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[发明专利]用于RF应用的绝缘体上半导体衬底-CN201780026817.8有效
发明人： 阿诺德·卡斯泰;O·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在RF应用中使用的绝缘体上半导体衬底(1)，特别是一种绝缘体上硅衬底，包括位于硅支撑衬底(3)上方的半导体顶层(11)、掩埋氧化物层(9)和钝化层(7)，并且涉及一种对应的方法。本发明还涉及一种RF器件(17)。另外在钝化层(7)与硅支撑衬底(3)之间引入穿透层(5)以确保底层RF部件的足够高的电阻率，同时可以在支撑衬底(3)中保持低位错移动。
用于 rf 应用绝缘体上半导体衬底

[发明专利]用于制造绝缘体上半导体衬底的方法-CN202080021426.9在审
发明人： M·波卡特;阿诺德·卡斯泰 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，其包括以下步骤：设置供体衬底(1)，其包括限定待转移层的弱化区；设置受体衬底(2)；通过发起从界面的外围(11)的第一区域(13)开始的结合波(3)并且使该波朝向所述界面的外围(11)的与第一区域(13)相对的第二区域(14)传播，将供体衬底(1)结合至受体衬底(2)上，待转移层位于结合界面(10)的那一侧上，结合波(3)的传播速度在中心部分(12)中比在外围部分(11)中低；以及沿着弱化区分离供体衬底(1)以便将待转移层转移到受体衬底(2)上，该方法的特征在于，结合在受控条件下实现以增加结合波在结合界面(10)的外围部分(11)与中心部分(12)之间的传播速度的差。
用于制造绝缘体上半导体衬底方法

[发明专利]支撑基板及其用途-CN202010766588.7在审
发明人： 阿诺德·卡斯泰;达尼埃尔·德尔普拉;伯纳德·阿斯帕;I·拉杜 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及支撑基板及其用途，尤其涉及一种用于异质结构(200、400、400'、500')的支撑基板(210、410、510)，该异质结构(200、400、400'、500')包括覆盖层(220、420、520)，该覆盖层(220、420、520)具有第一热膨胀系数并被装配到该支撑基板(210、410、510)，该支撑基板(210、410、510)具有与第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数，其中，所述热膨胀系数中的至少一个显示出强各向异性，其中在交界面处，覆盖层(220、420、520)包括从该交界面延伸到该覆盖层(220、420、520)中的至少一个凹槽(240、340、440、540)。
支撑及其用途

[发明专利]异质结构和制造异质结构的方法-CN201680033898.X有效
发明人： 阿诺德·卡斯泰;达尼埃尔·德尔普拉;伯纳德·阿斯帕;I·拉杜 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及异质结构和制造异质结构的方法，尤其是压电结构，其包括覆盖层，尤其是压电材料层，该覆盖层的材料具有第一热膨胀系数，并被装配到支撑基板，该支撑基板具有与第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数，其中在交界面处，覆盖层包括从该交界面延伸到该覆盖层中的至少一个凹槽。
结构制造方法

[发明专利]直接键合工艺-CN201380050458.1有效
发明人： M·波卡特;阿诺德·卡斯泰;H·莱丝丽 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-09-20 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种直接键合工艺，该工艺包括以下步骤将第一晶圆(10)放置在卡盘(2)的表面上，所述表面包括凹槽(4)；在所述凹槽(4)中施加第一压力，所述第一压力小于从所述第一晶圆(10)的被暴露面观察到的第二压力；使第二晶圆(16)接触所述第一晶圆(10)的所述被暴露面，然后在保持所述第一压力和所述第二压力的同时，开始键合波在两个晶圆之间的传播。
直接工艺

[发明专利]利用金属/金属结合制造复合结构的方法-CN201380034211.0有效
发明人： I·拉杜;M·波卡特;阿诺德·卡斯泰;格维塔兹·戈丹;G·里奥 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m²的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：‑将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；‑向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。
利用金属结合制造复合结构方法

[发明专利]通过分子粘附来键合的方法-CN201380054314.3有效
发明人： M·波卡特;阿诺德·卡斯泰 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过分子粘附来键合的方法，所述方法包括以下步骤：将第一板和第二板(202、206)定位在气密的容器(210)内；将所述容器(210)设置到低于或等于400hPa的第一压力(P1)；通过引入干气(214)将所述容器中的所述压力调整为高于所述第一压力(P1)的第二压力(P2)；以及使所述第一板和所述第二板(202、206)接触；然后在将所述容器(210)保持在所述第二压力(P2)的同时，发起键合波在所述两个板(202、206)之间的传播。
通过分子粘附来键合方法

[发明专利]减小了叠加失准的直接接合方法-CN201110281229.3有效
发明人： M·波卡特;格维塔兹·戈丹;阿诺德·卡斯泰 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小了叠加失准的直接接合方法。具体来说，一种将在接合之前具有本征曲率(K1)的第一晶圆(100)直接接合至在接合之前具有本征曲率(K2)的第二晶圆(200)的方法，两个晶圆中的至少一个(100)包括至少一系列的微组件(110)。所述方法包括使两个晶圆(100、200)彼此接触以在两个晶圆之间开始传播接合波的至少一个步骤。在接触步骤期间，根据包括一系列微组件(110)的晶圆(100)的接合之前的本征曲率(K1)将旋转抛物面形式的预定接合曲率(KB)施加在两个晶圆中的一个上，另一晶圆自由地顺应于所述预定接合曲率(KB)。
减小叠加失准直接接合方法

[发明专利]键合两个衬底的方法-CN200910205744.6有效
发明人： 阿诺德·卡斯泰 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合两个衬底的方法，该方法包括对这两个衬底中的至少一个进行活化处理的步骤，以及在低真空的情况下使这两个衬底彼此接触的步骤。由于组合了这两个步骤，所以能够实施键合并获得高键合能，同时减少了键合空隙的数量。本发明特别适用于具有处理过的或至少部分处理过的器件的衬底。
两个衬底方法

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