“陈喜明”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果75个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]碳化硅MOSFET芯片-CN201911367261.6有效
发明人：王亚飞;陈喜明;刘锐鸣;赵艳黎;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅MOSFET芯片。该碳化硅MOSFET芯片包括设置于漂移层上的有源区、终端区和过渡区；所述有源区包括若干元胞结构，所述元胞结构包括与所述源区并排设置于所述第一阱区表面内且与所述源区远离所述元胞结构中心的一端接触的第二导电类型第一增强区以及位于所述元胞结构两侧的所述漂移层上方且与所述漂移层形成肖特基接触的第一肖特基金属层；所述过渡区包括所述第二增强区上方设置有与所述第二增强区形成欧姆接触的第二源极金属层，所述漂移层表面上设置有与所述漂移层的未被所述第二增强区覆盖的区域形成肖特基接触的第二肖特基金属层。通过同时在碳化硅MOSFET芯片的有源区和过渡区集成SBD，改善碳化硅芯片的双极退化效应，提高芯片的可靠性。
碳化硅 mosfet 芯片

[发明专利]碳化硅功率半导体器件测试方法-CN202111537539.7有效
发明人：张文杰;李乐乐;宋瓘;刘启军;陈喜明;王亚飞;周才能;李诚瞻 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅功率半导体器件测试方法，该方法包括获得栅极筛选参考电压；测试获得各待测碳化硅功率半导体器件的第一额定阈值电压；测试各待测碳化硅功率半导体器件的待测器件栅极电压；当待测器件栅极电压大于或等于栅极筛选参考电压，判定初步合格；测试获得初步合格的各待测碳化硅功率半导体器件的第二额定阈值电压；当第一额定阈值电压与第二额定阈值电压的差异幅度大于预设变化率阈值时，判定不合格，反之，判定待测碳化硅功率半导体器件的合格。分别通过栅极漏电测试、阈值电压测试，并进行栅极电压对比和阈值电压对比分别进行筛选，能够有效筛选出在栅极漏电流测试中受损的芯片，确保筛选效率，并且提高了筛选精度。
碳化硅功率半导体器件测试方法

[发明专利]沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件-CN202010838550.6有效
发明人：刘启军;王亚飞;李诚瞻;陈喜明;赵艳黎;郑昌伟;张超;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本公开提供一种沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件，所述碳化硅器件的制备方法包括：通过湿法刻蚀工艺和化学机械平坦化在漂移层上的氧化层上于所述屏蔽区的对应位置处形成第三刻蚀窗口；其中，所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角为130°至140°；通过所述第三刻蚀窗口，采用干法刻蚀的工艺在漂移层表面内于所述屏蔽区的对应位置处形成呈等腰梯形的沟槽，所述屏蔽区的剩余部分位于所述沟槽下方；其中，所述沟槽的侧壁相对于其底部的倾角等于所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角；在沟槽的侧壁和底部形成与漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。这种方法实现了MOSFET与SBD集成后通态电流和阻断电压之间最优的折中关系。
沟槽刻蚀方法碳化硅器件制备

[发明专利]一种功率器件结终端结构、制造方法及功率器件-CN201911302916.1有效
发明人：周才能;陈喜明;王志成;魏伟;丁杰钦;罗烨辉;刘坤;龚芷玉;赵艳黎;李诚瞻 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率器件结终端结构，场限环包括第一组场限环和第二组场限环，第一组场限环和第二组场限环中，每个场限环的宽度加上靠近主结方向且与其相邻的间隔的宽度为一常数；其中，第一组场限环相邻的场限环之间的间距以及主结与其相邻的场限环之间的间距中，每两个或多个相邻的所述间距相等，且沿从主结至场限环的方向依次递增；第二组场限环相邻的场限环之间的间距以及第二组场限环与第一组场限环相邻的场限环之间的间距中，沿从主结至场限环的方向，所述间距依次递增。本申请的结终端结构避免了主结附近和结终端外边缘附近的局部电场过大导致的器件击穿现象，使功率器件耐压性能和可靠性提升。
一种功率器件终端结构制造方法

[发明专利]碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件-CN201911089381.4有效
发明人：戴小平;王亚飞;陈喜明;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及碳化硅MOSFET器件。该碳化硅MOSFET器件的元胞结构包括：位于元胞结构两侧且在所述漂移层表面内设置的第二导电类型阱区、位于所述阱区表面内的第一导电类型源区和位于元胞结构中心且与所述源区、所述阱区以及所述漂移层接触的栅结构。还包括位于所述源区上方且与所述源区形成欧姆接触的源极金属层，在元胞结构两侧，所述漂移层于其未被所述阱区覆盖的区域向下设置有侧部沟槽，所述侧部沟槽中设置有与所述侧部沟槽下方的所述漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。本公开通过在碳化硅MOSFET器件的元胞结构级别集成了SBD，改善碳化硅双极退化现象，提高芯片可靠性，并降低模块封装成本、提高模块电气特性。
碳化硅 mosfet 器件结构

[发明专利]碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件-CN202010768456.8有效
发明人：王亚飞;刘启军;马亚超;陈喜明;刘坤;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件，所述元胞结构包括：多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第二导电类型第一源区和第一导电类型第二源区；位于相邻两个所述阱区之间的第一栅极沟槽；位于所述漂移层内且位于所述第一栅极沟槽下方的第二导电类型第一屏蔽区；设置于所述第一栅极沟槽内并分别位于所述第一栅极沟槽两侧的第一栅极和第二栅极。通过在第一栅极沟槽底部设置第一屏蔽区，可大幅降低阻断状态下器件的栅极氧化层的电场应力，大幅提高器件的长期使用可靠性。且通过在栅极沟槽内设置通过层间介质层隔离的第一栅极和第二栅极，即形成分裂状的栅极，可降低栅极寄生电容。
碳化硅器件结构制备方法

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件-CN201911370082.8有效
发明人：王亚飞;陈喜明;郑昌伟;焦莎莎;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构，包括：位于衬底层上的漂移区，位于漂移区内的第二导电类型阱区和第一JFET区，位于阱区表面内的增强区，位于第一导电类型增强区、阱区以及第一JFET区上且与它们同时接触的栅极绝缘层及其之上的栅极，位于增强区上的源极金属，位于第二电类型增强区和漂移区上的肖特基金属，位于肖特基金属之间漂移区表面的第二JFET区，以及漏极金属。本发明通过在碳化硅MOSFET元胞结构内集成SBD，抑制了体二极管的开启，提高了器件可靠性，通过SBD集成于MOSFET元胞结构的第二导电类型增强区之间，增加了芯片整体功率密度，且肖特基金属与第二JFET区进行间隔设置，实现了导通电阻和漏电流较好的折中关系。
一种碳化硅 mosfet 器件结构功率半导体器件

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件-CN201911370380.7有效
发明人：王亚飞;陈喜明;张超;张文杰;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构，包括：位于第一导电类型衬底层上的第一导电类型漂移区，位于漂移区内的第二导电类型阱区和JFET区，位于阱区表面内的增强区，位于第一导电类型增强区、阱区以及JFET区上且与它们同时接触的栅极绝缘层及其之上的栅极，位于增强区上的源极金属，位于第二电类型增强区和漂移区上的肖特基金属，以及位于衬底之下的漏极金属。本发明通过在三维分裂栅结构的碳化硅MOSFET元胞结构内集成SBD，提高了MOSFET器件体二极管的开启电压，提高了器件可靠性，通过SBD集成于MOSFET元胞结构的JFET区，增加了器件整体功率密度，且肖特基金属与JFET掺杂区域进行错位间隔设置，实现了导通电阻和漏电流较好的折中关系。
一种碳化硅 mosfet 器件结构功率半导体器件

[发明专利]一种通信方法及相关装置-CN202111153192.6在审
发明人：叶济宇;吴邻江;肖淑琴;樊铭远;贺宁;陈喜明 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H04W28/22 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种通信方法及相关装置，该方法包括：当终端设备注册到网络时，该终端设备匹配配置信息和应用信息，其中，该配置信息包括具有加速需求的业务的标识，该应用信息包括该终端设备中安装的应用的标识；若该配置信息和该应用信息的交集不为空，则该终端设备在第一应用触发之前向网络设备发送第一请求，该第一请求用于请求建立第一专用数据通道，该交集对应的应用为第一应用，该第一专用数据通道用于传输该第一应用的业务数据。通过本申请的方案，在具有加速需求的业务触发之前，建立传输该业务的专用数据通道，可以满足高传输速率要求的业务数据的传输速率要求。
一种通信方法相关装置

[实用新型]一种具有支撑功能的壳结构-CN202221075180.6有效
发明人： 陈喜明 -专利权人： 陈喜明
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： F16M13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有支撑功能的壳结构，包括本体，还包括支撑组件，支撑组件包括转动连接的固定片和支撑片，固定片固设于本体上，固定片上设有开槽，开槽内设有弹性臂，弹性臂的悬空端形成有勾部，支撑片上设有与勾部配合的勾孔，开槽的相对两侧分别设有限位槽，支撑片的端部设有与限位槽配合的限位块。本具有支撑功能的壳结构具有支撑组件，能够有效地对壳结构进行支撑；支撑组件包括转动配合的固定片与支撑片，结构简单、制造成本低廉、工作稳定性好，且固定片体积小巧，在本体上占用面积少，对于壳结构的外观及手触感觉影响小，方便用户手握。
一种具有支撑功能结构

[发明专利]碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件-CN202010591568.0有效
发明人：王亚飞;陈喜明;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅MOSFET器件，所述元胞结构包括：位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中，在元胞结构两侧，于所述漂移层表面向下设置有侧部沟槽，以在所述漂移层表面于所述元胞结构中心位置形成凸台；位于所述侧部沟槽下方的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的第一导电类型源区；设置于所述漂移层内，且位于所述凸台的顶部和侧壁以及所述侧部沟槽的底部靠近所述凸台的一侧的下方的第二导电类型屏蔽区。屏蔽区的加入，可大幅降低阻断态下器件的栅极氧化层的电场应力，大幅提高长期使用的可靠性。而且屏蔽区对器件导通特性的影响很小，可实现良好的栅极氧化层的电场应力和导通电阻之间的折中关系。
碳化硅 mosfet 器件结构制备方法

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其元胞结构-CN201911089113.2有效
发明人：王亚飞;戴小平;李诚瞻;唐龙谷;陈喜明;王彦刚 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构，包括：位于第一导电类型衬底上方的第一导电类型漂移区；在第一导电类型漂移区表面设置主沟槽，并在主沟槽的底部和侧壁设置肖特基金属，在第一导电类型漂移区表面内且于主沟槽周边设置第二导电类型阱区，于阱区表面内设置源区，源区之上设置源极金属，分裂为两部分的栅极绝缘层和栅极设置在源区、阱区及第一导电类型漂移区的靠近主沟槽一侧。本发明通过在碳化硅MOSFET器件的元胞内集成SBD，有效抑制了MOSFET器件体内PIN二极管的开启，改善了双极注入效应，提高了MOSFET器件长期使用的可靠性；同时把肖特基金属和源极金属进行有效设置，使模块封装时无需额外封装SBD，降低了封装成本，减少了杂散电感。
一种碳化硅 mosfet 器件及其结构

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件-CN201911090164.7有效
发明人：戴小平;王亚飞;陈喜明;唐龙谷;李诚瞻;王彦刚 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET元胞结构及功率半导体器件，包括：第一导电类型衬底层；位于第一导电类型衬底层上方的第一导电类型漂移区；在第一导电类型漂移区上方依次设置第一导电类型阻挡层、第二导电类型阱区和第一导电类型增强源区，其中第一导电类型阻挡层浓度大于第一导电类型漂移区的浓度；在第一导电类型漂移区表面还设置有源极金属和肖特基金属，并分别形成欧姆接触和肖特基接触；本发明通过在碳化硅MOSFET元胞内集成SBD，使模块封装时无需额外封装SBD，降低了封装成本，减少了键合线的寄生电感。同时通过在MOSFET元胞中第二导电类型阱区与第一导电类型漂移区的PN结附近漂移区侧设置有高浓度的第一导电类型阻挡层，有效的抑制第二导电类型阱区载流子向第一导电类型漂移区的注入，改善了碳化硅双极退化现象，并提高了器件的可靠性。
一种碳化硅 mosfet 器件结构功率半导体器件

[外观设计]手机壳-CN202230220014.X有效
发明人： 陈喜明 -专利权人： 陈喜明
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手机壳。2.本外观设计产品的用途：用于保护手机。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
机壳

[发明专利]一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件-CN202111537622.4在审
发明人：赵艳黎;马亚超;陈喜明;王亚飞;刘启军;李诚瞻;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件，解决了碳化硅功率半导体容易沟槽底角形成电场集中，从而导致栅氧击穿失效的问题。功率半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成第一外延层；在第一外延层的上表面形成第一导电类型阱区；在第一导电类型阱区的部分区域形成第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层；在第一导电类型阱区的上表面形成第二外延层；刻蚀第二外延层、第一导电类型阱区、第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层以形成斜坡结构，斜坡结构沿第二外延层的侧壁向第二导电类型掺杂层延伸；在第二外延层的上表面形成栅氧层；在栅氧层上形成栅极和源极，在衬底远离第一外延层的一侧形成漏极。
一种功率半导体器件制作方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 75 条