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[发明专利]具有非球面膜床的平台、具有该平台的压力传感器及其制造方法-CN201180023050.6无效
发明人：英·图安·塔姆;迪特尔·施托尔塞;拉斐尔·泰伊朋 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：用于具有膜床的平台的制造的方法包括如下步骤：提供包括硅的平台主体；并且借助激光烧蚀从该平台主体的表面去除硅材料。优选地，经烧蚀的表面被另外氧化；并且经处理并氧化的表面被蚀刻。得到的压力传感器（1）包括具有膜床（6a、6b）的两个平台（2a、2b），该膜床（6a、6b）具有用于支撑测量膜（3）的轮廓，其中该轮廓基本对应于该测量膜（3）的弯曲线。
具有球面平台压力传感器及其制造方法

[发明专利]压力传感器、特别是压力差传感器-CN201080048839.2有效
发明人：蒂莫·科博;迈克尔·菲利普斯;迪特尔·施托尔塞;英·图安·塔姆;罗兰德·维尔特舒茨基 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
申请日： 2010-10-07 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明的压力传感器包括至少一个平台、至少一个测量膜(30)和换能器，其中测量膜包括半导体材料，其中封装压力腔室的测量膜被紧固在平台上，其中测量膜与至少一个压力可接触并且以依赖压力的方式弹性地可变形，其中换能器提供依赖于测量膜的变形的电信号，其中平台具有膜床，测量膜在过载的情形下处于该膜床上从而支撑测量膜，其中膜床(21)具有玻璃层(20)，该玻璃层(20)的表面面对测量膜并且形成压力腔室的壁，其中玻璃层的表面具有适合于在过载的情形下支撑测量膜(30)的轮廓，其特征在于，通过在增加的温度下玻璃板的非支撑区域由于在玻璃板的非支撑区域上的重力而下垂并且随后冷却玻璃板可获得膜床21的轮廓。
压力传感器特别是压力传感器

[发明专利]压力测量装置-CN200880115289.4有效
发明人：伊戈尔·格特曼;迪特尔·施托尔塞;英·图安·塔姆 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：公开了一种压力测量装置，其具有基座(13，13’)、由半导体制成的设置在基座(13，13’)上且与基座(13，13’)相连的中间件(15，15’)、和设置在中间件(15，15’)上并与中间件(15，15’)相连的半导体压力传感器(17)，该压力传感器具有支座(19)和测量薄膜(21)。压力测量装置可靠地保护敏感的测量薄膜(21)抵抗机械应变。在中间件(15，15’)中提供在中间件(15，15’)的内部延伸的环形分布的凹口(33)，该凹口围绕中间件(15，15’)的第一圆柱区段(35)以及在基座侧与第一圆柱区段邻接的第二圆柱区段(37)。第二圆柱区段(37)的外径比第一圆柱区段(35)的要大。凹口向着中间件(15，15’)朝向基座(13，13’)的侧面打开。第二圆柱区段(37)具有朝向基座(13，13’)且位于基座(13，13’)暴露的端面上的端面，该端面形成连接面，中间件(15，15’)通过该连接面与基座(13，13’)牢固地机械连接。
压力测量装置

[发明专利]压差测量单元-CN200880120505.4有效
发明人：沃尔夫冈·丹豪尔;迈克尔·菲利普斯;弗里德里希·施瓦贝;迪特尔·施托尔塞;英·图安·塔姆 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：一种压差测量单元(1)，用于检测第一压力和第二压力之间的压力差，具有：弹性测量系统，其带有至少一个具有硅的测量薄膜(4，203，205)；至少一个承载体(2，5，204)，其与弹性测量系统压密地相连；第一液压路径，用于将第一压力传递到弹性测量系统的第一表面部分上；第二液压路径，用于将第二压力传递到弹性测量系统的第二表面部分上；其中第一压力与第二压力相对地作用，并且测量系统的弹性偏转是第一和第二压力之间的差的量度；其中压差测量单元还具有至少一个液压节流门(9，10，211)，其特征在于，至少一个液压节流门包括多孔硅。
测量单元

[发明专利]压力传感器-CN200880007360.7有效
发明人：伊戈尔·格特曼;迪特尔·施托尔塞;英·图安·塔姆 -专利权人：恩德莱斯和豪瑟尔两合公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：公开了一种BESOI技术中的压阻式压力传感器，其特别适于测量较小的压力并且具有较小的线性误差。压力传感器由具有第一和第二硅层(1，3)以及布置在其间的氧化层(5)的BESOI晶片制成。压力传感器具有由BESOI晶片的第一硅层(1)形成的有源层(7)，在该有源层中掺杂压阻元件(9)；压力传感器还具有由BESOI晶片的第二硅层(3)形成的膜托架(11)，其在外部围绕第二硅层(3)中的凹座(13)，通过该凹座暴露有源层(7)的以及与之连接的氧化层(5)的形成膜(15)的区域，其中，在氧化层(5)的通过凹座(13)暴露的区域(21)的外边缘中提供围绕该区域(21)的沟槽(19)。
压力传感器