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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种磁随机存储单元及其制备方法、使用方法-CN202110759599.7在审
发明人：王开友;刘雄华;邓永城 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种磁随机存储单元，包括：衬底，缓冲层，形成于所述衬底上，第一拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述缓冲层上，用于通过施加电流，从而驱动所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层中拓扑反铁磁态产生180°翻转，隧穿绝缘层，形成于所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层上，第二拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述隧穿绝缘层上，保护层，形成于所述第二所述拓扑反铁磁Weyl半金属层上。基于拓扑反铁磁Weyl半金属为材料制成磁随机存储单元，不需要依赖外加磁场，稳定性高。
一种随机存储单元及其制备方法使用方法

[发明专利]自旋过滤磁隧道结、制备方法及设备-CN202111103707.1在审
发明人：王开友;刘鹏飞;邓永城 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种自旋过滤磁隧道结，包括：第一磁性层、隧穿层和第二磁性层；第一磁性层，与外接电极连接，用于产生自旋电流；隧穿层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间，用于隔绝第一磁性层和第二磁性层；第二磁性层，具有反铁磁性，以对自旋电流进行过滤。本发明通过设置具有反铁磁性的第二磁性层，能对自旋电流进行过滤，实现巨大的隧穿磁电阻率。本公开还提供了一种自旋过滤磁隧道结的制备方法及设备。
自旋过滤隧道制备方法设备

[发明专利]一种自旋场效应晶体管-CN202010083615.0有效
发明人：王开友;邓永城;朱文凯;胡策;闫法光 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种自旋场效应晶体管，所述晶体管包括：绝缘衬底；依次设置在所述绝缘衬底上的第一半导体层和第二半导体层；分别设置在所述第二半导体层上两端的源电极和漏电极；设置在所述源电极和漏电极之间以及覆盖在所述源电极和漏电极上的介电层，以及，设置在所述源电极和漏电极之间的介电层上的栅极；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型或载流子浓度不同。本发明在第一半导体层和第二半导体层之间形成pn结或内建电场，提高自旋载流子注入的效率。
一种自旋场效应晶体管

[发明专利]一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及制备方法-CN201910292848.9有效
发明人：王开友;杨美音;邓永城 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器，该存取器包括：一楔形自旋轨道耦合层；一磁阻隧道结，位于所述楔形自旋轨道耦合层上，包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性。本发明提供的自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法，将磁阻隧道结设置于楔形的自旋轨道耦合层上，当在自旋轨道耦合层中通入电流源时，会在自旋轨道耦合层中产生自旋流和自旋流密度梯度，自旋流密度梯度引起一个自旋矩，导致磁矩在电流的作用下定向翻转，翻转的方向可以通过自旋电流源的方向控制，实现自旋轨道矩磁阻式随机存储器中磁矩的定向翻转。
一种自旋轨道磁阻随机存储器制备方法

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