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[发明专利]湿蚀刻方法及使用其制造半导体装置的方法-CN202310024420.2在审
发明人：金台宪;金坰显;文彰燮;梁准烈;丁相勳;丁镛植;蔡昇澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。所述湿蚀刻方法包括：将包括蚀刻目标膜的结构提供到容纳具有第一磷酸浓度的第一蚀刻溶液的处理浴槽中；在处理浴槽中用第一蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第一蚀刻工艺；通过改变第一蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度不同的第二磷酸浓度的第二蚀刻溶液；在处理浴槽中用第二蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第二蚀刻工艺；通过改变第二蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度和第二磷酸浓度不同的第三磷酸浓度的第三蚀刻溶液；以及在处理浴槽中用第三蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第三蚀刻工艺。
蚀刻方法使用制造半导体装置

[发明专利]半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法-CN202010984502.8在审
发明人：丁相勋;洪祥准;沈善一;金坰显;文彰燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠在包括单元阵列区域和延伸区域的衬底上的水平电极、以及在水平电极之间的水平绝缘层。该半导体存储器件还可以包括穿透堆叠结构的垂直结构，垂直结构中的第一垂直结构在单元阵列区域上，并且垂直结构中的第二垂直结构在延伸区域上。每个垂直结构包括沟道层以及依次堆叠在沟道层的侧壁上的隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。第一垂直结构的电荷存储层包括电荷存储图案，电荷存储图案在垂直于衬底的顶表面的方向上彼此间隔开且水平绝缘层插置在其间。第二垂直结构的电荷存储层沿着水平电极的侧壁和水平绝缘层的侧壁延伸。
半导体存储器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201010611021.9有效
发明人：崔锡宪;裵起浩;洪义官;金坰显;金泰贤;南坰兑;郑峻昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及其形成方法。根据本发明的一种半导体器件包括：设置在衬底上的层间绝缘层，该层间绝缘层包括暴露衬底的开口；设置在该开口中的阻挡层图案；以及设置在阻挡层图案上的导电图案，导电图案具有从该开口伸出的氧化部分和位于该开口中的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度决定。本发明还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]处理半导体结构的方法以及使用其形成用于半导体器件的电容器的方法-CN200610093739.7无效
发明人：朴哲佑;高镛璿;尹炳文;金坰显;李光旭;柳昌吉;河成昊;宋寓锡;田溶明;朴昇栗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在处理半导体结构的方法和使用其形成半导体器件的电容器的方法中，可以使用具有小于水的表面张力的清洗溶液来清洗半导体衬底。可以在异丙醇蒸气气氛中干燥半导体结构。
处理半导体结构方法以及使用形成用于半导体器件电容器

[发明专利]用于半导体衬底上的金属层和图形的防腐蚀清洁剂-CN200510009448.0无效
发明人：李光旭;黄寅奭;高镛璿;金坰显;尹炳文;金基燮;李赫镇;金炳默;宋仙英 -专利权人：三星电子株式会社;东友FINE－CHEM.株式会社
申请日： 2005-02-16 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： C23G5/036 文献下载
摘要：一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，该清洁剂包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。该水混合物还可以包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。
用于半导体衬底金属图形腐蚀清洁剂

[发明专利]晶片清洗系统-CN03107357.3有效
发明人：吕寅准;金坰显;南廷林;尹炳文;赵显镐;河商录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-03-20 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。
晶片清洗系统

[发明专利]清洁半导体晶片的装置和方法-CN03108456.7无效
发明人：吕寅准;尹炳文;金坰显;河商录;南廷林;赵显镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-04-11 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种晶片清洁装置，包括放置在晶片侧部的能量集中消除部件。探杆的延伸部分基本上平行晶片表面并在其之上延伸。振动器附装到探杆的后端以振动探杆，以便该延伸部分将声振动能量传递到晶片并驱除杂质。
清洁半导体晶片装置方法

[发明专利]用于制造半导体器件的强声波清洗设备-CN02143435.2无效
发明人：尹炳文;河商录;金坰显;赵显镐;吕寅准;南廷林 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-09-25 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备。强声波清洗设备包括压电变换器和能量传输棒。压电变换器用于产生强声波能量。沿着晶片径向安装在晶片上的能量传输棒用于给晶片上的清洗液分配能量和用于振动清洗液。能量传输棒的形状和尺寸使得通过清洗液在晶片径向均匀分配能量，由此从晶片去掉污染物颗粒。
用于制造半导体器件声波清洗设备