“阿勒普·巴塔查里亚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于预防和/或治疗ERBB1阳性癌症的方法-CN201580057135.4在审
发明人：张岳生;杨璐;李耘;阿勒普·巴塔查里亚 -专利权人：健康研究公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C12N9/48 文献下载
摘要：提供了用于预防和/或治疗ErbB1阳性癌症的组合物和方法。所述组合物包括含有分离或重组或修饰的肽酶D(PEPD)蛋白质的药物制剂。所述方法包括通过具有ErbB1阳性癌症或具有发展ErbB1阳性癌症的风险的个体施用PEPD来预防和/或治疗ErbB1阳性癌症。
用于预防治疗 erbb1 阳性癌症方法

[发明专利]存储器单元、电子系统、形成存储器单元的方法及对存储器单元进行编程的方法-CN200880111060.3有效
发明人：奎·S·民;雷特·T·布鲁尔;泰贾斯·克尔什纳莫翰;托马斯·M·格雷廷格;D·V·尼马尔·拉马斯瓦米;罗纳德·A·韦默;阿勒普·巴塔查里亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-09-23 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一些实施例包括具有彼此以电介质材料隔开的垂直堆叠式电荷捕获区的存储器单元。所述电介质材料可包含高k材料。所述电荷捕获区中的一者或一者以上可包含金属材料。所述金属材料可作为例如纳米点的多个离散隔离岛状物而存在。一些实施例包括形成存储器单元的方法，其中两个电荷捕获区形成于隧穿电介质上，其中所述区相对于彼此垂直地移位，且其中最接近于所述隧穿电介质的区具有比另一区深的陷阱。一些实施例包括包含存储器单元的电子系统。一些实施例包括对具有垂直堆叠式电荷捕获区的存储器单元进行编程的方法。
存储器单元电子系统形成方法进行编程

[发明专利]具有共振隧道势垒的增强的多位非易失性存储器装置-CN200680050557.X有效
发明人： 阿勒普·巴塔查里亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种非易失性存储器单元使用共振隧道势垒(600)，所述共振隧道势垒(600)在HfSiON或LaAlO₃的两个层(610，612)之间具有非晶硅及/或非晶锗层(611)。电荷捕捉层(620)形成于所述隧道势垒上。高k电荷阻挡层形成于所述电荷捕捉层上。控制栅极(623)形成于所述电荷阻挡层上。另一实施例在隧道势垒(600)上形成包含两个氧化物层(610，612)的浮动栅极(620)，其中在所述氧化物层之间具有硅及/或锗的非晶层(611)。
具有共振隧道增强非易失性存储器装置

[发明专利]高密度“与非”非易失性存储器装置-CN200680025691.4有效
发明人： 阿勒普·巴塔查里亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明描述利用双栅极(或后侧栅极)非易失性存储器单元的非易失性存储器装置和阵列，所述双栅极非易失性存储器单元具有带设计的栅极堆叠，所述带设计的栅极堆叠被放置在“与非”存储器阵列结构中的前侧或后侧电荷俘获栅极堆叠配置中的沟道区域上方或下方。具有本发明实施例的浮动节点存储器单元的不对称或直接隧道势垒的带隙设计的栅极堆叠允许用电子和空穴进行低电压隧穿编程和有效擦除，同时维持高电荷阻挡势垒和深载流子俘获部位，以获得良好的电荷保持力。所述存储器单元结构还允许通过利用减少的特征字线和垂直选择栅极来改进高密度存储器装置或阵列。
高密度非易失性存储器装置

[发明专利]新颖的低功率非易失性存储器和栅极堆叠-CN200680026053.4有效
发明人： 阿勒普·巴塔查里亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-05-17 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明描述非易失性存储器装置和阵列，其便于在NOR或NAND存储器结构中的逆向和正常模式的浮动节点存储器单元中使用可实现直接隧道编程和擦除的具有非对称隧道势垒的带隙设计的栅极堆叠，同时维持较高的电荷阻挡势垒和较深的载流子捕获点以实现良好的电荷保持。所述低电压直接隧穿编程和擦除能力减少了高能量载流子对所述栅极堆叠和晶格的损害，从而减少写入疲劳并增加装置使用期限。所述低电压直接隧道编程和擦除能力还通过低电压设计和进一步的装置特征缩放来实现尺寸减小。本发明的存储器单元还可实现多位存储。这些特征使得本发明的存储器装置实施例可在通用存储器的定义范围内操作，从而能够取代系统中的DRAM和ROM两者。
新颖功率非易失性存储器栅极堆叠

[发明专利]可缩放集成逻辑和非易失性存储器-CN200580039701.5有效
发明人： 阿勒普·巴塔查里亚 -专利权人：麦克隆科技公司
申请日： 2005-11-01 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种可缩放逻辑晶体管具有一对用于漏极和源极的掺杂区域。栅极绝缘体层形成在衬底上方并位于所述漏极与源极区域之间。栅极堆叠由两个金属氮化物层之间的例如多晶硅或金属的栅极层形成。可通过在隧道绝缘体与所述栅极堆叠之间添加具有内嵌的金属纳米点层的高K介电常数膜而由此基本结构形成兼容的非易失性存储器晶体管。
缩放集成逻辑非易失性存储器