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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]应用于C型通用串行总线连接器的过电压保护电路-CN201910534002.1在审
发明人： 郑俊一 -专利权人：富创微电子有限公司;力智电子股份有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本申请公开一种应用于C型通用串行总线连接器(USB type C)的过电压保护电路。C型通用串行总线的接口具有至少一个输入信号引脚。过电压保护电路包括控制电路、电位偏移电路以及系统箝制电路。控制电路根据偏压信号来产生控制信号。电位偏移电路电性连接于至少一个输入信号引脚与控制电路，且接收来自至少一个输入信号引脚的输入信号与控制信号，并根据控制信号来调节所述输入信号的电压水平。系统箝制电路电性连接于电位偏移电路，且接收调节过的所述输入信号，并将调节过的所述输入信号的电压水平箝制于阈值以下。
应用于通用串行总线连接器过电压保护电路

[发明专利]高压电容结构及数字隔离装置-CN201810246574.5在审
发明人： 郑俊一 -专利权人：富创微电子有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压电容结构，其包括电容，且电容包含基底、主动区域、场氧化层、介电层、保护层及金属层。主动区域设置于基底上或基底中。场氧化层设置于基底之上。介电层设置于主动区域及场氧化层之上。保护层设置于介电层之上。金属层设置于保护层之上。金属层及主动区域分别用作电容的第一电极及第二电极。主动区域位于介电层之下。一些实施例提出一种数字隔离装置，其包括至少一个高压隔离器，各高压隔离器包含如上述的高压电容结构。
主动区域介电层基底场氧化层高压电容保护层金属层电容高压隔离器数字隔离第二电极第一电极

[发明专利]基极的结构及其制造方法-CN02142153.6有效
发明人： 郑俊一;李资良;陈佳麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-08-22 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种基极的结构及其制造方法。本发明的基极的结构至少包括多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层。而本发明的基极的制造方法至少包括：形成多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层覆盖基材上的纯氧化层；接着，进行氮化制程，藉以使多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层中具有氮离子；以及进行氧化制程，藉以将多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层中的部分氮离子趋入纯氧化层中等步骤。运用本发明的基极的结构及其制造方法，可避免基极介电层表面的结构由于进行等离子体氮化制程而遭受破坏，且可提高载子迁移率与驱动电流。
基极结构及其制造方法

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共 3 条

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