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[发明专利]预测方法和信息处理装置-CN202310220734.X在审
发明人：八重樫圭太;高良穣二;铃木贵幸;竹田谅平;藤堂飒哉;斋藤祐介;斋野高遥 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种预测方法和信息处理装置，预测等离子体蚀刻处理的处理结果。预测方法包括计算工序和预测工序。在计算工序中，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的腔室内的磁场的空间分布值与针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系。在预测工序中，基于计算出的相关关系，根据腔室内的磁场的空间分布值来预测针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。
预测方法信息处理装置

[发明专利]蚀刻装置及蚀刻方法-CN202110429107.8在审
发明人：鸟井夏实;永海幸一;益田法生;铃木贵幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种对基片进行蚀刻的装置，其包括：腔室；基片支承体，其设置在所述腔室的内部，具有电极、设置在所述电极上的静电吸盘和以包围载置在所述静电吸盘上的基片的方式配置的导电性的边缘环；高频电源，其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率；和阻抗可变的RF滤波器。所述边缘环和所述RF滤波器经由连接部直接电连接。根据本发明，能够在蚀刻中适当地控制基片的边缘区域的倾斜角度。
蚀刻装置方法

[发明专利]半导体装置和诊断测试方法-CN201580078737.8有效
发明人：前田洋一;松嶋润;铃木贵幸 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：根据本发明的半导体装置(1)包括具有扫描链的待测试电路(2)以及通过使用扫描链执行待测试电路的扫描测试的第一测试控制装置(3)和第二测试控制装置(4)。第二测试控制装置(4)执行待测试电路(2)的第二扫描测试，待测试电路(2)向第一测试控制装置(3)提供指令，以在执行第二扫描测试之后执行第一扫描测试，并且第一测试控制装置(3)响应于来自待测试电路的指令(2)执行待测试电路(2)的第一扫描测试。
半导体装置诊断测试方法

[发明专利]编码器用受光模块及编码器-CN201880035336.8在审
发明人： 铃木贵幸;辻勇治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G01D5/347 文献下载
摘要：本发明的受光模块(6)具备：支承体(11)，其具有底壁部(16)及侧壁部(17)；受光元件(12)，其以受光面(21a)朝向一侧(S)的方式配置于底壁部(16)上，且在自一侧(S)观察的情形时由侧壁部(17)包围；及光学纤维板(13)，其具有由多条光纤的一端面构成的输入面(13a)、及由多条光纤的另一端面构成的输出面(13b)，且以输出面(13b)与受光面(21a)相对的方式配置于受光元件(12)上。侧壁部(17)的一侧(S)的端面(17b)位于较受光面(21a)更靠一侧(S)的位置，且输入面(13a)位于较端面(17b)更靠一侧(S)的位置。
侧壁部受光面方式配置受光元件底壁部输出面输入面光纤纤维板受光模块支承体包围观察

[发明专利]等离子体处理装置和被处理体的输送方法-CN201910231749.X在审
发明人： 铃木贵幸;高山航;村上贵宏;深泽公博;早坂伸一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
被处理体载置台载置面等离子体处理装置等离子体处理反应生成物控制升降载置升降控制部升降机构侵入的附着隔开升降

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201910161278.X在审
发明人：高山航;近江宗行;伊深怜;五十岚大;铃木贵幸;村上贵宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
等离子体处理载置载置台等离子体反应生成物处理气体载置面周缘部等离子体处理装置致冷剂流路致冷剂加热流通

[实用新型]光收发模块-CN201820876035.5有效
发明人：郝为民;张文亮;铃木贵幸;木内浩太;韩希天 -专利权人：北京中研科信息技术有限公司;浜松光子学株式会社;韩希天
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：光收发模块(11)具备：在与第一光纤(4A)之间进行光信号(L1、L2)的收发的第一光收发部(16A)、在与第二光纤(4B)之间进行光信号(L1、L2)的收发的第二光收发部(16B)，第一光收发部(16A)具有：接收光信号(L1)的第一受光元件(13A)、在第一受光元件(13A)的受光面(13a)上与该受光面(13a)同轴地配置且发送光信号(L2)的第一发光元件(14A)，第二光收发部(16B)具有：接收光信号(L1)的第二受光元件(13B)、在第二受光元件(13B)的受光面(13a)上与该受光面(13a)同轴地配置且发送光信号(L2)的第二发光元件(14B)，第一光收发部(16A)和第二光收发部(16B)配置于共同的基座(12)上。
光收发部受光元件受光面光收发模块发光元件接收光同轴收发配置光纤发送

[发明专利]单芯光传输智能通信模块及其应用方法-CN201210558772.8有效
发明人：郝为民;郭炳庆;蔡青有;胡国祥;何军焘;戴强;稻垣优人;铃木贵幸 -专利权人：中国电力科学研究院;南京光露电子有限公司;浜松光子学株式会社
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H04B10/43 文献下载
摘要：本发明涉及一种单芯光传输智能通信模块及其应用方法,本发明采用单芯塑料光纤传输光信号，特点一，该单芯光收发器的发光元件所发送光信号谱段与受光元件所接收光信号谱段不相同，将其配对使用，即可仅用单芯光纤实现全双工通信；特点二，将该单芯光收发器与智能控制电路结合，形成全双工、半双工以及具有信号桥接功能的智能通信模块；特点三，将该单芯光传输智能通信模块应用到电能表远程自动抄表系统、家居智能插座以及城市全光网光电转换装置中。本发明将单芯光传输智能光通讯模块与多终端设备结合并组网，全面提升了多终端信息化管理可靠性、时效性，并还降低了建网和维护成本。本发明还为城市全光网构建的末端几百米提供了实用技术方案。
单芯光收发传输智能通信模块及其应用

[发明专利]单芯光收发器-CN201380061934.X在审
发明人：稻垣优人;铃木贵幸;胡国祥;郝为民 -专利权人：浜松光子学株式会社;南京光露电子有限公司;中国电力科学研究院
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种单芯光收发器(1)，其是经由单一光纤(2)收发光信号的光收发器。该单芯光收发器(1)具备发送光信号的发光元件(13)以及接受光信号的受光元件(12)。发光元件(13)是包含在受光元件(12)的受光面(12a)上并与受光面(12a)同轴配置的蓝宝石基板(13b)以及在蓝宝石基板(13b)上层叠的氮化物半导体层(13a)而构成的LED。通过在受光元件(12)的受光面(12a)上配置发光元件(13)，能够在整个受光面(12a)接受来自于光纤(2)的光信号，从而提高受光灵敏度。
单芯光收发

[发明专利]单芯光收发器-CN201310611628.0在审
发明人：稻垣优人;铃木贵幸;胡国祥;郝为民 -专利权人：浜松光子学株式会社;南京光露电子有限公司;中国电力科学研究院
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：一种单芯光收发器，在受光元件的受光面上与受光面同轴配置发光元件。在该结构中，通过受光元件与发光元件同轴配置，可以与单一光纤结合。再者，具备在发光元件工作时使受光元件的工作停止、在受光元件工作时使发光元件的工作停止的开关，由此能够抑制发光元件的发光所引起的受光元件的噪音、或者受光元件受光时的漫反射所引起的不良情况。再者，所述受光元件的正负极之间经由放电开关而连接，在所述发光元件工作时，所述放电开关设为导通，在所述受光元件工作时，所述放电开关设为关断。由此，能够在发送模式时，对起因于发光元件所产生的光而在受光元件内产生的电荷进行放电，从而抑制了误动作，并能够在切换至接收模式时迅速地转移至通常动作。
单芯光收发

[发明专利]单芯光收发器-CN201210492427.9无效
发明人：稻垣优人;铃木贵幸;胡国祥;郝为民 -专利权人：浜松光子学株式会社;南京光露电子有限公司;中国电力科学研究院
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种单芯光收发器。在单芯光收发器(1)中，在受光元件(12)的受光面(12a)上将蓝宝石基板(13b)与受光面(12a)同轴配置，在该蓝宝石基板(13b)上形成氮化物半导体层(13a)而构成成为发光元件(13)的LED。通过将受光元件(12)与发光元件(13)同轴配置，可以与单一的光纤(2)结合。另外，通过将蓝宝石基板(13b)用作发光元件(13)的基板，能够使光纤(2)的传送损失小的波长带的光信号通过蓝宝石基板(13b)而到达受光元件(12)的受光面(12a)。因此，即使在受光元件(12)的受光面(12a)上配置发光元件(13)，也能够在整个受光面(12a)接收来自于光纤(2)的光信号，能够充分地提高受光灵敏度。
单芯光收发

[发明专利]光接收电路-CN200880019339.9有效
发明人： 铃木贵幸 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H04B10/04 文献下载
摘要：在随着节点(N1)的电位降低，向比较器(COMP)的输入电压从当初的Vcc达到(1/2)×Vcc的情况下，比较器(COMP)的输出电平反转，输出电平变成LOW。在比较器(COMP)的输出电平成为LOW的情况下，放大部用开关(SW3)被连接，光接收电路(1)转移到半启动状态。在放大部(2)启动的情况下，信号检测电路(SD)判断放大部(2)的输出中是否包含传输信号，当信号检测电路(SD)显示出没有包含传输信号时，使重置用开关(SW2)连接，并对电容(C1)进行重置。
接收电路

[发明专利]编码器-CN200780037978.3有效
发明人：水野诚一郎;铃木贵幸 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-06-19 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G01D5/347 文献下载
摘要：提供即使在相对标尺的被检测光的照射位置从基准偏移的情况下，也能够高精度地检测绝对角度的编码器。在编码器(1)中，通过使被检测光通过形成有半圆形状的开口部(17)的带齿轮的转动板(8)，在标尺板(11)中，在包括排列线(L1、L2)的半圆周部分的区域上形成有被检测光照射的亮部(19)，在除了亮部(19)之外的区域上形成有未照射被检测光的暗部(20)。于是，在编码器(1)中，在相对标尺板(11)的被检测光的照射位置从基准偏移的情况下，也能够基于对应于角度检测时光强度波形(P)的半值宽度(W)的角度范围和基准角度范围的差(α°)而加减修正量，来高精度地检测测定对象物的绝对角度。
编码器

[发明专利]编码器以及编码器用受光装置-CN200680015493.X有效
发明人：水野诚一郎;寺田由孝;井上仁;铃木贵幸 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2006-10-10 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G01D5/347 文献下载
摘要：本发明提供一种编码器以及用于这种编码器的编码器用受光装置，其即使在向着刻度的被检测光的照射位置偏离基准的情况下，也能够高精度地检测绝对角度。编码器(1)中，通过使被检测光透过一直线状的光透过部(17)，能够在刻度板(11)中，在包括排列线(L1、L2)的互相隔离的一部分的区域，形成被检测光能照射到的明部(19)，在其他区域形成被检测光照射不到的暗部(20)。因此，从光透过部(17)的形状计算出的光强度峰值(P1、P2)之间的相对角度(基准相对角度)能够为唯一值。并且，在编码器(1)中，通过将角度检测时的相对角度和基准相对角度的偏移量作为修正量(α°)算出，即使在相对于刻度板(11)的被检测光的照射位置偏离基准的情况下，也能够高精度地检测绝对角度。
编码器以及编码器用装置

[发明专利]LED驱动电路-CN200580024731.9有效
发明人： 铃木贵幸;廻慎太郎;浅原敬士 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED驱动电路，其可以改善特性。第1电流增加电路(10i₄)由第1缓慢控制部(10i₄₁)和后段的第1供给电路(10i₄₃)构成，从第1比较器(10i₂)的输出切换时开始，即，当达到超过基准电位(Va)的设定温度时，使温度补偿电流(I_T1)(ΔI1)缓缓增加，抑制发光输出的下降。在此，温度补偿电流(I_T1)通过利用电容器的充电/放电功能等来缓缓使其增加，即，比LED(11)的光射入时光检测元件可应答的脉冲幅度还花更长时间来使温度补偿电流(I_T1)增加，并由此抑制脉冲幅度变形与不稳定。
led 驱动电路

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