“阿久津良宏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]图像传感器的形成方法-CN201910721462.5有效
发明人： 阿久津良宏 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区；在所述隔离区内形成沟槽，所述沟槽内具有隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述衬底第二面表面；在所述隔离结构表面以及所述衬底第二面表面形成栅格材料层，位于所述隔离区表面和隔离结构表面的部分栅格材料层内具有第一凹槽；在所述第一凹槽内形成掩膜结构；以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述栅格材料层，在所述隔离区第二面表面形成栅格结构。所述图像传感器的性能得到提升。
图像传感器形成方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201610643505.9有效
发明人： 阿久津良宏 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备衬底、积层体、多个柱状部、配线部、及第一配线。所述多个柱状部在设定沿与第一方向及第二方向交叉的第三方向延伸的假想性的第一直线时被分为：第一组，包含中心轴沿所述第三方向而交替配置在所述第一直线的两侧的n个(n为3以上且32以下的整数)的柱状部；及第二组，包含形成使所述第一组相对于所述第一直线反转的位置关系的n个柱状部；且所述第一组及所述第二组交替排列。
半导体存储装置

[发明专利]隔离结构及其形成方法、图像传感器及其形成方法-CN201910723839.0在审
发明人： 阿久津良宏 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器的隔离结构及其形成方法、图像传感器及其形成方法。所述隔离结构的形成方法包括：提供基底，所述基底中设置有多个分立的像素区域；在所述基底中形成多个分立的第一沟槽，所述第一沟槽位于相邻的像素区域之间，且所述第一沟槽的开口位于所述基底的第一表面；形成多个分立的第一隔离结构，所述第一隔离结构位于所述第一沟槽内，且所述第一隔离结构未填充满所述第一沟槽；以及形成多个分立的第二隔离结构，所述第二隔离结构位于所述第一隔离结构的表面，且所述第二隔离结构的一部分位于所述第一沟槽内。所述隔离结构及其形成方法、所述图像传感器及其形成方法能够降低像素区域之间的光线串扰。
隔离结构图像传感器分立基底像素区域第一表面串扰开口

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910726407.5在审
发明人： 阿久津良宏 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成初始光电掺杂区；在初始光电掺杂区内形成相互分立的初始隔离区，所述初始隔离区内掺杂有第一离子和第二离子，第一离子的导电类型和初始光电掺杂区的导电类型相反，第二离子的导电类型和和初始光电掺杂区的导电类型相同，且第二离子的扩散速率大于第一离子的扩散速率；进行热处理，使初始隔离区内的第一离子和第二离子扩散，在初始光电掺杂区内形成主光电掺杂区、相互分立的隔离区以及相互分立的附加光电掺杂区，所述附加光电掺杂区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相同，所述隔离区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相反。所述方法形成的图像传感器的性能较好。
导电类型掺杂区离子图像传感器隔离区分立掺杂衬底半导体隔离热处理扩散离子扩散

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201610643577.3在审
发明人：滨中启伸;阿久津良宏 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备衬底、积层体、柱状部、及存储器膜。所述积层体设置在所述衬底上，且包含在与所述衬底的主面交叉的第1方向上相互隔开排列的多个导电层。所述柱状部包含在所述积层体内沿第1方向延伸的第1部分及设置在所述衬底内的第2部分。所述存储器膜设置在所述积层体与所述柱状部之间。所述第1部分在与所述第1方向交叉的第2方向上具有与所述多个导电层中的1个重叠的区域。所述区域在所述第2方向上的第1长度短于所述第2部分在所述第2方向上的第2长度。
半导体存储装置及其制造方法