“金载甲”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]含有五指那藤叶提取物作为有效成分的骨组织生成促进用药物组合物-CN202010078823.1在审
发明人：崔徹雄;潘相吾;薛熙珍;李圭玉;张旭镇;金熙淑;金栽龙;姜厚远;李东旭;金善晤;金载甲;朴晙莹 -专利权人：财团法人全南生物产业振兴院;永进药品工业株式会社
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： A61K36/71 文献下载
摘要：本发明涉及成骨细胞分化或软骨细胞分化促进用组合物，具体涉及含有五指那藤叶提取物的可用于抑制以及治疗骨和软骨组织损伤的用途使用的骨(组织)生成促进用组合物，利用天然原料能够以无毒性及无副作用的情况下安全使用。本发明的含有五指那藤叶提取物作为有效成分的药物组合物可使用于治疗或预防牙周炎或骨质疏松症的牙周炎或骨质疏松症治疗剂。
含有五指提取物作为有效成分组织生成进用药物组合

[发明专利]含有五指那藤叶提取物作为有效成分的骨组织生成促进用药物组合物-CN201480026859.8有效
发明人：崔徹雄;潘相吾;薛熙珍;李圭玉;张旭镇;金熙淑;金栽龙;姜厚远;李东旭;金善晤;金载甲;朴晙莹 -专利权人：财团法人全南生物产业振兴院;永进药品工业株式会社
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： A61K36/71 文献下载
摘要：本发明涉及成骨细胞分化或软骨细胞分化促进用组合物，具体涉及含有五指那藤叶提取物的可用于抑制以及治疗骨和软骨组织损伤的用途使用的骨(组织)生成促进用组合物，利用天然原料能够以无毒性及无副作用的情况下安全使用。本发明的含有五指那藤叶提取物作为有效成分的药物组合物可使用于治疗或预防牙周炎或骨质疏松症的牙周炎或骨质疏松症治疗剂。
含有五指提取物作为有效成分组织生成进用药物组合

[发明专利]含野木瓜提取物的医药组合物-CN201810231572.9在审
发明人：崔徹雄;潘相吾;薛熙珍;李圭玉;朴嘉贤;金熙淑;张旭镇;金炫;李东旭;金善晤;金载甲 -专利权人：财团法人全南生物产业振兴院;永进药品工业株式会社
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： A61K36/185 文献下载
摘要：本发明涉及一种作为有效成份含有野木瓜叶提取物的解热药。本发明是通过确认所述野木瓜叶提取物不仅没有细胞毒性还具有与现有的具有解热效果的解热药相比良好的解热效果来完成的，作为有效成份含有其的所述解热用组合物，解热效果非常良好。
解热效果野木瓜叶提取物解热药医药组合物解热细胞毒性提取物

[发明专利]有害化学物质管理系统及其控制方法-CN201410655381.7在审
发明人：金裕谦;金载甲;李洙钟;洪胤瑅 -专利权人：财团法人FITT试验研究院
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及有害化学物质管理系统及其控制方法，本发明的有害化学物质管理系统，构成为包括：管理服务器，其通过互联网或移动通信网与涉及从原料至制造最终产品的制造工序的各供给方终端和客户终端进行通信，并以连续供应链管理产品的制造工序中所加入的化学物质信息和所排出的废水信息；以及，数据库，其存储在上述管理服务器所管理的各信息并在请求检索时提供对应的信息，且本发明登记并管理产品的制造工序中所使用的原料、纱线、面料、附属物料、最终产品的化学物质信息，并向客户提供产品的整个制造工序中所使用的化学物质的全部信息，因而得到能够确认产品的稳定性和适合性之类的效果。
有害化学物质管理系统及其控制方法

[发明专利]含野木瓜提取物的医药组合物-CN201280045043.0在审
发明人：崔徹雄;潘相吾;薛熙珍;李圭玉;朴嘉贤;金熙淑;张旭镇;金炫;李东旭;金善晤;金载甲 -专利权人：财团法人全南生物产业振兴院;永进药品工业株式会社
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： A61K36/71 文献下载
摘要：本发明涉及一种作为有效成份含有野木瓜叶提取物的解热药。本发明是通过确认所述野木瓜叶提取物不仅没有细胞毒性还具有与现有的具有解热效果的解热药相比良好的解热效果来完成的，作为有效成份含有其的所述解热用组合物，解热效果非常良好。
木瓜提取物医药组合

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN97113871.0无效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1997-06-28 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明公开一种具有低阈值电压、能够防止由于有源区域杂质缺乏而导致泄漏电流的MOS半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：所定的导电型的半导体衬底；在衬底上形成的场绝缘膜；通过场绝缘膜在上述衬底内设定的有源区域；包围场绝缘膜的在衬底内形成的与衬底为同一导电型的杂质区域；在衬底上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜及场绝缘膜上形成的栅极图形。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]静态随机存取单元及其制造方法-CN97113410.3无效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1997-03-28 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有被提高的单元比的SRAM单元及其制造方法。根据本发明的一种包括分别具有LDD结构的源/漏极区的下拉元件、存取元件和上拉元件的SRAM单元，其中存取元件的源/漏极区包括N+源/漏极区、形成于N+源/漏极区下部的N-源/漏极区、P-杂质区，N-源/漏极区与P-杂质区部分重叠。所述存取元件的所述P-杂质区与所述N-源/漏极区相重叠的区域的N型杂质浓度低于所述N-源/漏极区的杂质浓度。
静态随机存取单元及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN97113870.2有效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1997-06-28 - 公布日： 2002-05-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了向形成第2P沟的衬底施加负电压时，第1P沟与第2P沟间的阈值电压差最小化的同时，也能使工序最简化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括元件分离用绝缘膜；半导体衬底；N型埋入层；P型第1沟区域；P型第2沟区域；N型第1沟区域；N型第2沟区域；分别在第2沟表面附近及第1沟表面附近设置P型第1及第2掺杂区域，第1掺杂区域的浓度比第2掺杂区域的浓度低。#!
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件互连器件及其制造方法-CN96107262.8无效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-03-29 - 公布日： 2000-09-13 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种制造半导体元件互连器件的方法，该器件连接在半导体衬底上形成的各杂质扩散区，每一杂质扩散区有不同的电导电率。该方法包括，在半导体衬底上形成第１导电类型的阱和第２导电类型的阱，在第２导电类型阱形成不相互接触的第１导电类型杂质扩散区，在第１导电类型阱形成不相互接触的第２导电类型杂质扩散区，在最终结构上面形成绝缘膜，选择地除掉绝缘膜，由此，形成露出第１和第２导电类型的杂质扩散区的接触孔，在最终结构上形成半导体层，在半导体层上面形成硅化物膜，退火最终结构，由此，把第１和第２导电类型杂质扩散区的杂质离子扩散到半导体层中。
半导体元件互连器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN95104257.2无效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-05-05 - 公布日： 2000-02-09 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，通过在没有位线的区域形成其高度与位线同高的存贮电极，能缓和单元区和外围电路区之间的台阶，以及不使用额外的存贮电极掩模，当使用存贮电极接触孔掩模通过腐蚀工艺形成存贮电极接触孔时，使在位线上的腐蚀阻挡层作为自对准腐蚀阻挡层，能建立圆筒形存贮电极。除能确保工艺简单和改善可靠性外，还能确保后序的光刻工艺的聚焦深度有足够的容差。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN95106326.X无效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-06-08 - 公布日： 2000-02-02 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括一双多晶硅栅结构，其中的Ｐ型多晶硅栅与Ｎ型多晶硅栅是通过接触点双层导电布线结构连接的，因而对高集成化有显著的贡献，以及一种改善产额的制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的接触结构及其制造方法-CN95105314.0无效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-05-22 - 公布日： 1998-07-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件的接触结构包括在接触孔塞上形成腐蚀阻挡层，该腐蚀阻挡层是由不同于上层导电布线的材料制成的，并在刻蚀上层导电布线时起腐蚀停止作用。通过形成接触孔露出半导体基片的构成下层导电布线的扩散区；在接触孔内形成由用于连接的导电层和用于孔塞的导电层构成的接触孔塞；在接触孔塞的上表面形成由不同于上层导电布线的材料制成的腐蚀阻挡层，然后完成上层导电布线的形成而形成接触结构。
半导体器件接触结构及其制造方法

[发明专利]SOI基片及其制造方法-CN96123929.8无效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-12-30 - 公布日： 1998-04-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI基片的制造方法,可使SOI基片具有平坦的表面,并能同时形成元件分隔膜和埋置绝缘层。该方法包括下列步骤在硅晶片的元件分隔区形成损耗膜,以露出所述硅晶片的有源区;向所述硅晶片内注入氧离子,形成硅晶片内的离子注入区;对硅晶片退火,于是形成埋置绝缘层,该埋置绝缘层使有源区的硅层与所述硅晶片隔离,并形成与所述硅层具有同一平面的埋置绝缘层。
soi 及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN95104250.5无效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-05-04 - 公布日： 1998-04-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件，它显著缩小了元件隔离区的面积和基底电极的面积，因而促进了高集成化，该器件包括一含有Ｎ阱、Ｐ阱及深槽元件隔膜的Ｐ型半导体基片，该深槽元件隔离膜介于Ｎ阱和Ｐ阱之间，在每个Ｎ阱和Ｐ阱内分别建立Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ，形成与Ｐ－ＭＯＳ－ＦＥＴ源电极相接触的Ｎ型基底电极被施加ＶDD电压。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN95106329.4无效
发明人： 金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-06-08 - 公布日： 1998-04-01 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：一种半导体器件包括一Ｐ型半导体基片、第一和第二Ｐ阱、介于第一和第二Ｐ阱之间的Ｎ阱、用于使各阱相互电隔离及使第一阱与Ｐ型半导体基片电隔离的深槽元件隔离膜、以及在第一Ｐ阱之下所形成的介于深槽元件隔离膜的Ｎ型隐埋区，它适合于高集成化，并改善运作速度。
半导体器件及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 18 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top