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[发明专利]基板载置台的温度控制系统及其温度控制方法-CN201410328055.5有效
发明人：佐佐木康晴;野中龙;长山将之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中，上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质，上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间，在使基座的温度上升时，利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。
基板载置台温度控制系统及其控制方法

[发明专利]基板载置台的温度控制系统及其温度控制方法-CN201010509463.2无效
发明人：佐佐木康晴;野中龙;长山将之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中，上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质，上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间，在使基座的温度上升时，利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。
基板载置台温度控制系统及其控制方法

[发明专利]被处理基板温度调节装置和调节方法及等离子体处理装置-CN200810168367.9有效
发明人： 野中龙;村上幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G05D23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种将载置在载置台上的被处理基板分为多个区域，改变在各区域的载置台与基板间的热的传递量，针对每个区域调节基板的温度的被处理基板的温度调节装置。其设置有：载置台，其具备多个用于将基板按各区域调节到规定温度的各温度系统的温度调节部；循环流路，通过温度系统调节部在各温度系统中循环流通流体；加热流路，流通比在循环流路中流通的流体温度高的加热流体；冷却流路，流通比在循环流路中流通的流体温度低的冷却流体，并且具备合流部，其在载置台的附近，使循环流路和加热流路和冷却流路合流于各温度系统，并且包括调节来自输出到所述温度调节部的流体的各流路的流量比的流量调节单元。
处理温度调节装置方法等离子体

[发明专利]缸体停止位置可变机构和具有其的基板处理装置-CN200810146840.3无效
发明人：林大辅;野中龙 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种缸体停止位置可变机构和具有其的基板处理装置，能够在半导体基板的处理装置中几乎不产生振动地使基板或其载置台进行升降并能够自由变更升降的上下停止位置。相对于具有活塞和轴杆以流体压力进行驱动的缸体，包括贯通卡止在轴杆上的止动器、与止动器抵接从而使活塞的进退停止的一对限制器、和使限制器位置改变的限制器移动机构的缸体停止位置可变机构。此外，以马达控制该限制器移动机构，在上述一对限制器的各个上设置移动机构，能够分别独立进行位置控制。
缸体停止位置可变机构具有处理装置

[发明专利]温度控制装置-CN200810089941.1有效
发明人：永关一也;小林义之;村上幸一;野中龙;须藤良久;板藤宽;国保典男 -专利权人：东京毅力科创株式会社;CKD株式会社
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G05D23/19 文献下载
摘要：一种温度控制装置，通过在配置于被控对象附近的调温部(11)使流体循环来预期地控制被控对象的温度，其包括：加热流体并使流体在调温部(11)循环的加热通路(40)；冷却流体并使流体在调温部(11)循环的冷却通路(20)；使流体在调温部(11)循环而不通过加热通路(40)及冷却通路(20)的旁通路(30)；以及对来自加热通路(40)、冷却通路(20)、旁通路(30)通过对它们进行汇流的汇流部(12)向调温部(11)输出流体的流量比进行调节的调节装置(44，24，34)。调节装置(44，24，34)位于加热通路(40)，冷却通路(20)，旁通路(30)的各下游侧且设置在汇流部(12)的上游侧。
温度控制装置

[发明专利]基板处理系统和基板清洗装置-CN200810086918.7有效
发明人：守屋刚;大西正;野中龙;西村荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够完全除去附着在基板背面和周缘部上的异物的基板处理系统，作为基板处理系统(10)具有的基板清洗装置的处理组件(15)包括：收容晶片(W)的腔室(38)；配置在该腔室(38)内的底部上，放置晶片W的载置台(39)；配置在腔室(38)内的顶部，与载置台(39)相对的喷淋头(40)。载置台(39)向着晶片(W)的背面或周缘部喷出呈液相和气相的二相状态的清洗物质(例如纯水)和非活性气体(例如N₂气体)混合的清洗剂。喷淋头(40)产生向着晶片(W)的表面的向下流动。
处理系统清洗装置

[发明专利]表面处理装置-CN200410037297.5无效
发明人：本多稔;野中龙;光冈一行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-30 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种表面处理装置，它可降低电子束能量，同时，可使结构简单化。表面处理装置1，包括在真空室2内部大致水平地放置半导体晶片W的载置台3、设置在真空室2顶部并且对半导体晶片W照射电子束的电子束照射机构6、和设置在载置台3和电子束照射机构6之间的自电场发生装置13。该自电场发生装置13由多个与电子束照射机构6的照射窗6b一一对应地配置的带电板13a构成，该带电板13a为平板状，在与照射窗6b相对的平面上具有通过电子束的5个狭缝13b，同时，还具有由导体构成的内部部件13c、由覆盖该内部部件13c的绝缘体构成的外部部件13d和将内部部件13c接地的导线13e。
表面处理装置