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[发明专利]一种脉冲离子源镀膜引出装置-CN202110446190.X有效
发明人：郭春刚;程国安;郑瑞廷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种脉冲离子源镀膜引出装置，包括脉冲电极，阴极靶材和阳极；阳极包括外筒体和内部的阳极环；阴极靶材与外筒体之间导通；所述阳极环与外筒体之间设置有绝缘材料；阴极靶材为柱状，插入外筒体内，并位于外筒体中的阳极环上方；阴极靶材中心线穿过阳极环的中心孔；阴极靶材与驱动电机传动连接，驱动阴极靶材向阳极环进给；阴极靶材的离子发射端外侧套设有脉冲电极，并且阴极靶材的裸露端伸出脉冲电极，阴极靶材与脉冲电极之间设置有绝缘套；阳极环连接电源的正极，阴极靶材连接电源的负极或接地，脉冲电极连接脉冲电源。本发明离子源引出的离子束可以持续不断，引出的离子束质量提高，分布均匀。
一种脉冲离子源镀膜引出装置

[实用新型]一种脉冲离子源镀膜引出装置-CN202120855626.6有效
发明人：郭春刚;程国安;郑瑞廷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种脉冲离子源镀膜引出装置，包括脉冲电极，阴极靶材和阳极；阳极包括阳极环；阴极靶材位于阳极环上方；阴极靶材中心线穿过阳极环的中心孔；阴极靶材与驱动电机传动连接，驱动阴极靶材向阳极环进给；阴极靶材的离子发射端外侧套设有脉冲电极，并且阴极靶材的裸露端伸出脉冲电极，阴极靶材与脉冲电极之间设置有绝缘；阳极环连接电源的正极，阴极靶材连接电源的负极或接地，脉冲电极连接脉冲电源。本实用新型离子源引出的离子束可以持续不断，引出的离子束质量提高，分布均匀。
一种脉冲离子源镀膜引出装置

[发明专利]一种可调束斑的场发射冷阴极电子源器件及其制备方法-CN201910370116.7有效
发明人：程国安;岳宏鑫;唐煦尧;郑瑞廷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于真空电子技术和新材料技术的交叉领域，尤其涉及可调束斑冷阴极场发射电子源器件及其制备方法，主要用于真空电子辐射源器件或产生大电流、高电流密度电子束的器件中。本发明包括由导电基体及定向碳纳米管阵列微束构成的阴极、内聚焦极、栅极、外聚焦极、绝缘陶瓷外壳以及电子束引出电极等。本发明使用直径10～500μm的碳纳米管阵列微束作为场发射体，可以在出射端得到束斑直径1～200μm的电子束，实现可调电子束束斑的输出。本发明提出了一种具有内聚焦极结构的场发射冷阴极电子源器件及其制备方法，以实现出射电子束束斑尺寸可调节且具有优良电流发射能力和发射稳定性的场发射冷阴极电子源的应用。
一种可调发射阴极电子器件及其制备方法

[发明专利]高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法-CN201710242570.5有效
发明人：程国安;张权;王茜娟;郑瑞廷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公布了一种高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法，即利用微纳操纵转移工艺，将碳纳米管阵列转移并固定在金属支撑体上，实现碳纳米管阵列与金属支撑体的高强度粘接，制备出具有高场发射电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。器件制备工艺及所需设备简单，可控性良好。构建过程包括：利用化学气相沉积方法制备多壁碳纳米管阵列；利用微纳操纵和胶黏剂转移并固定碳纳米管阵列至金属支撑体，得到拥有高电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。本发明通过提高碳纳米管阵列与基体的结合强度，实现高电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列场发射冷阴极制备，拓展了一维纳米材料的应用领域。
碳纳米管阵列制备冷阴极金属支撑体时间稳定性高场发射多壁碳纳米管阵列场发射冷阴极化学气相沉积器件制备工艺一维纳米材料纳米管阵列固定碳胶黏剂可控性构建粘接拓展

[发明专利]基于有序碳纳米管薄膜的液体表面张力传感器及其制备方法-CN201610865519.5有效
发明人：程国安;张权;郑瑞廷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G01N13/02 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于有序碳纳米管薄膜的液体表面张力传感器及其制备方法，属于纳米材料和应用的领域。特征是利用传感器浸没在液体中，毛细力作用使碳纳米管薄膜微结构改变，引起其直流响应变化，实现液体表面张力的测量。传感器制备工艺简单，可控性良好。器件响应快，灵敏度高。器件构建主要包括：⑴利用微波等离子体化学气相沉积法制备碳纳米管阵列；⑵利用物理气相沉积技术和掩膜覆盖技术，在有机绝缘衬底表面制备金属电极；⑶利用滚压转移技术，将碳纳米管阵列转移至已镀电极的衬底表面，构建液体表面张力传感器。本发明是利用有序碳纳米管薄膜结构改变引起其电学信号变化构建的液体表面张力传感器，拓展了一维纳米材料的应用领域。
基于有序纳米薄膜液体表面张力传感器及其制备方法

[发明专利]一种针对液体及固液相变的变温介电常数测量池-CN201611125859.0有效
发明人： 郑瑞廷;蒙鹏;程国安 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：一种针对液体及固液相变的变温介电常数测量池，其包括上电极、下电极、保护电极、上盖、内胆、外壳、进出水口连接头、热电偶、BNC转接头等部件。各部件能够相互配合，形成结构稳定、密封性良好、能够实时调节样品温度变温介电常数测量池。本发明的一种针对液体及固液相变的变温介电常数测量池，与循环恒温水浴机、阻抗分析仪连接，实现对样品温度的精确控制，并能够精确地测量液体在不同温度下及发生固液相变时的介电常数变化；测量池结构稳定，抗振动、电磁干扰性强，所测得数据重复性高；在对液体进行变温及发生固液相变时，能够保证样品与电极接触紧密，确保测得数据的可信度；降低了介电变温测量的造价与维护难度。
变温固液相变介电常数测量结构稳定电极介电常数变化循环恒温水浴数据重复性阻抗分析仪测量液体电磁干扰电极接触进出水口实时调节转接测量池抗振动可信度连接头密封性热电偶下电极介电内胆上盖测量配合保证维护

[发明专利]一种基于离子注入技术的微纳颗粒二维图形化吸附工艺-CN201910055174.0在审
发明人： 郑瑞廷;邓子建;田坤;史文佳;程国安 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子注入技术的微纳颗粒二维图形化吸附工艺，通过在材料表面覆盖掩膜，注入不同种类的金属离子，并调节合适的吸附组装环境，将材料浸入胶体颗粒溶液中静置，经过提拉平放于桌面自然干燥后，在静电作用下实现不同种类的微/纳米颗粒的正/反图形化吸附。此外，基于对图形化形成过程的规律探索，通过改变胶体颗粒溶液的张力参数，实现了不同尺度从均匀图案到点阵的图形化工作。本发明依靠离子束对材料固有的表面电位的调控，实现灵活自由的图形化吸附，过程简单易行，并且掩膜可重复循环利用，适合材料表面大面积图形化微纳加工。
吸附图形化胶体颗粒溶液离子注入技术二维图形纳颗粒掩膜大面积图形点阵浸入表面电位金属离子静电作用均匀图案纳米颗粒微纳加工循环利用张力参数反图形可重复离子束拉平桌面尺度组装调控灵活覆盖自由探索

[发明专利]一种热敏介电开关系统及其制备方法-CN201810517761.2在审
发明人： 郑瑞廷;蒙鹏;程国安 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01G7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种热敏介电开关系统及其制备方法，其中热敏介电开关系统由电极、填充介质、绝缘固态薄膜和绝缘密封环组成。且本发明利用填充介质与绝缘固态薄膜组成核心结构，在填充介质发生固‑液相变的前后，实现了电容的热敏阶梯式调控的目的。本发明不仅具有结构简单、维护便利、绿色环保等优点，而且所制得的热敏介电开关系统的电容调节性能好、循环稳定性能高，极具市场应用与推广价值。
热敏开关系统介电填充固态薄膜绝缘制备循环稳定性能绝缘密封环电容调节核心结构绿色环保市场应用阶梯式液相变电极电容便利调控维护

[发明专利]高温度系数高稳定室温开关纳米复合材料-CN201210230969.9有效
发明人： 郑瑞廷;孙鹏程;程国安 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明涉及高温度系数高稳定室温开关纳米复合材料的制备和性能，属于一种新型智能纳米复合功能材料。本发明提出可将具有优异的热、电、磁传输特性的纳米材料利具有固定结晶点的绝缘性基液灵活组合来制备开关纳米复合材料，通过对纳米材料的表面改性增强了其和基液的界面亲合力，使得复合材料的开关比和稳定性大大提高。这种实用性很强的智能纳米复合功能材料在能源，生物医疗等领域有着广阔的应用前景。
温度系数稳定室温开关纳米复合材料

[发明专利]一种具有良好催化性能的氢氧化铬纳米空心结构-CN201210004036.8有效
发明人： 郑瑞廷;陈刚;白亚奎;顾青;程国安 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公布了一种具备空心壳层结构的纳米空心材料制备方法，详细描述了制备所需的原料试剂和制备条件。无机壳层结构可以在室温下，用液相自组装的方法形成，主要制备过程如下将金属盐在水溶液中溶解，用碱性沉淀试剂加入溶液中，通过沉淀反应生成金属对应的氢氧化物，经过一定时间的自发空化过程，最终形成具备壳层结构的纳米空心材料。所制备的纳米空心结构材料具备低成本、高产率、低粒径分散度、结构稳定和环境友好的优势。空心结构材料的粒径和长隙比可以通过调节反应物的加入量来实施控制。该纳米空心材料表现出良好的脱氢催化特性，在催化、传感、锂离子电池等方面都有广泛的用途。
一种具有良好催化性能氢氧化纳米空心结构

[发明专利]一种具有良好催化性能的氢氧化铬纳米空心结构-CN201410191169.X在审
发明人： 郑瑞廷;陈刚;白亚奎;顾青;程国安 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公布了一种具备空心壳层结构的纳米空心材料制备方法，详细描述了制备所需的原料试剂和制备条件。无机壳层结构可以在室温下，用液相自组装的方法形成，主要制备过程如下：将金属盐在水溶液中溶解，用碱性沉淀试剂加入溶液中，通过沉淀反应生成金属对应的氢氧化物，经过一定时间的自发空化过程，最终形成具备壳层结构的纳米空心材料。所制备的纳米空心结构材料具备低成本、高产率、低粒径分散度、结构稳定和环境友好的优势。空心结构材料的粒径和长隙比可以通过调节反应物的加入量来实施控制。该纳米空心材料表现出良好的脱氢催化特性，在催化、传感、锂离子电池等方面都有广泛的用途。
一种具有良好催化性能氢氧化纳米空心结构

[发明专利]一种超细硅纳米线阵列的制备方法-CN201410025320.2在审
发明人： 郑瑞廷;谭植元;程国安 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种超细硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料的制备及应用领域。本发明提出以二元或多元金属(合金)作为催化剂，使用金属辅助化学腐蚀法对硅片进行腐蚀，可得到超细直径的硅纳米线阵列。并且通过改变沉积或注入催化剂的各种参数，可有效调控催化剂的大小、形貌、分布、催化活性以及腐蚀过程中的物理化学稳定性，最终得到密度(填充因子)、直径、长度、表面形貌、粗糙度可调的硅纳米线阵列。本制备方法可高效低耗快速制备出超细硅纳米线阵列，适宜大规模工业化生产。
一种超细硅纳米阵列制备方法

[发明专利]包括石墨微流体的电导和/或热导悬浮液-CN201080063919.5有效
发明人： 郑瑞廷;高进伟;陈刚 -专利权人：麻省理工学院
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C10M161/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括石墨颗粒的流体和相关的制备方法。具体实施例中描述了“微流体”。这种微流体由基液和大量微米尺度的石墨颗粒构成。本发明对微流体的热导和电导控制所涉及的产品，系统以及制造方法进行了大体描述。
包括石墨流体电导悬浮液

[发明专利]一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器-CN201110087934.X有效
发明人：程国安;吴绍龙;郑瑞廷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于一维硅纳米结构阵列的可见光电化学探测器，属于纳米材料性能和应用领域。特征在于利用光吸收性能优异的一维硅纳米结构阵列的光电化学响应特性实现可见光的探测。器件制备过程及所需设备相对简单，可控性良好，光响应度较高。器件构建过程主要包括：(1)利用金属催化各向异性化学腐蚀法制备一维硅纳米结构阵列；(2)利用磁控溅射或真空蒸镀技术在一维硅纳米结构阵列背面沉积导电层，并进行退火处理形成一维硅纳米结构阵列光电极；(3)以一维硅纳米结构阵列光电极为基础，构建可见光电化学探测器。本发明利用一维硅纳米结构阵列的高光电化学响应特性构建了可见光电化学探测器，拓展了半导体纳米材料的应用领域。
一种基于一维硅纳米结构阵列可见光电化学探测器

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