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[发明专利]一种深孔形成方法以及三维存储器的形成方法-CN202110314877.8有效
发明人：杨事成;张莉;阙凤森;贺晓平;施生巍;李康;钟磊;陈冠桦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种深孔形成方法及三维存储器的形成方法，其中，深孔形成方法形成的堆叠层包括若干层交替排布的第一材料层和第二材料层，在交替排布的第一材料层和第二材料层中，至少有其中两层第一材料层的折射率不同，且折射率不同的第一材料层中，靠近基底的第一材料层的折射率小于远离基底的第一材料层的折射率，这使得在对堆叠成进行刻蚀以形成深孔的过程中，折射率较小的第一材料层的刻蚀速率高于折射率较大的第一材料层的刻蚀速率，弥补刻蚀过程中靠近衬底的刻蚀气体量较小的实际情况，使得刻蚀后靠近衬底的第一材料层的深孔宽度与远离衬底的第一材料层的深孔宽度趋于一致，进而优化堆栈结构深孔刻蚀后的深孔尺寸。
一种形成方法以及三维存储器

[实用新型]晶圆气相沉积设备-CN202120647917.6有效
发明人：陈冠桦;张莉;阙凤森;杨事成;贺晓平;陈广辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆气相沉积设备。晶圆气相沉积设备包括：反应室；基座，基座设置在反应室内，以用于承载晶圆；喷气结构，包括排气部，排气部设置在反应室内且位于基座的上方，以用于向晶圆喷射气体；其中，排气部具有第一子排气部和多个第二子排气部，第一子排气部和多个第二子排气部沿排气部的径向间隔设置，第一子排气部的排气量小于各第二子排气部的排气量；第一子排气部与排气部的中心轴之间具有第一预设距离A，第一预设距离A大于等于130mm且小于等于150mm；排气部的中心轴与晶圆的中心轴同轴设置。本实用新型有效地解决了现有技术中晶圆上沉积的薄膜厚度不一致而影响晶圆的加工质量的问题。
晶圆气相沉积设备

[发明专利]一种堆叠结构及其制备方法-CN202011504926.6在审
发明人：杨事成;张莉;阙凤森;贺晓平;陈冠桦;施生巍;李康;钟磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请公开了一种堆叠结构及其制备方法，其中，所述堆叠结构包括交替堆叠设置的氮化物层和氧化物层，所述氮化物层至少包括部分掺氧氮化物层，且所述掺氧氮化物层与位于所述氮化物层背离所述衬底一侧的氧化物层毗邻，如此设置的掺氧氮化物层可以在刻蚀过程中起到缓冲作用，避免了刻蚀工艺在从氧化物层刻蚀到氮化物层时，由于驱动方式突变而造成的氮化物层损毁或缺陷的问题，提升了基于所述堆叠结构制备的三维NAND存储器的电学性能。
一种堆叠结构及其制备方法

[发明专利]改善绝缘介电层缺陷及形成双镶嵌结构的方法-CN200710045014.5有效
发明人： 阙凤森;李芬芳;曹涯路;徐亮;张文锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种改善绝缘介电层缺陷的方法，包括下列步骤：提供带有缺陷的第一绝缘介电层的半导体衬底；通过去除部分厚度或全部厚度的第一绝缘介电层去除缺陷，使第一绝缘介电层的剩余厚度小于目标厚度；研磨第一绝缘介电层；沉积第二绝缘介电层，使第二绝缘介电层与研磨后的第一绝缘介电层的厚度之和达到目标厚度。本发明还提供一种形成双镶嵌结构的方法。使最终形成的绝缘介电层表面平整度好且表面缺陷少，厚度保证是目标厚度，使晶圆的成品率提高。
改善绝缘介电层缺陷形成镶嵌结构方法

[发明专利]量测晶圆薄膜厚度的装置-CN200710037152.9有效
发明人：张文锋;王培敏;马峰;阙凤森 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-02-06 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种量测晶圆薄膜厚度的装置，该装置包括光源，光学元件及分析装置，光源发出光线通过光学元件照射在晶圆上；其中，该装置还包括过滤器和一个盒子，该过滤器，光源及光学元件置于所述盒子内，过滤器用于过滤盒子内的酸气和碱气。与现有技术相比，本发明的装置额外设置了一个过滤器，还将过滤器，光源及光学元件置于一个盒子内，过滤器可以将盒子内的污染气体都过滤到盒子外部，有效避免了光学元件受到污染，防止入射光的光强由于酸气和碱气的污染而发生不能预计的变化，从而造成分析装置最终的分析结果精度下降。
量测晶圆薄膜厚度装置