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[实用新型]半导体结构-CN202320200371.9有效
发明人：刘耀闵;郭家邦;金书正;纪志坚;翁政辉;苏鸿文;蔡明兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括第一导电结构；介电层，位于第一导电结构上；以及第二导电结构，位于介电层中并电性连接至第一导电结构，且第二导电结构包括：导电层；阻挡层，夹设于导电层的侧壁与介电层的侧壁之间，其中阻挡层不延伸于导电层的下表面与第一导电结构的上表面之间；以及黏着层，夹设于导电层的侧壁与阻挡层之间，其中黏着层不延伸于导电层的下表面与第一导电结构的上表面之间。
半导体结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310237759.0在审
发明人：金书正;纪志坚;彭馨莹;黄昭郡;李亚莲;陈冠嘉;郭家邦;刘耀闵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一介电层；第一导电结构，位于第一介电层中；一或多层第二介电层，位于第一介电层上方及第一导电结构上方；第二导电结构，位于第二介电层中及第一导电结构之上；一或多层金属衬层，位于第二导电结构与第二介电层之间；氮化物阻障层，位于金属衬层与第二介电层之间，金属衬层中的至少一层金属衬层直接与第一导电结构的顶表面电性耦合，第二导电结构通过至少一层金属衬层与第一导电结构的顶表面电性耦合，或第二导电结构直接与第一导电结构的该顶表面电性耦合。本文的各种后段制程膜层形成技术能够降低接触电阻、降低表面粗糙度及/或提高诸如互连及/或金属化层等后段制程膜层的半导体装置性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体制程系统以及方法-CN202210842983.8在审
发明人： 郭家邦;刘耀闵;金书正;纪志坚;翁政辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体制程系统以及方法。半导体制程工具原位执行钝化层沉积以及去除。包括在半导体制程工具中的传送机构将半导体结构转移通过不同的沉积腔室(例如，在不打破真空或去除真空环境的情况下)。因此，半导体制程工具在金属层上沉积更薄的目标层，或者甚至不存在目标层，使得在目标层之上形成的导电结构以及金属层之间的接触阻抗降低。如此一来，改善了包括导电结构的装置的电性性能。此外，由于制程是在半导体制程工具中原位执行的(例如，在不打破真空或去除真空的情况下)，因此降低了生产时间以及导电结构中杂质的风险。如此一来，提高了产能，且降低了破坏晶圆的机会。
半导体系统以及方法

[发明专利]用于半导体处理的方法以及半导体结构-CN201811382303.9有效
发明人： 郭家邦;李亚莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明描述的实施例一般涉及在半导体处理中形成用于导电部件的阻挡层的一种或多种方法以及形成的半导体结构。在一些实施例中，形成穿过介电层至导电部件的开口。在开口中沿着介电层的侧壁且在导电部件的表面上形成在阻挡层。形成阻挡层包括沉积包括使用前体气体的层。前体气体具有用于在导电部件的表面上的沉积的第一培养时间和用于在介电层的侧壁上的沉积的第二培养时间。第一培养时间大于第二培养时间。在开口中且在阻挡层上形成导电填充材料。
用于半导体处理方法以及结构

[发明专利]镶嵌工艺中金属阻挡层的选择性沉积-CN201910921686.0有效
发明人： 郭家邦;李亚莲;沈杰一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及镶嵌工艺中金属阻挡层的选择性沉积。公开了镶嵌工艺中金属阻挡层的选择性沉积，提供了一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：在导电特征之上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层之上形成电介质层；在所述电介质层中形成开口以显露所述刻蚀停止层；以及使用包括抑制剂的刻蚀剂通过所述开口刻蚀所述刻蚀停止层。在所述导电特征上形成包括所述抑制剂的抑制剂膜。所述方法还包括：沉积延伸到所述开口中的导电阻挡层；在沉积所述导电阻挡层之后，执行去除所述抑制剂膜的处理；以及沉积导电材料以填充所述开口的剩余部分。
镶嵌工艺金属阻挡选择性沉积

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910500647.3有效
发明人： 郭家邦;李亚莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包含在介电层上方形成阻障层，阻障层中的杂质的浓度随着阻障层延伸远离介电层而增加，以及进行等离子体制程以处理阻障层。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110368491.5在审
发明人：刘耀闵;郭家邦;黄建中;张志毅;李亚莲;林俊杰;苏鸿文;蔡明兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构及其形成方法。一种方法包括在导电特征之上沉积电介质层。图案化电介质层以在其中形成开口。开口暴露导电特征的第一部分。在开口的侧壁上沉积第一阻挡层。导电特征的第一部分在沉积第一阻挡层结束时保持暴露。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于半导体器件的通孔及方法-CN202011279170.X在审
发明人： 郭家邦;张志毅;谢明晓;詹伟翔;李亚莲;黃建中;林俊杰;苏鸿文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及用于半导体器件的通孔及方法。一种结构包括：第一导电特征，在第一电介质层中；第二电介质层，在第一电介质层之上；以及第二导电特征，延伸穿过第二电介质层以实体接触第一导电特征，其中第二导电特征包括：金属粘附层，在第一导电特征之上并与第一导电特征实体接触；阻挡层，沿第二电介质层的侧壁延伸；以及导电填充材料，在金属粘附层和阻挡层之上延伸，其中导电填充材料的一部分在阻挡层和金属粘附层之间延伸。
用于半导体器件方法

[发明专利]半导体器件的扩散阻挡部及方法-CN202011211593.8在审
发明人： 郭家邦;施奂宇;陈玟璇;蔡政伦;李亚莲;翁政辉;林俊杰;苏鸿文;刘耀闵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的扩散阻挡部及方法。一种方法包括：在导电特征之上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以暴露导电特征的第一表面；用牺牲材料覆盖导电特征的第一表面，其中，绝缘层的侧壁不含牺牲材料；用阻挡材料覆盖绝缘层的侧壁，其中，导电特征的第一表面不含阻挡材料，其中，阻挡材料包括用过渡金属掺杂的氮化钽(TaN)；去除牺牲材料；以及用导电材料覆盖阻挡材料和导电特征的第一表面。
半导体器件扩散阻挡方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201510273690.2在审
发明人： 郭家邦;冯诗翰;林峻民 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法，其中太阳能电池包含有一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面。第一表面具有一低反射率区域以及一蚀刻痕迹，其中蚀刻痕迹位于第一表面的周围，环绕着低反射率区域，形成一封闭图案，其中蚀刻痕迹的平均宽度小于或等于2毫米。第二表面为高反射率表面。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]具有背面多层抗反射镀膜的太阳能电池-CN201510292867.3在审
发明人：冯诗翰;郭家邦 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池，包含半导体基板，具有第一表面及第二表面；一掺杂发射极层，位于第一表面上；一正面抗反射镀膜，设于第一表面上；一正面电极，设于抗反射层上；一钝化层，设于第二表面；一第一背面抗反射镀膜，设于钝化层上；一第二背面抗反射镀膜，设于第一背面抗反射镀膜上；一第三背面抗反射镀膜，设于第二背面抗反射镀膜上；以及一背面电极，设于第三背面抗反射镀膜上，其中第一背面抗反射镀膜的折射率小于2.1，第二背面抗反射镀膜的折射率大于或等于2.1，且第二背面抗反射镀膜的折射率大于第三背面抗反射镀膜的折射率。
具有背面多层反射镀膜太阳能电池

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