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[发明专利]表面缺陷判别装置、外观检查装置以及程序-CN202080063954.0在审
发明人：原田孝仁;阿部芳久;山田正之 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供一种表面缺陷判别装置、外观检查装置以及程序。具备：图像获取单元(10)，在一边使被检查物(5)相对于配置于不同位置的照明装置(2a)、(2b)、线传感器(1)相对地移动一边逐个切换来自各照明装置的照明光照射至被检查物时，每当切换来自各照明装置的照明光，就通过线传感器接受来自被检查物的反射光并进行拍摄，从而在分别位置偏移照明光的切换量的状态下获取多个图像；对位单元(10)，将获取到的对应于各照明装置的图像进行对位；以及判别单元(10)，从通过对位单元对位的图像中，判别被检查物的表面缺陷。
表面缺陷判别装置外观检查以及程序

[发明专利]表面特性测定装置-CN201580025544.6有效
发明人：竹部洋佑;阿部芳久 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01N21/57 文献下载
摘要：本发明提供一种表面特性测定装置。能够通过一台表面特性测定装置来进行光泽测定和反射特性测定双方，并适当地设定光泽测定的被测定区域和反射特性测定的被测定区域。在光泽色度计中，光泽测定单元和测色单元被一体化。光泽测定单元利用照明光照明被照明面，接收通过被照明面对照明光进行镜面反射而生成的反射光，输出针对反射光的测定的结果。光泽测定的被测定区域的大小能够变更。测色单元利用环状照明光照明被照明面，接收通过被照明面反射环状照明光而生成的反射光，输出针对反射光的测定的结果。反射特性测定的被测定区域的大小能够变更。
表面特性测定装置

[发明专利]色度计-CN201780042899.5在审
发明人：青松大贵;饭田慎一;山口亘;寺冈良隆;阿部芳久 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G01J3/50 文献下载
摘要：本发明的色度计具备：第1以及第2照明部，在规定的平面上相对于基准线相互对称地配置；第1以及第2受光部，在所述规定的平面上相对于基准线相互对称地配置；求出测定对象的颜色信息的运算部；在测定测定对象时与测定对象对置的对置壁。对置壁具备在测定测定对象时与测定对象抵接的抵接部。该抵接部具备：隔着测定开口配置于测定开口的两侧的一对第1抵接部；一对第2抵接部，其在与连结一对第1抵接部彼此的第1抵接部接线正交的正交线上，且隔着第1抵接部接线配置于第1抵接部接线的两侧。
抵接部测定对象接线配置对置壁基准线色度计对称开口颜色信息受光部运算部照明部正交的正交线抵接对置连结

[实用新型]便携式比色装置以及便携式比色系统-CN201520266198.8有效
发明人：山野井勇太;栃本茂昭;金泽达也;阿部芳久 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： G01J3/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及便携式比色装置及便携式比色系统，解决比色计大型化的问题。该便携式比色装置具备：照明受光部，包括具有设置在外周部中的大圆部或该大圆部的附近的部分的法兰盘部和使内部空间向外部空间光学上暴露的第1窗部的积分球、光源部及传感器部；被安装部，用于以第2窗部和第1窗部光学上连通的方式安装具有该第2窗部的面罩部件；一个以上的检测部，检测被配设在面罩部件的一个以上的被检测部；加强部件，位于法兰盘部的第1窗部侧且对积分球进行加强，法兰盘部具有配设成使一个以上的检测部进入且包含向内部空间侧凹陷的凹部及从一个主面向另一主面设置的孔部中的至少一方的部分的被配设部。由此实现小型化和提高耐冲击性的技术效果。
便携式比色装置以及系统

[发明专利]化合物半导体装置用基板和使用该基板的化合物半导体装置-CN200610142163.9无效
发明人：小宫山纯;阿部芳久;铃木俊一;中西秀夫 -专利权人：东芝陶瓷株式会社
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明提供破坏电压高且能量损耗少、适合在高电子迁移率晶体管等中使用的化合物半导体装置用基板以及使用该基板的化合物半导体装置。该化合物半导体装置用基板是在晶面方位{111}、载流子浓度10¹⁶－10²¹/cm³、n型的Si单晶基板2上依次层合载流子浓度为10¹⁶－10²¹/cm³、n型的3C－SiC单晶缓冲层3；六方晶Ga_xAl_1－xN单晶缓冲层(0≤x＜1)4；载流子浓度为10¹¹－10¹⁶/cm³、n型的六方晶Ga_yAl_1－yN单晶层(0.2≤y≤1)5；载流子浓度为10¹¹－10¹⁶/cm³、n型的六方晶Ga_zAl_1－zN单晶载流子供给层(0≤z≤0.8且0.2≤y－z≤1)6，并在上述基板2的背面形成背面电极7、在上述载流子供给层6的表面形成表面电极8。
化合物半导体装置用基板使用

[发明专利]化合物半导体生长用基板、使用该基板的化合物半导体及其制造方法-CN200410081169.0无效
发明人：小宫山纯;阿部芳久;铃木俊一;中西秀夫;喜多彻 -专利权人：东芝陶瓷股份有限公司
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：化合物半导体生长用基板1在厚度为300微米的Si单晶基板2的至少一个面上形成多孔质Si单晶4。多孔质Si单晶4的气孔向外开放。多孔质Si单晶4的表面被厚度为1纳米的3C－SiC单晶层3覆盖。多孔质Si单晶4的厚度例如为10微米。
化合物半导体生长用基板使用及其制造方法