然后在670～700℃进行晶化处理，晶化时间为1h；结晶处理后的样品随炉冷却至室温。本发明制备的锂铝硅系微晶玻璃具备高透光率、低介电损耗和良好的力学性能。
具有透光率低介电损耗锂铝硅系微晶玻璃制备方法

[发明专利]一种有效检测四硼化硅及六硼化硅纯度的方法-CN202110483063.7有效
发明人：李明伟;张文治;董国华;钟业盛;张庆猛;杨志民;陈均优;孙宇雷;史丽萍;赫晓东;何飞 -专利权人：哈尔滨工业大学;齐齐哈尔大学;有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：一种有效检测四硼化硅及六硼化硅纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测B4Si及B6Si纯度的方法。本发明将试样去除水分后，采用不同浓度的氢氟酸处理后，再与KOH反应，砂芯漏斗抽滤，清洗后，进行计算。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出B4Si及B6Si物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于B4Si及B6Si材料领域。
一种有效检测四硼化硅六硼化硅纯度方法

[发明专利]一种有效检测TaSi2-CN202110488059.X有效
发明人：李明伟;钟业盛;董国华;张庆猛;杨剑民;陈均优;孙宇雷;史丽萍;赫晓东;张文治;何飞 -专利权人：哈尔滨工业大学;齐齐哈尔大学;有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：一种有效检测TaSi2纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测TaSi2纯度的方法。本发明的TaSi2试样经硝酸与氢氟酸处理使游离Si、SiO2、游离Ta、生成四氟化硅气体与[TaF7]2‑配离子，再加入KOH溶液中和多余的酸以及与未反应的离子反应，抽滤后测定残留物量即为TaSi2的含量。本发明所检测结果TaSi2物相的纯度基本均稳定在99％左右，所测结果数值稳定，表明本发明具有很高的检测稳定性和可靠性。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出TaSi2物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于TaSi2纯度检测领域。
一种有效检测 tasi base sub

[发明专利]一种B4-CN202110488057.0有效
发明人：李明伟;孙宇雷;董国华;张庆猛;钟业盛;杨剑民;陈均优;史丽萍;赫晓东;张文治;何飞 -专利权人：哈尔滨工业大学;齐齐哈尔大学;有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：一种B4Si及B6Si的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要解决B4Si及B6Si的提纯工艺复杂，提纯纯度不高的问题，本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺思路：即先对粉体进行氧化处理，将部分单质如B和Si转化为相应的氧化物，然后在加热条件下用浓KOH处理，将相应的杂质转化为易溶于水的物质，经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用于粉体材料提纯领域。
一种 base sub

[发明专利]一种具有核壳结构的高硅氧玻璃粉及其制备方法-CN201911375624.0有效
发明人： 陈均优;张庆猛;杨志民;杨剑 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有核壳结构的高硅氧玻璃粉及其制备方法，该高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料。该高硅氧玻璃粉具有核壳结构，以质量百分比计算，高硅氧玻璃颗粒的内核部分由3～10％B2O3和90～97％SiO2组成；外壳部分由10～20％B2O3和80～90％SiO2组成。本发明以高纯石英粉和硼酐为基础原料，经球磨、烧结、破碎、再球磨等步骤制备得到。本发明具有核壳结构的高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料，采用本发明的高硅氧玻璃制备涂层，可在高温下形成致密涂层。
一种具有结构高硅氧玻璃粉及其制备方法

[发明专利]一种中低温烧结高介电常数陶瓷介质材料及其制备方法-CN201911258099.4有效
发明人：仪凯;张庆猛;陈均优;杨志民;杨剑 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了属于电子材料制造技术领域的一种中低温烧结(烧结温度为900℃‑1200℃)高介电常数陶瓷材料及其制备方法。配方组成为：aBaO‑bMgO‑cAl2O3‑dTiO2‑eSiO2‑fNb2O5‑gSrO‑hPbO，其中的a、b、c、d、e、f、g、h表示各成分的摩尔比例，分别为：2≤a≤15，2≤b≤5，0≤c≤10，4≤d≤16，5≤e≤45，20≤f≤55，16≤g≤27，3≤h≤25。将原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的液体；将熔融液快速倒入去离子水中，得到玻璃渣；将玻璃渣球磨、烘干、过筛、造粒后，压制成型为坯体，再将坯体于900℃‑1200℃烧结，保温3小时，制得陶瓷电容器介质材料，该介质材料适用于单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。
一种低温烧结介电常数陶瓷介质材料及其制备方法

[实用新型]一种用于混合氧化硼和二氧化硅粉体的恒温搅拌设备-CN202022778809.0有效
发明人： 陈均优;周敏;仪凯;张庆猛;杨志民;杨剑 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B01F7/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了属于玻璃粉制作领域的一种用于混合氧化硼和二氧化硅粉体的恒温搅拌设备；其中恒温控制箱顶部安装有热源平台和温度计安装架，热源平台上方安装有水浴池，烧杯放置于水浴池中，烧杯和水浴池围成一个圆环形的水容纳空间，竖直安装于温度计安装架上的温度监测计伸入水容纳空间中；热源平台与安装于恒温控制箱上的温度调节控制器相连；恒温控制箱的一侧放置有电机底座，电机底座上方固接有连接杆，连接杆的中部安装有用于夹持烧杯的夹具。本实用新型对原料进行混料时，既可以保证浆料在混合过程中均匀受热，又可以对烧杯内粉体进行充分混合，避免密度较大的粉体沉淀至底层造成混料不均。
一种用于混合氧化二氧化硅恒温搅拌设备

[发明专利]一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法-CN201711389364.3有效
发明人：张庆猛;陈均优;唐群;杨志民;杨剑;毛昌辉;杜军 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xBaO‑ySrO‑zPbO‑wTiO2‑vSiO2‑tNb2O5，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：2.5≤x≤14，14≤y≤20，0≤z≤10，4≤w≤12，16≤v≤22，10≤t≤30。其制备方法是：将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1450℃的高温下保温3个小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作高压电容器介质。
一种具有介电常数低介电损耗玻璃陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种TaSi2-CN202110488058.5在审
发明人：李明伟;董国华;张庆猛;钟业盛;杨剑民;陈均优;孙宇雷;史丽萍;赫晓东;张文治;何飞 -专利权人：哈尔滨工业大学;齐齐哈尔大学;有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：一种TaSi2粉体的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要提供一种经济与易于实施且提纯效果佳的TaSi2粉体的提纯方法。本发明方法：取TaSi2原粉体，加入浓度为1～5mol/L的KOH溶液，在室温～90℃水浴锅中搅拌反应2～10h，然后用砂芯漏斗抽滤，超纯水洗至中性，真空干燥后，得提纯后的TaSi2粉体；其中，TaSi2原粉体和KOH溶液的质量体积比为1g：(10～50)mL。本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺：经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用TaSi2粉体领域。
一种 tasi base sub

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