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[发明专利]单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列-CN202111159738.9有效
发明人：孙维忠;赵彦立;陈振锋;刘思远;刘超;邱姝颖;孙久国;陈文欣 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请提供一种单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列，通过在提供的衬底一侧依次生长多层外延层，包括缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层、倍增层、反型层、迁移层、窗口层和欧姆接触层，并通过扩散工艺在欧姆接触层和窗口层内形成弧形扩散区，对衬底上的部分外延层的边缘进行刻蚀以形成台面结构，在衬底背面形成光窗口，并在欧姆接触层上形成P型电极、在衬底背面形成N型电极。本方案中，仅需通过一次扩散处理并结合反型层，即可有效降低扩散区域边缘电场，进而有效抑制边缘击穿问题，且相比现有的需要二次扩散处理或二次生长的方式而言，有效降低了制作工艺的复杂性。
光子探测器及其制作方法阵列

[发明专利]单模面射型激光器及其制作方法-CN202210908912.3在审
发明人：孙维忠;唐嘉乐;邱姝颖;章小飞;张臻;凌福进;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种单模面射型激光器及其制作方法，该单模面射型激光器包括依次层叠的衬底、N型DBR、有源层、限制层和P型DBR，衬底上设有N型电极，P型DBR上设有P型电极和出光口，限制层包括中部的出光孔及其外围的氧化区域，有源层包括中间的谐振区及其外围的光栅区，光栅区上设有环绕在谐振区周围的复数同心的环形光栅，最内侧环形光栅的直径大于或等于出光孔的直径。本发明能够保持有源层的厚度不变，缩小谐振区的出光面积，避免器件塌陷、断裂，保持器件的其他结构不受影响，容易实现单纵模、低阈值电流工作，促进高速数据传输以及光通信应用。
单模面射型激光器及其制作方法

[实用新型]面射型激光器-CN202221419278.9有效
发明人：孙维忠;唐嘉乐;罗睿永;邱姝颖;陈美娜;王彦楠 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种面射型激光器，包括自下而上设置的衬底、N型DBR、谐振区、限制层和P型DBR，衬底上设有N型电极，限制层包括位于中部的电流注入区域和位于外围的绝缘区域，P型DBR由若干反射层堆叠而成，P型DBR包括中间区域以及中间区域以外的外环区域，中间区域设于所述限制层的电流注入区域上方，外环区域在限制层上的投影区域位于限制层的绝缘区域内，外环区域的底部的至少一对反射层的至少部分上表面被裸露出并设为低台面，P型DBR的外环区域上设有P型电极，P型电极至少覆盖在低台面上。通过改变P型电极的结构，不仅能优化激光器内部的导电路径，还能降低氧化限制工艺带来的应力，使器件具有良好的散热效果，提高可靠性。
面射型激光器

[实用新型]组合式面射型激光器-CN202221414988.2有效
发明人：孙维忠;唐嘉乐;罗睿永;邱姝颖;章小飞;杨玉明 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种组合式面射型激光器，包括中心激光器和多个外围激光器，多个外围激光器间隔分布在中心激光器的周围，外围激光器和中心激光器上均设有具有氧化孔径的限制层，外围激光器的氧化孔径比中心激光器的氧化孔径大，外围激光器和中心激光器分别与不同的导电线路连接并通入不同大小的电流。本申请采用不同氧化孔径和数量的激光器构成阵列排布，并且不同氧化孔径的激光器采用不同大小的电流，达到不同的发光光斑与功率，实现面光源优化的效果，提高出射光的均匀性，可简化或者取代散射片的规格需求，缩小器件尺寸，优化发散角度，实现平整、均匀的出射光。
组合式面射型激光器

[发明专利]一种背出光的面射型激光器结构及其制作方法和应用-CN202010224240.5在审
发明人：蔡文必;陈文欣;邱姝颖 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种背出光的面射型激光器结构及其制作方法和应用，是在基板的正面依次层叠低反射率的底部DBR、主动区和高反射率的顶部DBR，将顶面出光改变为背面出光，同时在基板对应出光区域位置设置出光孔，使光由基板的出光孔导出。与集成电路芯片整合时，将面射型激光器结构背面朝下的覆设于集成电路芯片上并进行电路连接，封装工艺简单快速，可靠性高。
一种背出光面射型激光器结构及其制作方法应用

[发明专利]激光器件和激光器件的制作方法-CN202010216813.X在审
发明人：林科闯;陈文欣;邱姝颖 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请实施例提供的激光器件和激光器件的制作方法，包括基板以及形成于基板上的层叠设置的第一外延层组，在第一外延层组中包括通过离子注入所形成的N型掺杂层，该N型掺杂层呈环形状且内部形成一窗口。并且，在第一外延层组上还形成有第二外延层，在第一外延层组和第二外延层中，包含一由所述窗口的边缘分别向第一外延层组的方向和第二外延层的方向延伸后所形成的流通通道，电流从该流通通道流通。该激光器件中，利用离子注入所形成的N型掺杂层代替传统的激光器件中通过外延沉积所形成的N型半导体层，简化了制作工艺上的复杂性，且由于该N型掺杂层直接采用离子注入层级中所形成，最终形成的激光器件的表面不具有凸起或凹槽，表面平整。
激光器件制作方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201310071915.7有效
发明人：盛翠翠;邱姝颖;吴超瑜;陶青山;蔡文必 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括：基板，其具有正、反两个主表面，V型凹槽形成于所述导电基板的正表面上，所述V型凹槽表面为一反射面；发光外延层，形成于所述基板上，其边缘在垂直方向上的投影位于V型凹槽的底部与内侧边缘之间，使得由发光外延层边缘发出的光入射到V型凹槽的镜面上，向外侧射出。此结构可以有效提高器件的取光效率，同时可控制发光外延层边缘区域光线的路径。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法-CN201010260023.8有效
发明人：许亚红;蔡家豪;廖齐华;邱姝颖;陈文欣;邱树添 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法，分布布拉格反射层形成于衬底上，第一型磊晶层形成于分布布拉格反射层上，发光层形成于第一型磊晶层上，第二型磊晶层形成于发光层上，表面呈凹陷的十字交叉状扩展条的图形化GaP窗口层形成于第二型磊晶层上；第一电极形成于图形化GaP窗口层正上方，第一电极与图形化GaP窗口层呈中空电流阻塞结构；第二电极形成于衬底背面。本发明完成常规工艺后，采用第一电极与图形化GaP窗口层形成以空气为介质的中空电流阻塞结构，以改变电流从发光层到达表面扩展层的方向，将更多的电流从GaP窗口层四周扩展后汇集至电极，使发光二极管比采用公知技术的二极管的发光效率提高30～50%。
具有电流阻塞结构四元系垂直发光二极管及其制备方法

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