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[发明专利]感测电路-CN201280030437.9有效
发明人： 金圣克;金吉苏;刘景昊;金正丕;升·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2012-07-01 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种电路包含退化p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管(102)、负载PMOS晶体管(104)以及箝位晶体管(110)，所述箝位晶体管经配置以在感测操作期间对施加到基于电阻的存储元件(112)的电压进行钳制。所述负载PMOS晶体管的栅极由与非NAND电路(106)的输出控制。
电路

[发明专利]感测电路-CN201280031067.0有效
发明人： 金圣克;金吉苏;刘景昊;升·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2012-07-01 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种电路(101)包含退化p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管(102)、负载PMOS晶体管(104)和箝位晶体管(110)，所述箝位晶体管(110)经配置以在感测操作期间对施加到基于电阻的存储器元件(112)的电压进行箝位操作。所述负载PMOS晶体管的栅极(118)由运算放大器(106)的输出(120)来控制。
电路

[发明专利]集成电路的功率分配控制的系统及方法-CN201310162856.4有效
发明人：刘·G·蔡-奥安;鲍里斯·安德烈亚夫;克里斯托夫·C·里德尔;施春蕾;金圣克;托马斯·R·汤姆斯;贾斯汀·约瑟夫·罗森·加涅 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-04-23 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路的功率分配控制的系统及方法。本发明揭示一种装置，其包含：第一引脚，用以向集成电路的第一功率域供应功率；第二引脚，用以向所述集成电路的第二功率域供应功率；切换调节器；以及控制器。所述切换调节器耦合到所述第一引脚以向所述第一功率域提供第一经调节的功率供应，且耦合到所述第二引脚以向所述第二功率域提供第二经调节的功率供应。所述控制器耦合到所述第一引脚和所述第二引脚，以在低功率事件期间选择性地减少到达至少所述第二引脚的电流流动。
集成电路功率分配控制系统方法

[发明专利]使用独立栅极鳍式场效应晶体管的稳定静态随机存取存储器位单元设计-CN201180053107.7有效
发明人： 金圣克;康明谷;朴贤国;宋森秋;穆罕默德·阿布-拉赫马;韩秉莫;格立新;王忠泽 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：使用独立栅极鳍式场效应晶体管FinFET架构的稳定SRAM单元在例如读取静态噪声容限RSNM和写入噪声容限WNM等装置参数方面提供优于常规SRAM单元的改进。示范性SRAM单元包括一对存储节点、一对位线、一对上拉装置、一对下拉装置和一对通过门装置。第一控制信号和第二控制信号经配置以调整所述通过门装置的驱动强度，且第三控制信号经配置以调整所述上拉装置的驱动强度，其中所述第一控制信号是以与位线方向正交的方式投送，且所述第二和第三控制信号是在与所述位线方向相同的方向上投送。通过在读取和写入操作期间调整所述上拉装置和通过门装置的驱动强度来改进RSNM和WNM。
使用独立栅极场效应晶体管稳定静态随机存取存储器单元设计

[发明专利]锁存电路-CN201180037531.2有效
发明人： 金圣克;刘景昊;金吉苏;金正丕;升·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种非易失性锁存器电路包含一对交叉耦合的反相器、一对基于电阻的存储器元件，以及写入电路，所述写入电路经配置以将数据写入到所述对基于电阻的存储器元件。所述对基于电阻的存储器元件在锁存操作期间与所述对交叉耦合的反相器隔离。感测电路包含第一电流路径，所述第一电流路径包含第一基于电阻的存储器元件和所述感测电路的输出。所述感测电路包含第二电流路径以减小在所述感测电路的第一操作点处穿过所述第一基于电阻的存储器元件的电流。所述感测电路还可包含n型金属氧化物半导体NMOS晶体管以将步降供应电压提供给所述第一电流路径。
电路

[发明专利]具有改进的稳定性和减小的位单元大小的低功率5T SRAM-CN201180020995.2有效
发明人： 金圣克;朴贤国;宋森秋;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;格立新;王忠泽;韩秉莫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：一种5晶体管静态随机存取存储器5T SRAM经设计以实现减小的单元大小和对工艺变化的免疫力。所述5T SRAM(400)包含用于存储数据的存储元件(402)，其中所述存储元件耦合到第一电压与接地电压。所述存储元件可包含对称大小的交叉耦合的反相器。单一存取晶体管(M5)控制所述存储元件(402)上的读取和写入操作。控制逻辑(M6、M6′)经配置以产生与针对读取操作的所述第一电压的值不同的针对写入操作的所述第一电压的所述值。
具有改进稳定性减小单元大小功率 sram

[发明专利]具有减小的电压输入/输出装置的基于电阻的存储器-CN201180006350.3有效
发明人： 金圣克;金吉苏;升·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有减小的电压I/O装置的基于电阻的存储器。在一特定实施例中，电路包括数据路径，所述数据路径包括第一电阻性存储器单元和第一负载晶体管。参考路径包括第二电阻性存储器单元和第二负载晶体管。所述第一负载晶体管和所述第二负载晶体管为适于在负载供应电压下操作的输入和输出I/O晶体管，所述负载供应电压类似于所述电路内的核心晶体管的核心供应电压。
具有减小电压输入输出装置基于电阻存储器

[发明专利]基于电阻的存储器电路的信号裕量平衡-CN200980151300.7有效
发明人： 金圣克;金吉苏;宋哲焕;升·H·康;杨赛森;迈赫迪·哈米迪·萨尼 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种基于电阻的存储器电路。所述电路包括：数据单元的第一晶体管负载；及位线，其适于检测第一逻辑状态。所述位线耦合到所述第一晶体管负载并耦合到具有磁性隧道结(MTJ)结构的数据单元。所述位线适于在所述位线具有第一电压值时检测具有逻辑一值的数据，且在所述位线具有第二电压值时检测具有逻辑零值的数据。所述电路进一步包括参考单元的第二晶体管负载。所述第二晶体管负载耦合到所述第一晶体管负载，且所述第二晶体管负载具有相关联的参考电压值。所述第一晶体管负载的例如晶体管宽度等特性可经调整以修改所述第一电压值及所述第二电压值，而大体上不改变所述参考电压值。
基于电阻存储器电路信号平衡

[发明专利]电阻式存储器电路参数调整的系统及方法-CN200980114391.7有效
发明人： 金圣克;金吉恕;宋哲焕;升·H·康;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明揭示电阻式存储器电路参数调整的系统及方法。在一特定实施例中，一种确定电阻式存储器电路的一组参数的方法包括：基于所述电阻式存储器电路的第一预定设计约束选择第一参数；以及基于所述电阻式存储器电路的第二预定设计约束选择第二参数。所述方法进一步包括执行迭代方法以通过选择性地指派且调整所述电阻式存储器电路的读出放大器部分的至少一个电路参数的物理特性以实现所要的读出放大器裕度值来调整所述至少一个电路参数，而不改变所述第一参数或所述第二参数。
电阻存储器电路参数调整系统方法

[发明专利]基于电阻的存储器电路的受控值参考信号-CN200980124863.7有效
发明人： 金圣克;金吉苏;宋哲焕;升·H·康;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示基于电阻的存储器电路的受控值参考信号的系统和方法。在特定实施例中，揭示一种电路装置，其包括第一输入，所述第一输入经配置以接收参考控制信号。所述电路装置还包括输出，所述输出响应于所述第一输入以选择性地将受控值参考电压提供到耦合到基于电阻的存储器单元的读出放大器。
基于电阻存储器电路受控参考信号

[发明专利]用于具有缩小的位单元尺寸的自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器的写入操作-CN200980123764.7有效
发明人： 金圣克;迈赫迪·哈米迪·萨尼;升·H·康;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于控制自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)中的写入操作的系统、电路及方法。通过将源极线(SL)布置成大体上与字线(WL)平行且大体上垂直于位线(BL)来实现缩小的位单元尺寸。另外，在写入操作期间的一个实施例中，将高逻辑/电压电平施加到未选位单元的位线以防止无效写入操作。
用于具有缩小单元尺寸自旋转移力矩磁阻随机存取存储器写入操作

[发明专利]测试具有易受由偏置温度不稳定性所造成的阈值电压偏移影响的场效应晶体管的存储器装置-CN200980116836.5有效
发明人：陈南;善-义·肖恩·李;金圣克;王忠泽 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G11C29/10 文献下载
摘要：将用于存储器装置的供应电压设定于第一供应电压电平。响应于设定所述供应电压在所述第一供应电压电平下将测试数据写入到所述存储器装置。响应于写入所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压减小到在所述第一供应电压电平以下的第二供应电压电平。响应于减小所述供应电压在所述第二供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据。响应于读取所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压增加到在所述第二供应电压电平以上的第三供应电压电平。响应于增加所述供应电压在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据。响应于在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据，将在所述第一供应电压电平下写入到所述存储器装置的所述测试数据与在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取的所述测试数据进行比较。
测试具有偏置温度不稳定性造成阈值电压偏移影响场效应晶体管存储器装置

[发明专利]自旋转移力矩磁阻随机存取存储器及设计方法-CN200880010834.3有效
发明人： 金圣克;迈赫迪·哈米迪·萨尼;升·H·康;尹夏升 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于针对自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的既定字线晶体管确定读取及写入电压的系统、电路及方法。可向写入操作供应第一电压，使得所述写入操作发生在所述字线晶体管的饱和区(454)中。可为读取操作供应小于所述第一电压的第二电压，使得所述读取操作发生在所述字线晶体管的线性区(452)中。
自旋转移力矩磁阻随机存取存储器设计方法

[发明专利]能容忍工艺变化的存储器设计-CN200780043837.2无效
发明人： 金圣克;杨赛森;儒辛宇 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明揭示用于设计能容忍工艺变化的存储器的方法及系统。将存储器电路划分为若干功能块。针对所述功能块中的每一者计算统计分布。随后，将每一块的所述分布进行组合以检验电路的可信性。如果所述电路满足预定的合格率，那么所述可信性通过检验。
容忍工艺变化存储器设计

[发明专利]具有可配置延迟跟踪的存储器装置-CN200780037949.7有效
发明人： 金圣克;杨赛森;韩伊 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本发明描述一种具有可配置延迟跟踪的存储器装置。所述存储器装置包括M个正规字线驱动器、虚设字线驱动器、存储器阵列、N个读出放大器和时序控制电路。所述存储器阵列包括M行和N列存储器单元以及列虚设单元。所述字线驱动器驱动用于所述行存储器单元的字线。所述虚设字线驱动器驱动用于所述列虚设单元中的至少一个虚设单元的虚设字线。所述时序控制电路产生具有可配置延迟的启用信号，可使用加速电路获得所述可配置延迟，所述加速电路提供用于耦合到所述列存储器单元的虚设位线的可变驱动。所述读出放大器基于所述启用信号检测用于所述列存储器单元的位线。
具有配置延迟跟踪存储器装置

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