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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁存储器件-CN201811432213.6有效
发明人：李愚铉;金相局;权五益;金仁皓;朴钟撤;吴光永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括在衬底上的下部层间绝缘层、以及多个磁隧道结图案，所述多个磁隧道结图案在下部层间绝缘层上并在平行于衬底的顶表面延伸的方向上彼此隔离。下部层间绝缘层包括上表面，该上表面包括凹入表面和顶表面，凹入表面至少部分地限定相邻磁隧道结图案之间的凹陷区域的内侧壁和底表面，使得凹入表面至少部分地限定该凹陷区域。所述内侧壁相对于衬底的顶表面以锐角倾斜，并且所述底表面具有在垂直于衬底的顶表面延伸的方向上朝向衬底的顶表面凸起的形状。
磁存储器

[发明专利]半导体器件-CN201811432190.9有效
发明人： 金仁皓;李愚铉;权五益;金相局;金娟智;朴钟撤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：顺序地堆叠在衬底上的第一下绝缘夹层、保护绝缘层和第一上绝缘夹层，以及穿透第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的导电图案。导电图案包括线部分和接触部分，线部分沿与衬底的上表面平行的方向延伸，接触部分从线部分朝衬底延伸。接触部分彼此分开且其间具有绝缘图案。绝缘图案包括第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的每个的一部分。绝缘图案的至少一部分具有台阶状的轮廓。
半导体器件

[发明专利]形成互连线的方法及制造使用互连线的磁存储器件的方法-CN201610900409.8有效
发明人：徐载训;金钟圭;吴廷翼;金仁皓;朴钟撤;白光铉;梁贤宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：此处提供一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成磁性隧道结图案；在衬底上形成层间绝缘层以覆盖磁性隧道结图案；在层间绝缘层上形成导电层；图案化导电层以形成电连接到磁性隧道结图案的互连图案；以及在互连图案上执行清洁工艺。清洁工艺使用第一气体和第二气体的气体混合物执行。第一气体包含氢元素(H)，以及第二气体包含不同于第一气体的源气体。
形成互连方法制造使用磁存储器

[发明专利]图案化方法、制造半导体器件的方法及半导体器件-CN201610037265.8有效
发明人：朴钟撤;权亨峻;金仁皓;朴钟淳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了图案化方法、制造半导体器件的方法以及半导体器件。所述图案化方法包括：在衬底上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成掩模图案；以及使用掩模图案作为刻蚀掩模对刻蚀目标层进行刻蚀以形成彼此间隔开的图案。对刻蚀目标层的刻蚀处理包括利用入射能量在600eV至10keV的范围内的离子束照射刻蚀目标层。在各掩模图案之间的刻蚀目标层中形成凹进区，所述离子束以相对于衬底的顶面的第一角度入射至凹进区的底面，并以相对于凹进区的内侧面的第二角度入射至凹进区的内侧面。第一角度在50°至90°的范围内，第二角度在0°至40°的范围内。
图案方法制造半导体器件

[发明专利]磁阻随机存取存储器器件及其制造方法-CN201410095275.8有效
发明人：朴钟撤;白光铉;权亨峻;金仁皓;宣昌佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在MRAM器件的方法中，在衬底上沿着第二方向交替地并且重复地形成第一和第二图案。每个第一图案和每个第二图案在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二图案的一些被去除以形成在第一方向上延伸的第一开口。形成填充第一开口的源极线。在第一和第二图案以及源极线上形成掩模。掩模包括在第一方向上的第二开口，每个第二开口在第二方向上延伸。第二图案通过第二开口暴露的部分被去除以形成第三开口。形成填充第三开口的第三图案。被第一和第三图案围绕的第二图案被去除以形成第四开口。形成填充第四开口的接触插塞。
磁阻随机存取存储器器件及其制造方法

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