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[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法-CN202010268836.5有效
发明人：程仲良;方子韦;吴俊毅;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文所述的实施例针对用于制造具有与基于铝的n型功函层相反的无铝n型功函层的晶体管的方法。该方法包括：形成设置在间隔开的源极/漏极外延层之间的沟道部分，以及在沟道部分上形成栅极堆叠件，其中，形成栅极堆叠件包括在沟道部分上沉积高k介电层并在介电层上沉积p型功函层。在沉积p型功函层之后，在没有真空破坏的情况下，在p型功函层上形成无铝n型功函层，并且在无铝n型功函层上沉积金属。该方法还包括沉积围绕间隔开的源极/漏极外延层和栅极堆叠件的绝缘层。本发明的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。
半导体结构形成方法

[发明专利]形成介电层的方法、半导体结构及其形成方法-CN201911180066.2有效
发明人：张毅敏;程仲良;张翔笔;孙宏彰;黄耀升;吕育玮;李芳苇;方子韦;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一沟道层，设置在第一区域中；第二沟道层，设置在第二区域中；第一介电层，设置在第一沟道层上；第二介电层，设置在第二沟道层上；第一栅电极，设置在第一介电层上；第二栅电极，设置在第二介电层上。第一区域中的第一沟道层包括第一Ge浓度的Ge化合物，第二区域中的第二沟道层包括第二Ge浓度的Ge化合物。第一沟道层中的第一Ge浓度大于第二沟道层中的第二Ge浓度。本发明的实施例涉及形成介电层的方法、形成半导体结构的方法。
形成介电层方法半导体结构及其

[发明专利]晶体管中的功函数金属及其形成方法-CN202210698450.7在审
发明人：李欣怡;廖均达;洪正隆;蔡彦明;简瑞宏;赵皇麟;张文;张志维;蔡明兴;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管中的功函数金属及其形成方法。一种方法，包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧面形成源极/漏极区域；去除虚设栅极堆叠以形成沟槽；形成延伸进入沟槽内并且位于半导体区域上的栅极电介质层；以及在栅极电介质层之上沉积第一功函数层。第一功函数层包括选自由钌、钼及其组合组成的组中的金属。方法还包括：在第一功函数层之上沉积导电填充层；以及执行平坦化工艺以去除导电填充层、第一功函数层和栅极电介质层的多余部分，从而形成栅极堆叠。
晶体管中的函数金属及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010350510.7有效
发明人：林政明;杨世海;方子韦;徐志安;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开描述了可以消除或最小化在铁电场效应晶体管的金属栅极层上形成氧化物的方法。在一些实施例中，该方法包括提供在其上具有鳍的衬底；以及在鳍上沉积界面层；在界面层上沉积铁电层；在铁电层上沉积金属栅极层；使金属栅极层暴露于金属卤化物气体；执行后金属化退火，其中在不发生真空中断的情况下将金属栅极层暴露于金属卤化物气体和执行后金属化退火。本公开的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202210937904.1在审
发明人：林斌彦;林经祥;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体结构可包括基板、形成在基板上方的第一鳍片结构及第二鳍片结构、以及位于第一鳍片结构及第二鳍片结构之间的隔离结构。隔离结构可包括下部及上部。隔离结构的下部可包括无金属介电材料。隔离结构的上部可包括金属元素及硅。
半导体结构

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210881161.0在审
发明人：张翔笔;程仲良;张毅敏;黄耀升;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包含在基底上形成鳍结构，在鳍结构上形成栅极开口，在鳍结构上形成界面氧化物层，在界面氧化物层上形成第一介电层，在界面氧化物层和第一介电层之间形成偶极层，在第一介电层上形成第二介电层，在第二介电层上形成功函数金属(WFM)层，以及在WFM层上形成栅极金属填充层。偶极层包含彼此不同的第一和第二金属的离子。第一和第二金属的电负值大于第一介电层的金属或半导体的电负值。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210886647.3在审
发明人：张翔笔;程仲良;张毅敏;黄耀升;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：此处公开一种具有不同栅极结构设置的半导体装置与其制作方法。方法包括形成鳍状结构于基板上；形成栅极开口于鳍状结构上；形成金属氧化物层于栅极开口中；形成第一介电层于金属氧化物层上，形成第二介电层于第一介电层上；形成功函数金属层于第二介电层上；以及形成栅极金属填充层于功函数金属层上。形成第一介电层的步骤包括沉积氧化物材料，其氧面积密度小于金属氧化物层的氧面积密度。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210797685.1在审
发明人：张翔笔;赵皇麟;程仲良;林斌彦;林君纯;李慈莉;梁育嘉;侯敦晖;刘文中;吴俊毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构包括第一界面氧化物(IO)层、设置在第一界面氧化物层上的第一高K(HK)介电层、以及设置在第一IO层与第一HK介电层之间的界面处的第一偶极子层。HK介电层包括稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。第二栅极结构包括第二IO层、设置在第二IO层上的第二HK介电层、以及设置在第二IO层与第二HK介电层之间的界面处的第二偶极子层。第二HK介电层包括过渡金属掺杂剂和稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有无铝功函数层的NFET及其形成方法-CN202210196667.8在审
发明人：李欣怡;张文;徐志安;吴俊毅;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请公开了具有无铝功函数层的NFET及其形成方法。一种方法包括在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的一侧上形成源极/漏极区域，去除虚设栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸到沟槽中的栅极电介质层，在栅极电介质层之上沉积含金属层，以及在含金属层上沉积含硅层。含金属层和含硅层共同用作功函数层。执行平坦化工艺以去除含硅层、含金属层和栅极电介质层的多余部分，其中，含硅层、含金属层和栅极电介质层的剩余部分形成栅极堆叠。
有无函数 nfet 及其形成方法

[发明专利]抛光方法-CN202210712713.5在审
发明人：廖峻宏;吴振豪;李安璿;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本公开描述一种抛光方法和一种抛光设备，可增强用于化学机械抛光制程的研磨浆氧化性。抛光方法可包括将一基板固定至一抛光系统的一承载件之上。所述抛光方法可更包括借由抛光系统的一供料器分配一第一研磨浆至抛光系统的一抛光垫。所述抛光方法可更包括借由增强第一研磨浆的氧化性形成一第二研磨浆，以及使用第二研磨浆在基板上执行一抛光制程。
抛光方法

[发明专利]半导体器件中的栅极结构及其形成方法-CN202210344564.1在审
发明人：李欣怡;张文;张翔笔;赵皇麟;程仲良;徐志安;李昆育;沈泽民;董彦佃;吴俊毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件中的栅极结构及其形成方法。一种方法，包括去除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成第一沟槽和第二沟槽。所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠分别位于第一器件区和第二器件区。所述方法还包括沉积分别延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一栅极电介质层和第二栅极电介质层；形成含氟层，所述含氟层包括在所述第一栅极电介质层之上的第一部分和在所述第二栅极电介质层之上的第二部分；去除所述含氟层的第二部分；执行退火工艺以将所述含氟层的第一部分中的氟扩散到所述第一栅极电介质层中；和在所述退火工艺之后，分别在所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层之上形成第一功函数层和第二功函数层。
半导体器件中的栅极结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210429831.5在审
发明人：张毅敏;张荣宏;程仲良;张翔笔;黄耀升;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置结构，包括第一源极/漏极外延结构，形成于基板上；第二源极/漏极外延结构，形成于基板上；两个或更多个半导体层，位于第一源极/漏极外延结构与第二源极/漏极外延结构之间；栅极层，围绕半导体层之一的一部分；第一介电区，位于基板中并接触第一源极/漏极外延结构的第一侧；以及第二介电区，位于基板中并接触第二源极/漏极外延结构的第一侧，且第二介电区与第一介电区隔有基板。
半导体装置结构

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN202210344583.4在审
发明人：李欣怡;赵皇麟;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本文所述的一些实施例提供一种晶体管及其制造方法。此方法包含形成晶体管的通道结构。此方法包含形成包含铝和碳的功函数材料在通道结构周围。形成功函数材料在通道结构周围包含施加化学浸泡液，其中化学浸泡液的材料包含铝、碳及氢基材料。功函数材料包含的钛的浓度为功函数材料的0％至小于1.5％。本文所述的一些实施例提供一种晶体管。晶体管包含通道结构及设置在通道结构周围的碳化铝(AlC)基功函数材料。功函数材料包含的钛的浓度为功函数材料的0％至小于1.5％。
晶体管及其制造方法

[发明专利]纳米片的氟掺入方法-CN202210055609.3在审
发明人：李欣怡;黄懋霖;朱龙琨;赵皇麟;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种纳米片的氟掺入方法，包括以下步骤：在基板上形成多个纳米结构；蚀刻该些纳米结构以形成凹槽；在凹槽中形成源极/漏极区域；移除该些纳米结构的第一纳米结构，留下该些纳米结构的第二纳米结构；在第二纳米结构上方及周围沉积栅极介电层；在栅极介电层上沉积保护材料；对保护材料进行氟处理；移除保护材料；在栅极介电层上沉积第一导电材料；及在第一导电材料上沉积第二导电材料。
纳米掺入方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202110584600.7在审
发明人：刘冠良;程仲良;陈升照;林勇志;蔡嘉雄;赵皇麟;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成芯片,包含布置在衬底上方的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间延伸的多个第一沟道结构。第一栅极电极布置在第一沟道结构之间，且第一保护层布置在第一沟道结构中的最顶部第一沟道结构上方。第二晶体管包含在第二源极/漏极区与第三源极/漏极区之间延伸的多个第二沟道结构。第二栅极电极布置在第二沟道结构之间，且第二保护层布置在第二沟道结构中的最顶部第二沟道结构上方。集成芯片更包含布置在衬底与第一沟道结构和第二沟道结构之间的第一内连线结构以及耦合到第二源极/漏极区且布置在第一栅极电极和第二栅极电极上方的接触插塞结构。
集成芯片及其形成方法

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