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[发明专利]开放式位线DRAM结构的噪声抑制-CN200810129585.1有效
发明人：施连·卢;迪内希·索马谢卡尔;维韦克·德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-10-03 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种开放式位线的动态随机存取存储器(DRAM)结构，它使用了多层位线配置，以减小器件内开关位线之间的耦合。在一种方式中，一排DRAM单元中的每个后续单元都连接到一个不同于这排单元内前一个单元的金属化层上的位线段上。为了进一步减小噪声耦合，还在公用金属化层上的相邻位线之间设置屏蔽元件。此外，还提供了一种功能，利用虚拟信号注入技术来减小DRAM器件中的字线—位线耦合影响。在这种方式中，能够在DRAM器件中一个或多个读出放大器出现饱和情况之前，减小或消除可能会使所述读出放大器出现饱和的共模噪声。在一种方式中，为了实现这种信号注入而设置了虚拟单元和基准单元。本发明的主要原理特别适用于嵌入式DRAM结构，在这种结构中，各个单元内的低电荷存储容量降低了可实现的信号电压。
开放式 dram 结构噪声抑制

[发明专利]开放式位线DRAM结构的噪声抑制-CN200810129584.7有效
发明人：施连·卢;迪内希·索马谢卡尔;维韦克·德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-10-03 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： G11C11/4097 文献下载
摘要：一种开放式位线的动态随机存取存储器(DRAM)结构，它使用了多层位线配置，以减小器件内开关位线之间的耦合。在一种方式中，一排DRAM单元中的每个后续单元都连接到一个不同于这排单元内前一个单元的金属化层上的位线段上。为了进一步减小噪声耦合，还在公用金属化层上的相邻位线之间设置屏蔽元件。此外，还提供了一种功能，利用虚拟信号注入技术来减小DRAM器件中的字线一位线耦合影响。在这种方式中，能够在DRAM器件中一个或多个读出放大器出现饱和情况之前，减小或消除可能会使所述读出放大器出现饱和的共模噪声。在一种方式中，为了实现这种信号注入而设置了虚拟单元和基准单元。本发明的主要原理特别适用于嵌入式DRAM结构，在这种结构中，各个单元内的低电荷存储容量降低了可实现的信号电压。
开放式 dram 结构噪声抑制

[发明专利]开放式位线DRAM结构的噪声抑制-CN01817528.7有效
发明人：施连·卢;迪内希·索马谢卡尔;维韦克·德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-10-03 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：一种开放式位线的动态随机存取存储器(DRAM)结构，它使用了多层位线配置，以减小器件内开关位线之间的耦合。在一种方式中，一排DRAM单元中的每个后续单元都连接到一个不同于这排单元内前一个单元的金属化层上的位线段上。为了进一步减小噪声耦合，还在公用金属化层上的相邻位线之间设置屏蔽元件。此外，还提供了一种功能，利用虚拟信号注入技术来减小DRAM器件中的字线—位线耦合影响。在这种方式中，能够在DRAM器件中一个或多个读出放大器出现饱和情况之前，减小或消除可能会使所述读出放大器出现饱和的共模噪声。在一种方式中，为了实现这种信号注入而设置了虚拟单元和基准单元。本发明的主要原理特别适用于嵌入式DRAM结构，在这种结构中，各个单元内的低电荷存储容量降低了可实现的信号电压。
开放式 dram 结构噪声抑制