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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种准分子激光器腔体光路的准直调谐方法-CN201010300508.5无效
发明人： 连贵君 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01S3/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种调谐准分子激光器腔体光路准直的方法，属于准分子激光器设备技术领域。该方法采用一带有光源和十字图形的调光靶，将调光靶置于准分子激光器的前反射镜一端，分别调整准分子激光器腔体前、后两个反射镜位置，使所述调光靶的十字图形在腔体前、后两个反射镜的成像相互重合及其衍射像对称，从而实现准分子激光器腔体光路准直。本发明操作简单，不需要占用准分子激光器空间，且调谐后的激光器腔体光路可达到最高能量值，不必再用能量标准进行调整。
一种准分子激光器腔体光路调谐方法

[发明专利]一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法-CN200810103523.3有效
发明人： 连贵君;熊光成;康香宁;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-04-08 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶蓝宝石支撑的准悬浮半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法，属于氮化镓衬底技术领域，该方法包括：采用紫外激光束由蓝宝石衬底处入射，照射蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜；调整激光束能量密度，使照射到GaN外延薄膜上的激光束形成能量密度不同的阵列图形；照射能量密度高的GaN外延薄膜部分与蓝宝石衬底发生无损伤剥离，照射能量密度低的GaN外延薄膜部分仍然与蓝宝石衬底连接，制得准悬浮的半导体氮化镓外延薄膜衬底。本发明制得的GaN外延薄膜衬底的力学支撑仍然由单晶蓝宝石提供，其可以有足够的力学稳定性而作为衬底使用在后继工艺中。且该准悬浮GaN薄膜衬底的外延应力小、缺陷密度少。
一种半导体氮化外延薄膜衬底制备方法

[发明专利]一种改变氧化物材料物理性质的方法-CN200810239606.5无效
发明人： 连贵君;熊光成 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用电学调整改变氧化物材料物理性质的方法。该方法包括：选择弱导电氧化物材料作为待改变氧化物材料，该氧化物材料的电阻率在1x10^-4至1x10⁹Ω.cm范围内；在待改变氧化物材料的一侧或两侧沉积氧化物绝缘薄膜，使之形成氧化物绝缘势垒结器件，或待改变氧化物材料连接一氧化物半导体材料形成氧化物半导体势垒结器件；对氧化物绝缘势垒结器件或氧化物半导体势垒结器件施加一电压，电压值为1V至700V或负0.1V至负50V，致使待改变氧化物材料的物理性质得到改变。本发明不同于传统的依赖化学工业技术的材料开发，不仅可以用于发现新材料，而且也可以作为新型电子器件的原型，用于构造新型电路。
一种改变氧化物材料物理性质方法

[实用新型]一种用于制备氧化物薄膜或金属薄膜的加热器-CN200820108886.1无效
发明人： 连贵君;熊光成 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制备氧化物薄膜或金属薄膜的加热器，属于真空设备领域。该加热器包括两块耐高温不锈钢板和一根超细电阻加热丝，两块耐高温不锈钢板上下叠放，固定在一起，所述超细电阻加热丝均匀排放在上述耐高温不锈钢板之间的缝隙里。本实用新型克服了普通加热器的高温状态有挥发物的缺陷，制备高品质薄膜的成膜效率高。且输入电功率低，升温速度快，耐用，寿命长。
一种用于制备氧化物薄膜金属加热器

[发明专利]利用异质界面两侧电学性能变化识别界面特性的方法-CN200710002678.3有效
发明人： 连贵君;熊光成 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用异质界面两侧电学性能变化识别界面特性的方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括：(1)在异质界面的上层材料和下层材料上分别设置若干个电接点；(2)分别在异质界面的上层材料或下层材料上通电流；(3)通过测量上层材料和下层材料的随电流改变的电压变化，分别得到异质界面上层材料和下层材料的电势分布；(4)根据异质界面上层材料和下层材料的电势分布，确定界面的电学特性。利用本发明提供的方法可以制备相应的实验仪器，用于异质界面(包括多种不同材料以及由半导体材料组成的微电子器件异质界面)研究，也可以利用本发明设计新器件。
利用界面两侧电学性能变化识别特性方法

[发明专利]电调制改变电阻的实现方法及可变电阻器件-CN200610127448.5无效
发明人： 连贵君;熊光成 -专利权人：北京大学
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电调制改变异质结构薄膜样品电阻的实现方法，即将导电电阻薄膜设置在低电阻的半导体衬底上，通过施加并调制垂直于半导体和导电电阻薄膜之间界面的电压，改变导电电阻薄膜的水平方向电阻值。本发明还提供一种电调制改变电阻的器件，包括导电电阻薄膜，导电电阻薄膜设置在半导体衬底上，在导电电阻薄膜上设置两个水平电极，在半导体衬底上设置第三个电极，在半导体衬底和导电电阻薄膜之间设置调整电路。本发明在电子器件以及磁电子器件方面可有广泛的应用。
调制改变电阻实现方法可变器件

[实用新型]夜间可视时钟-CN200620036123.1无效
发明人： 连贵君;刘中和;叶玉堂;田骁;陈镇龙;熊光成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G04B19/30 文献下载
摘要：一种夜间可视时钟，包括透明罩盖、装有指针的表盘以及机壳，还具有主要由电源和发光体组成的半导体固态照明装置，电源设置在机壳中，发光体设置在所述透明钟罩与表盘之间的侧壁上，机壳面板上设置有夜视开关，夜视开关连接在电源对发光二极管供电的回路中。本新型结构简单，实用性强。它可以在黑暗中提供表盘光照、以看清时间，使用又不会对睡眠中的同室人造成干扰。
夜间可视时钟

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