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[实用新型]一种连接条及半导体零件-CN202222112504.5有效
发明人：庞一兵;邱志述;潘刚;王晓培 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体加工领域，特别涉及一种连接条，包括连接条本体和阻挡结构，所述阻挡结构设置于所述连接条本体，所述连接条本体与半导体底板框架焊接连接，所述阻挡结构限制所述连接条本体在半导体底板框架上的位移。本实用新型的一种连接条，通过连接条本体上设置的阻挡结构，限制焊接组件烧结时连接条相对底板框架的位移，从而保证连接条本体和晶粒连接良好，提高半导体零件压塑后的产品良率，保证产品性能。本实用新型还涉及一种使用所述连接条的半导体零件。
一种连接半导体零件

[实用新型]一种集成框架、SMA集成框架和二极管-CN202220931377.9有效
发明人：谭志伟;周杰;邱志述 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种集成框架、SMA集成框架和二极管。一种集成框架包括框架底板，所述框架底板上集成有跳线结构；以及框架顶板，安装于所述框架底板上；所述框架顶板上集成有焊盘结构，且所述跳线机构与所述焊盘结构对应设置。相对于一体式的框架结构而言，本集成框架通过在框架底板上集成跳线结构、在框架顶板上集成焊盘结构的方式，可以避免单独冲切框架的工序，进而能够简化生产的工序，降低生产成本。
一种集成框架 sma 二极管

[发明专利]一种防止银迁移的平面二极管芯片-CN202111007165.8在审
发明人： 邱志述;谭志伟;陈鹏 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明涉及涉及一种平面二极管芯片，特别是一种防止银迁移的平面二极管芯片，包括第一半导体层、设于第一半导体层表面的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层提供二极管结构；在第二半导体层外周的第一半导体层表面设有保护PN结的保护层；所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面设有第一金属层；所述第一金属层包括焊接层，所述焊接层位于所述第二半导体层中部。使得焊接层两端与半导体层两端的横向电场之间具有间隔，降低了横向电场的影响；同时焊接层表面到芯片侧面的距离加大，银电极到芯片侧面电极之间形成导电湿气薄膜的可能性降低，能够降低平面二极管芯片表面银迁移的风险。
一种防止迁移平面二极管芯片

[实用新型]一种TSS与双向TVS合封贴片二极管-CN202020953276.2有效
发明人： 邱志述;潘刚;谭志伟;周杰 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TSS与双向TVS合封贴片二极管，包括TVS叠装结构、TSS叠装结构、塑封体、框架及第一跳线、第二跳线，TVS叠装结构与TSS叠装结构并联在应用电路中，在不改变封装外形尺寸的情况下整合了TVS和TSS两种二极管，能够节约空间使设备小型化，利用了二极管并联分流原理，能够成倍数的提高器件承受的浪涌电流或脉冲电流能力，器件具有超高的通流能力和超大的电流上升率，在此条件下可小型化电路中的电感器件，达到防护电路整体节约空间使设备小型化。
一种 tss 双向 tvs 合封贴片二极管

[发明专利]一种TSS与双向TVS合封贴片二极管-CN202010478247.X在审
发明人： 邱志述;潘刚;谭志伟;周杰 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSS与双向TVS合封贴片二极管，包括TVS叠装结构、TSS叠装结构、塑封体、框架及第一跳线、第二跳线，TVS叠装结构与TSS叠装结构并联在应用电路中，在不改变封装外形尺寸的情况下整合了TVS和TSS两种二极管，能够节约空间使设备小型化，利用了二极管并联分流原理，能够成倍数的提高器件承受的浪涌电流或脉冲电流能力，器件具有超高的通流能力和超大的电流上升率，在此条件下可小型化电路中的电感器件，达到防护电路整体节约空间使设备小型化。
一种 tss 双向 tvs 合封贴片二极管

[实用新型]一种新型大功率瞬态电压抑制二极管-CN201920088959.3有效
发明人： 邱志述 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型大功率瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板和用于包覆TVS芯片与铜板的塑封体；其中，N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使N颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构两端的铜板分别引出一条引线并伸出塑封体。其中，N不小于2。该新型大功率瞬态电压抑制二极管具有承受大反向浪涌能量冲击，从而能够使R‑6封装的二极管，提升浪涌冲击保护能力。
铜板瞬态电压抑制二极管塑封体叠装浪涌冲击保护本实用新型二极管电气连接结构两端浪涌能量相邻设置包覆叠层封装伸出

[实用新型]一种低热阻大功率贴片桥-CN201720148152.5有效
发明人： 邱志述;谭志伟;周杰;梁鲁川 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件，特别是一种低热阻大功率贴片桥，包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架，负极端连接下框架，所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内，直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体，所述引脚为平脚，从所述塑封体下部侧面水平伸出，其厚度不超过所述塑封体厚度，所述引脚的焊接面与所述塑封体焊接面在同一水平面。所述贴片桥具有超小超薄封装外形，从而使整流桥贴片封装，实现SMT作业，替代人工插件，减少人工成本；同时，降低产品安装高度，满足相关产品超薄、超小发展趋势。此外，通过框架和管体外形的设计，使的产品具有更低的热阻，适应更大的功率要求。
一种低热大功率贴片桥

[实用新型]一种低热阻大功率贴片整流桥-CN201720148153.X有效
发明人： 邱志述;谭志伟;周杰;梁鲁川 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件，特别是一种低热阻大功率贴片整流桥，包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架，负极端连接下框架，所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内，直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体，所述引脚为平脚，所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。本实用新型引脚采用平脚设计，引脚与塑封体焊接面为同一水平面，所述整流桥具有超小超薄封装外形，从而使整流桥贴片封装，实现SMT作业，替代人工插件，减少人工成本；同时，降低产品安装高度，满足相关产品超薄、超小发展趋势。此外，通过框架和管体外形的设计，使的产品具有更低的热阻，适应更大的功率要求。
一种低热大功率整流

[实用新型]一种低热阻大功率整流桥-CN201720148154.4有效
发明人：谭志伟;周杰;邱志述;梁鲁川 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件，特别是一种低热阻大功率整流桥，包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架，负极端连接下框架，所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内，直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体，其特征在于所述引脚为平脚，从所述塑封体下部侧面水平伸出，其厚度不超过所述塑封体厚度。本实用新型通过采用贴片式设计，引脚从水平侧面伸出的方式使得整流桥整体厚度降低，其在PCB板上的安装高度降低，可使用SMT自动上板。同时，本实用新型提供的整流桥具有散热好、低热阻的优点。对于同样的器件大小，本实用新型提供的整流桥可承受更大功率。
一种低热大功率整流

[实用新型]一种新型防浪涌二极管-CN201620227244.8有效
发明人：周杰;邱志述;谭志伟 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型防浪涌二极管，包括GPP芯片、包覆GPP芯片的塑封体、GPP芯片的正负端分别连接有引线，引线与GPP芯片连接的一端包覆于塑封体内，另一端伸出于塑封体，GPP芯片尺寸小于或等于80mil，GPP芯片电阻率为15Ω·CM至20Ω·CM，从而使二极管在具有小的封装的同时具有较强的防浪涌能力。
一种新型浪涌二极管

[实用新型]一种SOD-123封装框架的二极管-CN201520593556.6有效
发明人： 邱志述;周杰;谭志伟 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SOD-123封装框架的二极管，包括上料片、下料片和芯片，所述下料片为平面结构，所述上料片包括与所述下料片平行的上平面部和下平面部，所述上平面部和下平面部之间连接平面弯折部，所述平面弯折部与所述上平面部间的夹角为钝角；所述下平面部与所述下料片齐平，所述芯片通过焊料焊接在所述上平面部下表面和所述下料片上表面之间，所述上料片、下料片和芯片包覆于胶体结构中，所述上料片的平面弯折部设置有至少一个通孔。现有SOD-123框架上料片折弯处塑封体较薄，在后工序及客户上板过程中，受外力冲击易产生裂纹，导致产品失效。本实用新型的一种SOD-123封装框架的二极管通过设置的至少一个通孔，加强了折弯处的塑封体强度。
一种 sod 123 封装框架二极管

[实用新型]一种高密度集成引线框架-CN201420087837.X有效
发明人： 邱志述;周杰;谭志伟 -专利权人：乐山无线电股份有限公司;成都先进功率半导体股份有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高密度集成引线框架，下片框架上设有M×N个第一承放块（10），上片框架上设有M×N个第二承放块（30），第二承放块（30）与片状跳线集成为一体形成梯形结构，第二承放块（30）包括跳线端（301）和连接端（302），第一承放块（10）包括承放端（101）和连接端（102），第二承放块的跳线端（301）与第一承放块的承放端（101）在水平位置重合，且形成一个用于安装芯片（20）的芯片承放腔。本实用新型引线框架增加了引线框架中芯片承放结构的密度，提高了产品生产效率，同时提高了资源利用率，降低了生产成本。跳线集成于引线框架上，不需要重新设计和制作跳线，降低生产成本。
一种高密度集成引线框架

[发明专利]GPP芯片腐蚀方法-CN201410018975.7有效
发明人： 邱志述;徐刚 -专利权人：乐山无线电股份有限公司;成都先进功率半导体股份有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种GPP芯片腐蚀方法，包括步骤：一、将光刻处理完毕后的硅片竖直放入腐蚀液中进行一阶段腐蚀，硅片在腐蚀液中的位置为初始位置；二、步骤一中腐蚀完成后，取出硅片，以所述初始位置为参考顺时针旋转硅片90°后将硅片竖直放入腐蚀液进行二阶段腐蚀；三、步骤二中腐蚀完成后，取出硅片，在步骤二硅片旋转90°后的基础上再将硅片顺时针旋转90°后竖直放入腐蚀液进行三阶段腐蚀；四、步骤三中腐蚀完成后，取出硅片，在步骤三硅片旋转90°的基础上再将硅片顺时针旋转90°后竖直放入腐蚀液进行四阶段腐蚀；五、步骤四完成后取出硅片进行清洗。本发明方法腐蚀的硅片的沟槽深度的均匀性好，使制作出的GPP芯片性能参数更优。
gpp 芯片腐蚀方法

[实用新型]高压大功率三相整流桥-CN201220082623.4有效
发明人： 邱志述 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H02M7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种整流桥电路，尤其是一种高压大功率三相整流桥电路。本实用新型针对现有记得问题，提供一种高压大功率三相整流桥，采用陶基覆铜板工艺，减少工艺的复杂度且高压大功率三相整流桥生产成本低，可靠性较高。本技术方案通过陶基覆铜板上各个器件的连接关系，实现高压大功率三相整流桥电路。本实用新型主要应用于整流桥电路领域。
高压大功率三相整流

[实用新型]SMA高密度集成框架-CN201120163083.8有效
发明人： 邱志述;范增勇 -专利权人：乐山无线电股份有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SMA高密度集成框架，其特征在于：所述框架从上至下间隔排列有18排二极管，所述18排二极管每排有22粒二极管，所述每排上的22粒二极管依次连接在框架的同一水平线上。本实用新型的密度提高可以提高生产效率，并且由之前的手动生产变成自动化生产；跳线集成在框架上，不需要重新设计和制作跳线，降低了产品成本；提高了产品质量；成本降低（包括材料和人力成本，提高了资源利用率）。
sma 高密度集成框架

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