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[发明专利]基板干燥装置、制造半导体器件的设备及干燥基板的方法-CN201810623331.9有效
发明人：赵庸真;金伶厚;郑志薰;金荣俊;李根泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。
干燥装置制造半导体器件设备方法

[发明专利]基板处理装置和制造集成电路器件的装置-CN201810022556.9有效
发明人： 金伶厚;朴相真;赵庸真;吉娟真;郑志薰;赵炳权;高镛璿;李根泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。
处理装置制造集成电路器件

[发明专利]用于干燥晶片的装置和用于干燥晶片的方法-CN202210732148.9在审
发明人：朴相真;郑志薰;金伶厚;李根泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于干燥晶片的装置，包括：干燥室；超临界流体供应模块，被配置为向干燥室供应超临界流体；主排放管线，连接到干燥室并且安装有主阀；以及辅助排放单元，连接到主排放管线。辅助排放单元包括：辅助排放管线，连接到主排放管线，并且被配置为当主阀关闭时将超临界流体从干燥室排放；负压罐，安装在辅助排放管线中；第一阀，安装在辅助排放管线中，该第一阀被配置为当主阀关闭时打开；以及第二阀，安装在辅助排放管线中，该第二阀被配置为与第一阀一起打开。
用于干燥晶片装置方法

[发明专利]晶片处理装置和制造半导体器件的方法-CN202111536747.5在审
发明人：朴相真;金英泰;郑志薰;金伶厚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种流体供应设备，该流体供应设备被配置为向包括腔室的晶片处理设备供应处理流体。该流体供应设备包括：储存器，被配置为将处理流体改变为超临界流体状态；晶片保护设备，被配置为通过接收处于超临界流体状态的处理流体并限制处理流体的速度来防止处于晶片处理设备的腔室中的晶片被处于超临界流体状态的处理流体损坏；以及流体供应管线，被配置为提供储存器和晶片保护设备之间的处理流体的路径以及晶片保护设备和晶片处理设备之间的处理流体的路径。
晶片处理装置制造半导体器件方法

[发明专利]基底干燥方法、显影方法、光刻方法和基底干燥系统-CN201910722297.5在审
发明人： 金伶厚;李根泽;赵庸真;高次元;朴晟见;李晓山;车知勋;崔秀瑛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：公开了基底干燥方法、光致抗蚀剂显影方法、光刻方法和基底干燥系统。可提供基底干燥方法，该基底干燥方法包括在基底上提供干燥液体、增大干燥液体的压力以产生超临界流体和去除超临界流体以干燥基底。
基底干燥方法显影光刻系统

[发明专利]干法清洗设备和干法清洗方法-CN201910515871.X在审
发明人：辛承敃;金石训;金伶厚;金仁基;金兑洪;朴晟见;李轸雨;车知勋;崔溶俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种干法清洗设备包括：腔室；基板支撑件，支撑腔室内的基板；喷头，布置在腔室的上部，以朝向基板供应干法清洗气体，喷头包括朝向基板支撑件的方向透射激光的光学窗口；等离子体发生器，被配置为从干法清洗气体产生等离子体；以及激光照射器，穿过光学窗口和等离子体在基板上照射激光，从而加热基板。
清洗设备方法

[发明专利]液体化学回收系统、供应系统和制造半导体装置的方法-CN201811300516.2在审
发明人： 金伶厚;朴晟见;卢炫佑;车知勳;崔溶俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了液体化学回收系统、液体化学供应系统和制造半导体装置的方法。液体化学回收系统包括：缓冲槽，从外部接收第一液体化学品；真空槽，具有连接至此的真空泵并使用真空泵从缓冲槽接收第一液体化学品；以及回收槽，从真空槽接收第一液体化学品并向外部提供作为回收的第一液体化学品的第二液体化学品，其中，缓冲槽包括提供第一液体化学品的第一注入部分以及将第一液体化学品提供到真空槽的第一供应部分，并且缓冲槽的底部朝向第一供应部分向下倾斜，以防止包含在第一液体化学品中的物质积累在缓冲槽中。
液体化学品缓冲槽液体化学回收系统真空槽半导体装置供应系统真空泵外部提供物质积累向下倾斜回收槽制造回收外部

[发明专利]清洁组合物、清洁装置和使用其制造半导体器件的方法-CN201910034834.7在审
发明人：朴美贤;吴政玟;金伶厚;李晓山;金兑根;延蕊林;吴海琳;郑址洙;赵旼熙 -专利权人：三星电子株式会社;细美事有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了清洁组合物、清洁装置和制造半导体器件的方法，清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。
清洁组合物半导体器件表面活性剂摩尔分数清洁装置有机溶剂去离子水制造

[发明专利]工艺腔-CN201810631977.1在审
发明人：赵庸真;金伶厚;郑志薰;金荣俊;吴政玟;李根泽;李晓山 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。
外壁隔壁工艺腔第一壳体第二壳体衬底处理装置第二侧壁第一侧壁

[发明专利]形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法-CN201010605685.4有效
发明人：康大赫;尹普彦;李根泽;沈雨宽;车知勋;朴壬洙;李晓山;金伶厚;吴政玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
形成电容器动态随机存取存储器器件方法

[发明专利]垂直型非易失性存储器件及其制造方法-CN201010299123.1有效
发明人： 金伶厚;李晓山;裵相元;尹普彦;李根泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直型非易失性存储器件及其制造方法。在该垂直型非易失性存储器件中，绝缘层图案设置在衬底上，该绝缘层图案具有线形状。单晶半导体图案设置在衬底上以接触绝缘层图案的两个侧壁，单晶半导体图案具有在关于衬底的垂直方向上延伸的柱形。隧穿氧化物层设置在单晶半导体图案上。下电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在衬底上。多个绝缘中间层图案设置在下电极层图案上，绝缘中间层图案沿单晶半导体图案彼此间隔开一距离。电荷俘获层和阻挡电介质层依次形成在绝缘中间层图案之间的隧穿氧化物层上。多个控制栅极图案设置在绝缘中间层图案之间的阻挡电介质层上。上电极层图案设置在隧穿氧化物层上以及在绝缘中间层图案的最上部上。
垂直非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]半导体装置的配线结构及形成配线结构的方法-CN200910225939.7无效
发明人： 金伶厚;洪昌基;李在东 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-11-23 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置的配线结构及形成配线结构的方法。在半导体装置的配线结构及其制造方法中，配线结构包括接触焊盘、接触插塞、间隔物和绝缘中间层图案。接触焊盘电连接到基板的接触区域。接触插塞设置在接触焊盘上并电连接到接触焊盘。间隔物面对接触焊盘的上部侧表面和接触插塞的侧壁。绝缘中间层图案具有开口、接触插塞以及设置在开口中的间隔物。配线结构的间隔物可以在形成连接到电容器的接触插塞时防止接触焊盘被清洗液损坏。
半导体装置结构形成方法

[发明专利]形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法-CN200910137129.6无效
发明人：康大赫;金伶厚;洪昌基;李根泽;李在东;严大弘;韩政男 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法。绝缘层可以形成在具有接触区的目标体上。绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区的开口。包括硅和氧的材料层可以形成在暴露的接触区上。金属层可以形成在包括硅和氧的材料层上。包括硅和氧的材料层可以与金属层反应从而至少在接触区上形成金属氧硅化物层。导电层可以形成在金属氧硅化物层以填充开口。
形成接触结构方法制造半导体器件

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