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[发明专利]一种多芯片模块-CN201911000099.4有效
发明人：刘鑫;赵洋;阎述昱 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种多芯片模块，多芯片模块包括基底以及位于基底上的引线框，多芯片模块还包括装贴于引线框上的至少一个多层电路板，多层电路板包括至少三层走线层，多层电路板的顶层表贴有多个独立无源器件，至少一个多层电路板的顶层键合有集成无源器件。通过本发明的技术方案，降低了对多芯片模块进行调试的难度，减少了多芯片模块设置无源器件所使用的键合线的数量，进而降低了多芯片模块封装时所使用的塑封对键合线的影响。
一种芯片模块

[实用新型]功率放大芯片和功率放大电路-CN202021981732.0有效
发明人：刘鑫;阎述昱 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率放大芯片和功率放大电路。芯片包括第一级放大电路和至少一个第二级放大电路，第一级放大电路与第二级放大电路在芯片内部绝缘设置；第一级放大电路与第二级放大电路用于通过至少一个位于芯片外部的外部相移单元在合路点处合路，第一级放大电路包括第一放大级和第一相移单元，第二级放大电路包括第二放大级和第二相移单元，第一放大级与合路点之间相位延迟为第一相位延迟，第二放大级与合路点之间的相位延迟为第二相位延迟；第一相移单元的相移值小于第一相位延迟，和/或，第二相移单元的相移值小于第二相位延迟。本实用新型实施例提供的功率放大芯片工作条件下相移不准确时能够很方便地进行维护。
功率放大芯片电路

[实用新型]功率放大器的封装结构及电路器件-CN202021982929.6有效
发明人：刘鑫;阎述昱 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率放大器的封装结构及电路器件；所述封装结构封装有功率放大器电路的至少部分功能模块，所述功率放大器电路包括射频输入端、射频输出端和多个功能模块，所述多个功能模块包括驱动管输入匹配模块、驱动管、驱动管输出匹配模块、功分器、主级输入匹配模块、主级、至少一个峰级；所述驱动管输入匹配模块、所述驱动管、所述驱动管输出匹配模块、所述功分器、所述主级输入匹配模块、所述主级、所述峰级输入匹配模块以及所述峰级封装于所述封装结构内部；在所述封装结构中，至少两个所述功能模块沿第一方向排列，至少两个功能模块沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向相交。本实用新型实施例能够实现功率放大器的小型化。
功率放大器封装结构电路器件

[发明专利]一种集成封装电子器件结构-CN201910779583.5在审
发明人： 阎述昱;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供的一种新型集成封装电子器件结构，通过在封装部件内封装包括匹配电路模块和接地电路模块的集成无源器件区，且集成无源器件区与封装框架形成至少两路连接电路，如通过匹配电路模块和接地电路模块分别与封装框架电连接，在集成封装电子器件上实现直接接地功能设置，从而避免在印刷电路板上设置较长的偏置线、贴装较大的电容实现接地功能而导致的集成电子器件应用时占用较大面积的问题。
一种集成封装电子器件结构

[发明专利]一种射频偏置电路封装结构-CN201910313886.8在审
发明人： 阎述昱;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：一种射频偏置电路封装结构，射频偏置电路封装结构包括封装部件，封装部件内封装有功率放大器；射频偏置电路，射频偏置电路包括射频扼流部件，功率放大器电连接输出负载的端口经由射频扼流部件电连接至直流偏置电压源；封装部件覆盖射频扼流部件。通过本发明的技术方案，在实现了射频扼流部件与功率放大器连接关系，避免了射频信号影响直流偏置电压源特性的同时，避免了射频偏置电路在印刷电路板上设置较长的偏置线导致的功率放大器模块占用大面积的印刷电路板的问题，有利于减小功率放大器模块的尺寸，提高印刷电路板的集成度。
一种射频偏置电路封装结构

[实用新型]一种集成封装电子器件结构-CN201921371830.X有效
发明人： 阎述昱;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种新型集成封装电子器件结构，通过在封装部件内封装包括匹配电路模块和接地电路模块的集成无源器件区，且集成无源器件区与封装框架形成至少两路连接电路，如通过匹配电路模块和接地电路模块分别与封装框架电连接，在集成封装电子器件上实现直接接地功能设置，从而避免在印刷电路板上设置较长的偏置线、贴装较大的电容实现接地功能而导致的集成电子器件应用时占用较大面积的问题。
一种集成封装电子器件结构

[实用新型]功率放大电路和功率放大器-CN201922194016.1有效
发明人：刘鑫;阎述昱 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率放大电路和功率放大器。功率放大电路包括功放输入端、主级、至少一个峰级、第一相位延迟网络和功放输出端；功放输入端分别与主级的输入端以及至少一个峰级的输入端连接，功放输出端分别与主级的输出端以及至少一个峰级的输出端连接，存在一个峰级且该峰级的输出端与功放输出端之间设置有第一相位延迟网络；其中，第一相位延迟网络包括第一相位延迟单元、第二相位延迟单元和相移调节单元，第一相位延迟单元和第二相位延迟单元与对应的峰级相串联，相移调节单元包括并联的电感和电容，相移调节单元的第一端连接至第一相位延迟单元和第二相位延迟单元之间的连接线上。本实用新型实施例能够提高功率放大电路中相移的准确性。
功率放大电路功率放大器

[实用新型]一种射频偏置电路封装结构-CN201920531730.2有效
发明人： 阎述昱;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：一种射频偏置电路封装结构，射频偏置电路封装结构包括封装部件，封装部件内封装有功率放大器；射频偏置电路，射频偏置电路包括射频扼流部件，功率放大器电连接输出负载的端口经由射频扼流部件电连接至直流偏置电压源；封装部件覆盖射频扼流部件。通过本实用新型的技术方案，在实现了射频扼流部件与功率放大器连接关系，避免了射频信号影响直流偏置电压源特性的同时，避免了射频偏置电路在印刷电路板上设置较长的偏置线导致的功率放大器模块占用大面积的印刷电路板的问题，有利于减小功率放大器模块的尺寸，提高印刷电路板的集成度。
射频偏置电路扼流部件功率放大器印刷电路板封装部件功率放大器模块直流偏置电压源封装结构电连接本实用新型连接关系射频信号输出负载集成度偏置线减小内封占用覆盖

[实用新型]一种芯片和电路器件-CN201920543648.1有效
发明人： 阎述昱;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片和电路器件。芯片包括至少两路功能电路；封装至少两路功能电路的封装结构，封装结构上设置有芯片连接焊盘，芯片连接焊盘包括至少一个第一焊盘和至少两个第二焊盘，至少两路功能电路与至少两个第二焊盘对应电连接，至少两路功能电路在封装结构内电性绝缘，第二焊盘用于至少两路所述功能电路之间的合成。在芯片使用时，将需要合路的功能电路的合路方式设置为在芯片外部完成合路功能，避免了现有技术中合路功能在芯片内部完成而导致的合路无法调试的问题，扩大了芯片的使用范围，降低了芯片调试的成本；同时可在现有芯片设计的基础上，通过将合路的功能在芯片的外部完成，缩短芯片的研发时间，节省开发成本。
功能电路芯片两路焊盘封装结构合路芯片连接焊盘电路器件合路功能本实用新型电性绝缘合路方式芯片调试芯片设计芯片使用电连接外部研发封装调试合成开发

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