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[发明专利]一种曲面成膜方法及透明导电薄膜结构-CN202310376999.9在审
发明人： 邱龙臻;朱浩冉;陈显春;王晓鸿 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及透明导电膜技术领域，公开了一种曲面成膜方法，采用如下方法制得，包括步骤一、首先在平面基板上旋涂一层易溶于水或其他有机试剂的牺牲层；步骤二、于所述牺牲层上旋涂一层软聚合物组成的柔性基底层；步骤三、于所述柔性基底层上旋涂导电材料形成透明导电层，步骤四、于所述透明导电层表面刷一层黏附层，最后将牺牲层溶掉。本发明可以在各种复杂曲面结构的基材上进行成膜，并且可与多种导电材料配方进行适配，可满足不同情况下，不同曲面基材的需求，制备的透明导电薄膜完整均匀，透过率高，而其他现有技术只能在平面基材上形成透明导电薄膜，使用的基材具有局限性，并且本方案提出曲面成膜方法设备要求简单，制备工艺简单且成本低。
一种曲面方法透明导电薄膜结构

[发明专利]硅基OLED发光装置、显示器、以及制备方法-CN202310645157.9在审
发明人：曹景博;张海涛;任军;张训路;张燕斌;张建华;于学习;黄明洋;张弥;李俊;李喜峰;李意;邱龙臻 -专利权人：合肥欣奕华智能机器股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K59/13 文献下载
摘要：本发明公开了硅基OLED发光装置、显示器、以及制备方法，涉及显示装置技术领域。一种硅基OLED发光装置，包括基板层，所述基板层的顶部设有至少三个可产生不同光子像素的阳极单元，所述阳极单元的顶部设有与所述阳极单元相配合的阴极单元，所述阳极单元和所述阴极单元之间设有至少一个可在阳极单元和阴极单元产生的电场力的驱动下使空穴和电子相互作用以产生光束的发光组件，所述阴极单元上设有光提取层，所述光提取层上设有封装层，所述封装层上设有与阳极单元位置正相对且颜色相同的彩膜且所述彩膜的数量小于阳极单元的数量。旨在避免彩膜制程中的光效损失，提高硅基OLED产品亮度的亮度。
硅基 oled 发光装置显示器以及制备方法

[发明专利]一种基于环状UPy四重氢键的可拉伸聚合物材料及其应用-CN202211069338.3有效
发明人：王晓鸿;徐晨寅;黄华;邱龙臻 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于环状UPy四重氢键的可拉伸聚合物材料及其应用，是以受体单元A1、受体单元A2和给体单元D为原料，通过Stille偶联反应制备得到的A1‑D‑A2型共轭聚合物。本发明是首次将环状四重氢键引入到共轭聚合物中，有机场效应晶体管器件表明这种结构的聚合物半导体在一定条件下具有双极性传输特性，同时光谱吸收覆盖可见光并延伸至近红外领域；更为重要的是，相比于未引入环状脲基嘧啶酮(UPy)结构的聚合物薄膜，这种结构的薄膜在拉伸至100％后出现更少的微裂纹，因此它是一类可溶液加工的可拉伸共轭聚合物，在可拉伸有机薄膜晶体管、有机光伏以及有机热电等有机电子领域具有广阔的应用前景。
一种基于环状 upy 氢键拉伸聚合物材料及其应用

[发明专利]基于图像显著性排名模型的液晶显示区域动态调光方法-CN202310366970.2在审
发明人： 邱龙臻;聂咸辉;刘欣;李好;方勇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图像显著性排名模型的液晶显示区域动态调光方法，包括以下步骤：步骤1、获取输入的图像每个背光分区的初始背光值；采用基于图推理的实例级显著性排名检测模型预测输入的图像中不同显著对象的显著性分数并进行显著排名，得到显著性排序图；步骤2、将步骤1得到显著性排序图按背光源的分区数量划分成若干个背光分区，根据显著性排名对每个显著对象所在的背光分区赋予不同的权重，再根据权重对初始背光值进行加权计算修正，得到最终分区背光值；步骤3、采用BMA混光扩散算法模拟分区背光值在液晶面板上的分布，并确定像素的补偿值，由背光值和像素补偿值显示输入的图像。本发明能够提高人眼感知的显示效果和降低能耗。
基于图像显著排名模型液晶显示区域动态调光方法

[发明专利]一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器-CN201910144207.9有效
发明人： 邱龙臻;赵雪;姚宏兵;魏诗语;王晓鸿 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K30/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器，其有机场效应晶体管半导体层为嵌段共轭聚合物纳米线，由嵌段共聚物半导体材料和聚合物绝缘材料分别溶解在溶剂中再混合形成共混溶液，通过控制嵌段共聚物半导体材料和聚合物绝缘材料的质量比，获得不同密度的嵌段共聚物半导体纳米线。本发明的嵌段共聚物半导体纳米线作为有机场效应晶体管光探测器的半导体层，能够增强对深紫外区的光响应。本发明首次提出将共轭聚合物用于日盲区深紫外光的响应上，并制备了高性能有机场效应晶体管日盲区深紫外光探测器，本发明在深紫外区域实现了良好的光选择性和光响应性，光响应达到120A/W，外部量子效率高达50000％。
一种基于有机场效应晶体管盲区深紫探测器

[发明专利]一种基于异质结的圆偏振光检测器-CN202010845756.1有效
发明人： 邱龙臻;姚宏兵;王冠龙;张灿;赵丰胜 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质结的圆偏振光检测器，是通过在设有绝缘介电层的基底上设置两层有机半导体构成异质结，且处于上层的机半导体层在圆偏振光照射下可产生手性活性，从而实现圆偏振光的检测。本发明圆偏振光检测器的光响应性能和电学性能优异，且制作方法简单、成本低，具有更好的应用前景。
一种基于异质结偏振光检测器

[发明专利]一种气体识别方法、突触晶体管器件及其制备方法-CN202211018364.3在审
发明人： 邱龙臻;吴孝成;王邦虎;王晓鸿;王恒 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气体探测技术领域，公开了一种气体识别方法，其利用突触晶体管器件，具体包括如下步骤：获取突触晶体管器件在无气体刺激下的初始电流；向突触晶体管器件施加不同气体刺激，分别获取突触电流，计算不同突触电流和初始电流之间的差值ΔPSC；基于cnn神经网络，训练学习，进行特征提取，对气体种类及浓度的识别进行分类，得到分类后数据。本发明利用突触晶体管对不同气体的类突触行为响应，结合CNN神经网络软件算法，将整个响应恢复随时间的动态过程纳入分析，相较于传统传感器仅对单一气体的响应性、恢复时间的分析方法，本发明所使用的方法功能更多、成本更低、操作过程更为简单。
一种气体识别方法突触晶体管器件及其制备

[发明专利]一种宽光谱的圆偏振光探测器-CN202210898271.8在审
发明人：王晓鸿;胡琪;徐云浩;邱龙臻 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱的圆偏振光探测器，其通过手性分子与共轭聚合物物理共混来制备光敏性电荷传输层，使所得器件具有宽光谱的手性光学响应，从而可实现对多个波长的左旋和右旋圆偏振光进行区分探测。本发明的圆偏振光探测器可以对信息进行加密处理，并且具有良好的电学性能和光学响应，且制作方法简单、成本低，具有很好的应用前景。
一种光谱偏振光探测器

[发明专利]一种反应离子刻蚀处理取向层控制液晶分子预倾角方法-CN202210919400.7在审
发明人：陆红波;梁宇歌;邱龙臻;徐苗;朱俊;安长虎;李志 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明涉及液晶显示器件制备技术领域，尤其是一种反应离子刻蚀处理取向层控制液晶分子预倾角方法，将垂直取向的聚合物溶液旋涂在携带氧化铟锡薄膜的玻璃基板上，高温固化一定时间成取向膜，将制备的样品进行摩擦处理放在反应离子刻蚀设备中，对垂直取向层进行表面改性，对改性后的样品用紫外固化胶进行光固化贴合制成液晶盒，液晶盒内灌入液晶一制成液晶器件，将液晶二与黑色染料按一定比例混合再次灌入液晶盒制成宾主液晶器件。本发明直接对取向层表面改性，可以改变其润湿性，润湿性改变液晶分子的取向，通过表面改性处理，使受处理的取向层组成的液晶器件实现多种显示模式，同时选择性的刻蚀取向层，实现图案化液晶器件的形成。
一种反应离子刻蚀处理取向控制液晶分子倾角方法

[发明专利]一种基于双模调制突触晶体管器件的图像保密性成像方法-CN202210782694.3在审
发明人： 邱龙臻;王恒;姜龙龙;王晓鸿;吴孝成 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双模调制突触晶体管器件的图像保密性成像方法，是通过具有光活性层的突触晶体管，选用两种波长的光作为双模刺激，利用突触晶体管在双模刺激下的类突触行为响应，设计阵列实现图像的保密性成像。本发明的突触晶体管器件的光响应性能和电学性能优异，且制作方法简单、成本低，具有很好的应用前景。
一种基于双模调制突触晶体管器件图像保密性成像方法

[发明专利]一种基于电致变色效应的光子神经突触器件-CN202210864454.8在审
发明人： 邱龙臻;石慧;王晓鸿 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电致变色效应的光子神经突触器件，其结构为：包括上下两层导电面相对的透明导电玻璃；两玻璃的外周通过胶粘结在一起，并在内部形成容纳有电致变色溶液的腔体；且在两玻璃的胶粘位置垂直插入有一锥形光纤，锥形光纤的输入端和输出端伸出在器件外。本发明所得光突触器件具有与生物突触类似的性能，从而可以模拟生物突触的突触可塑性。
一种基于变色效应光子神经突触器件

[发明专利]一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光多级非易失性存储器-CN202110061794.2有效
发明人： 邱龙臻;王冠龙;吴孝成;王晓鸿;赵雪 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光多级非易失性存储器，其包括作为栅电极的衬底，和逐层设置于衬底上的栅绝缘层、修饰层、有机半导体层，在有机半导体层上设置有源电极和漏电极，该存储器的编程电压与擦除电压为同向电压，且擦除电压大于编程电压。本发明的存储器为不受长波长紫外光和可见光干扰的高选择性和高性能日盲区深紫外光监测器的制备提供了一种新的策略，同向的编程电压与擦除电压能够简化存储器的工作电源，而且多级存储也使其在低成本制备方面显著增加了实际应用的可能性。
一种基于有机场效应晶体管盲区深紫多级非易失性存储器

[发明专利]一种聚合物稳定胆甾相液晶变色玻璃及其制备方法和应用-CN202210461942.4在审
发明人：陆红波;王藏玉;邱龙臻;安长虎;李志 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G02F1/1334 文献下载
摘要：本发明涉及液晶显示和电致变色技术领域，尤其是一种聚合物稳定胆甾相液晶变色玻璃的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、将负性胆甾相液晶、液晶性单体、手性剂和引发剂混合，得到胆甾相液晶混合物；步骤S2、在毛细作用下，将所述胆甾相液晶混合物流入液晶玻璃盒内，待胆甾相液晶混合物均匀填满整个液晶玻璃盒，依次施加不同电场和高频交流电后,进行紫外固化，得到所述聚合物稳定胆甾相液晶变色玻璃。利用所述制备方法制备得到的聚合物稳定胆甾相液晶变色玻璃可以在电压恒定的条件下，通过手动切换外加直流电场的方向来改变所述聚合物稳定胆甾相液晶变色玻璃的反射带的带宽，同时可以显示出明显的颜色变化。
一种聚合物稳定胆甾相液晶变色玻璃及其制备方法应用

[发明专利]一种高延展性的高性能半导体共轭聚合物及其制备方法-CN202110060842.6有效
发明人： 邱龙臻;赵丰胜;徐晨寅;丁亚飞;王晓鸿 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高延展性的高性能半导体共轭聚合物及其制备方法，所述半导体共轭聚合物是基于精确调节的烷基直链以及可调节的有机硅氧烷基团作为侧链R的半导体共轭聚合物，其结构通式如下所示：上述结构通式中，A为缺电子受体单元，D为富电子给体单元。本发明通过引入烷基直链和有机硅氧烷链作为侧链构筑弹性缓冲区，利用可变形的非晶区域实现拉伸过程中的应力耗散，通过有机硅氧烷侧链包覆的半结晶聚集体结连接链内和链间电荷传输，共轭骨架结构可以多样化调整，得到兼具高延展性和高电荷传输特性的半导体共轭聚合物材料。本发明共轭聚合物材料可作为空穴型电荷传输材料，应用于柔性晶体管器件以及其它有机可拉伸电子领域。
一种延展性性能半导体共轭聚合物及其制备方法

[发明专利]一种显示蒙砂玻璃用抛光液及其应用-CN202210497501.X在审
发明人： 邱龙臻;吴宁;安长虎;黄刚;李志 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C03C15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示蒙砂玻璃用抛光液及其应用，该抛光液由草酸、浓硫酸、去离子水、氨水和氟化氢铵作为原料制得。制备蒙砂玻璃时，在对玻璃进行刻蚀的前后利用本发明的抛光液对其进行抛光，可使得蒙砂玻璃具有光洁的表面、良好的透光性和防眩效果。
一种显示玻璃抛光及其应用

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