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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于制造半导体结构的方法-CN202210003025.1在审
发明人：黄心岩;罗廷亚;李劭宽;邓志霖;李承晋;眭晓林;张孝慷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造一半导体结构的方法，包括于一介电结构中形成沟槽，其个别由所述介电结构的侧表面界定；在所述侧表面上形成间隔层；将一导电材料填入所述沟槽中以形成导电特征件；将一阻挡层选择性地沉积于所述介电结构上；将一电介质材料选择性地沉积在所述导电特征件上以形成一覆盖层；移除所述阻挡层及所述介电结构以形成凹槽；将牺牲材料填入所述凹槽中；形成一维持层以覆盖所述牺牲特征件；移除所述牺牲特征件以获得形成由所述维持层及所述间隔层所围束的气隙的所述半导体结构。
用于制造半导体结构方法

[发明专利]用于制造半导体装置的方法-CN202210003424.8在审
发明人：罗廷亚;李劭宽;邓志霖;蔡承孝;李承晋;杨光玮;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体装置的方法，包括制备一导电结构，其包括多个导电特征；在该导电结构上保形地形成一热传导介质盖层；在该热传导介质盖层上保形地形成一介质涂层；将一牺牲材料填充至所述导电特征之间的凹部中；使该牺牲材料凹陷，以在所述凹槽中形成牺牲特征；在该介质涂层上方形成一撑持层以覆盖所述牺牲特征；及移除所述牺牲特征，以形成由该撑持层所覆盖的气隙。该热传导介质盖层的热导率高于该介质涂层的热导率。
用于制造半导体装置方法

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN202210007384.4在审
发明人：李劭宽;李承晋;蔡承孝;罗廷亚;邓志霖;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文揭示一种制造半导体结构的方法，其包含：形成导电层；在所述导电层上形成经图案化的掩模层；图案化所述导电层以形成导电特征件和凹入部；在所述经图案化的掩模层上形成第一介电层，且以所述第一介电层填入所述凹入部；图案化所述第一介电层以形成开口；选择性地在所述开口中形成阻挡层；形成蚀刻终止层以覆盖所述第一介电层并露出所述阻挡层；在所述蚀刻终止层上形成第二介电层；图案化所述第二介电层以形成通孔并露出所述导电特征件；及将导电材料填入所述通孔以形成互连件，所述互连件与所述导电特征件电连接。
制造半导体结构方法

[发明专利]集成芯片-CN202210915978.5在审
发明人：黄心岩;罗廷亚;李劭宽;邓志霖;李承晋;眭晓林;张孝慷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的一些实施例涉及一种集成芯片，包括半导体基板及位于其上的介电层。一对金属线设置于介电层上，且彼此被一空腔横向隔开。阻障层结构沿着此对金属线最相邻的多个内侧壁延伸，使上述空腔由阻障层结构的多个内侧壁及介电层的顶表面所定义。
集成芯片

[发明专利]互连结构的形成方法-CN202210955015.8在审
发明人：李承晋;张孝慷;罗廷亚;邓志霖;蔡承孝;李劭宽;杨光玮;黄心岩;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开描述了一种用于形成互连结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成导电层，移除导电层的部分以形成从底部向上延伸的导孔部分，在导孔部分和底部上方形成牺牲层，使牺牲层凹蚀至一水平，其大抵等于或低于底部的顶表面的水平，在导孔部分、底部和牺牲层上方形成第一介电材料，并且移除牺牲层以形成邻近底部的气隙。
互连结构形成方法

[发明专利]互连结构-CN202210937983.6在审
发明人：罗廷亚;李承晋;李劭宽;邓志霖;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种互连结构，包含介电层；第一导电部件，设置于介电层之中；盖层，具有第一部分、与第一部分相对的第二部分、以及连接第一部分与第二部分的第三部分，其中所述第三部分与介电层接触。所述结构亦包含支撑层，其与盖层的第一及第二部分接触；第一导电层，设置于第一导电部件之上；第二导电层，设置于介电层之上，以及与第一导电层的顶表面接触的二维材料层，其中所述支撑层、第一部分、第二部分、以及第三部分定义一气隙，且所述气隙设置于第一导电层与第二导电层之间。
互连结构

[发明专利]互连结构-CN202210193604.7在审
发明人：黄心岩;罗廷亚;李劭宽;邓志霖;李承晋;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构，包括一介电层、一第一导电部件、一导电层、一覆盖层、一支撑层以及一蚀刻停止层。第一导电部件设置在介电层中。导电层的第一部分是设置在第一导电部件的上方，且导电层的第二部分是设置在介电层的上方。覆盖层的第一部分与导电层的第一部分接触，覆盖层的第二部分与导电层的第二部分接触，以及覆盖层的第三部分与介电层接触。气隙是由支撑层以及覆盖层所定义。蚀刻停止层设置在导电层的第二部分、覆盖层的第二部分和支撑层的上方。
互连结构

[发明专利]互连结构-CN202210199492.6在审
发明人：李劭宽;杨光玮;蔡承孝;李承晋;罗廷亚;邓志霖;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提出一种互连结构。互连结构包括一介电层、一第一导电特征、一硬掩模层、一导电层及一覆盖层。第一导电特征设置在介电层中。硬掩模层设置在第一导电特征上。导电层包括一第一部分及一第二部分，导电层的第一部分设置在硬掩模层的至少一第一部分上方，且导电层的第二部分设置在介电层上方。硬掩模层及导电层通过不同材料形成。覆盖层设置在介电层及导电层上。
互连结构

[发明专利]内连线结构-CN202210031627.8在审
发明人：黄心岩;罗廷亚;李劭宽;邓志霖;李承晋;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提出一种内连线结构。内连线结构包括介电层、第一导电结构、导电层、第一阻挡层、第二阻挡层及支撑层。第一导电结构位于介电层中；导电层位于介电层上。导电层包括相邻的第一部分与第二部分，且导电层的第二部分位于第一导电结构上。第一阻挡层接触导电层的第一部分；第二阻挡层接触导电层的第二部分；支撑层接触第一阻挡层与第二阻挡层。气隙位于第一阻挡层与第二阻挡层之间，且介电层与支撑层暴露至气隙。
连线结构

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN201910750267.5有效
发明人：郑凯方;邓志霖;黄心岩;陈海清 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括提供介电层；在介电层中形成金属线；在金属线上形成蚀刻停止层，其中，蚀刻停止层包括与羟基结合的金属原子；对蚀刻停止层实施处理工艺，用除氢以外的元素置换羟基中的氢；部分蚀刻蚀刻停止层以暴露金属线；以及在蚀刻停止层之上形成与金属线物理接触的导电部件。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]集成芯片-CN202110856413.X在审
发明人：李劭宽;蔡承孝;罗廷亚;李承晋;邓志霖;郑凯方;黄心岩;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开实施例提出一种集成芯片。集成芯片包括基板上的电性互连结构、热互连结构及热钝化层。电性互连结构包括嵌入于多个互连介电层的多个互连导孔及多个互连线。热互连结构设置在电性互连结构旁且包括多个热导孔、多个热线及/或多个热层。此外，热互连结构嵌入于所述互连介电层。热钝化层设置在所述互连介电层的最顶层之上。热互连结构具有比所述互连介电层更高的导热率。
集成芯片

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202110823957.6在审
发明人：李劭宽;黄心岩;李承晋;杨光玮;罗廷亚;邓志霖;张孝慷;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开是关于一种集成芯片及其形成方法，该集成芯片包括第一互连件及第二互连件，设置于基板上的第一层间介电(inter‑level dielectric；ILD)层内；下蚀刻停止结构，设置于第一ILD层上；第三互连件，设置于第二ILD层内，第二ILD层位于第一ILD层上，其中第三互连件延伸穿过下蚀刻停止结构以与第一互连件接触；以及互连图案层，设置于第二互连件上，并且横向邻近下蚀刻停止结构。
集成芯片及其形成方法

[实用新型]一种辅助盆底超声检查的充气式收腹带-CN202122035801.X有效
发明人：宋朝芳;邓志霖;龚大彬 -专利权人：泸州市人民医院
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： A61F5/03 文献下载
摘要：本发明是一种辅助盆底超声检查的充气式收腹带，用于辅助盆底超声检查，利用非弹力材料制成圆弧形带体和长条形带体拼接而成，两头安装优质魔术贴，在收腹带前半部分位置设置多个充气气囊，由一个橡胶皮囊一端安装橡胶管、气压表、充气阀、充气球囊与气囊连接，充气球囊将空气吸入、然后经橡胶管将气体压入气囊将其胀大，并通过气压计显示气囊内气压情况，需要缩小时通过旋转充气阀放气，达到压力可视、随时调节松紧的目的，便于患者更清楚地掌握自己屏息效果，从而达到合格的屏息程度，增加盆底超声检查的准确性。
一种辅助超声检查充气式收腹带

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111011878.1在审
发明人：黄心岩;郑凯方;邓志霖;李劭宽;陈海清 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种半导体器件，该半导体器件包括第一金属布线层，形成在所述第一金属布线层上方的层间绝缘层，内嵌于所述层间介电层且连接到所述第一金属布线层的第二金属布线层，以及设置于所述第一金属布线层和所述第一层间绝缘层之间的蚀刻停止层。所述蚀刻停止层包括一个或多个子层。所述蚀刻停止层包括由基于铝的绝缘材料、氧化铪、氧化锆或氧化钛制成的第一子层。本发明实施例涉及半导体集成电路，以及更具体地涉及具有通过双镶嵌工艺形成的金属层的半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110274614.9在审
发明人：庄正吉;黄麟淯;张家豪;林佑明;罗廷亚;邓志霖;黄心岩;陈海清 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构的形成方法。该方法包括提供结构，具有栅极堆叠；第一栅极间隔物；第二栅极间隔物位于第一栅极间隔物之一上，并具有上侧部分于下侧部分上；虚置间隔物；蚀刻停止层；以及虚置盖。方法还包括移除虚置盖，以形成第一空洞于栅极堆叠上与第一栅极间隔物之间；移除虚置间隔物，以形成第二空洞于下侧部分上以及蚀刻停止层与上侧部分之间；沉积可分解材料层至第一空洞与第二空洞中；沉积密封层于蚀刻停止层、第一栅极间隔物、第二栅极间隔物、与可分解材料层上；以及移除可分解材料层，以再形成至少部分的第一空洞与第二空洞。
半导体结构形成方法

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