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[发明专利]存储器阵列和形成集成式组合件的方法-CN201910985190.X有效
发明人： 金吴熙;J·D·霍普金斯;金昌汉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及存储器阵列和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含具有交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠的存储器阵列。所述字线层级包含具有末端的导电字线材料。电荷阻挡材料沿着所述导电字线材料的所述末端并且具有第一竖直面。所述绝缘层级具有含第二竖直面的末端。所述第二竖直面相对于所述第一竖直面侧向偏移。电荷捕集材料沿着所述第一竖直面，并且部分地沿着所述第二竖直面延伸。所述电荷捕集材料被配置成通过间隙彼此竖直间隔开的段。电荷隧穿材料沿着所述电荷捕集材料的所述段延伸。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸，并且通过所述电荷隧穿材料与所述电荷捕集材料间隔开。所述沟道材料延伸到所述间隙中。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
存储器阵列形成集成组合方法

[发明专利]包括一种原子层沉积顺序的方法-CN201880084562.5在审
发明人： J·A·斯迈思;金吴熙;S·乌伦布罗克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种实例方法包括ALD顺序，所述ALD顺序包含使处于温度T1的外衬底表面与第一前驱物接触以使单层形成到所述外衬底表面上。使所述外衬底表面及其上的所述单层的温度升高到比所述温度T1的最大值大至少200℃的温度T2。所述升温具有用不超过10秒来使所述外衬底表面及其上的所述单层比所述最大温度T1高至少200℃的升温速率。在所述温度T2下，使所述单层与第二前驱物接触，所述第二前驱物与所述单层反应以形成各自包括来自所述单层的组分及来自所述第二前驱物的组分的反应产物及新外衬底表面。由于不允许所述单层比所述最大温度T1高至少200℃达10秒以上，因此使所述新外衬底表面的温度从所述温度T2减低到比所述温度T2的最小值低至少200℃的较低温度TL。
包括一种原子沉积顺序方法

[发明专利]存储器阵列和形成存储器阵列的方法-CN201880009394.3在审
发明人： D·戴寇克;R·J·希尔;C·拉森;金吴熙;J·B·德胡特;B·D·洛;J·D·霍普金斯;陶谦;B·L·凯西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠。所述字线层级具有对应于控制栅极区的终端。电荷捕集材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区而非沿着所述绝缘层级。所述电荷捕集材料通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区间隔开。沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸且通过电介质材料与所述电荷捕集材料横向间隔开。一些实施例包含形成NAND存储器阵列的方法。
层级存储器阵列控制栅极区捕集材料电荷字线绝缘电荷阻挡材料电介质材料沟道材料横向间隔竖直堆叠交替的堆叠竖直终端延伸