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[发明专利]圆筒形二次电池的焊接部无损检查方法-CN202110777843.2在审
发明人：李钟昊;赵光熙;金承坤;具相文;崔柏永 -专利权人：株式会社星友;内眼股份有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本发明提供可以迅速准确地检查焊接部的焊接状态的圆筒形二次电池的焊接部无损检查方法。其包括：第一测量步骤，沿着通过被检查物的检查面的中心的线性的第一走行路径移动传感器，测量第一接收信号；第二测量步骤，沿着通过被检查物的检查面的中心并与第一走行路径相交的线性的第二走行路径移动传感器，测量第二接收信号；位置设定步骤，根据从第一和第二接收信号分别计算出的第一和第二计算信号，设定焊接部的位置；第三测量步骤，沿着通过进行了位置设定的焊接部的线性的第三走行路径移动传感器，并测量第三接收信号；以及焊接状态判断步骤，将从第三接收信号计算出的第三计算信号与预设的基准判断值进行比较来判断焊接部的焊接状态。
圆筒二次电池焊接无损检查方法

[发明专利]晶圆到晶圆接合方法及晶圆到晶圆接合设备-CN202010630336.1在审
发明人：任京彬;尹贤埈;赵光熙;李济元;韩珉洙;金俊亨;石承大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在晶圆到晶圆接合方法中，第一晶圆被真空吸附在下平台的第一表面上，并且第二晶圆被真空吸附在上平台的第二表面上。通过下推动杆将压力施加到第一晶圆的中间部分，并且通过上推动杆将压力施加到第二晶圆的中间部分。第一晶圆和第二晶圆的接合径向向外传播。检测第一晶圆和第二晶圆的接合传播位置。下推动杆的突出长度和上推动杆的突出长度的比率根据接合传播位置而改变。
晶圆到晶圆接合方法设备

[发明专利]包括具有可变电阻特性的存储器单元的电子器件-CN201410838398.6有效
发明人： 赵光熙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电子器件包括半导体存储器。所述半导体存储器包括：层叠结构，其包括第一电极、第二电极、第三电极、插入在所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘层、以及插入在所述第二电极和所述第三电极之间的可变电阻层；以及，选择元件层，其被设置在所述层叠结构的侧壁的至少一部分之上。
包括具有可变电阻特性存储器单元电子器件

[发明专利]非易失性存储器件-CN201410330676.7有效
发明人： 赵光熙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括多个第一电极线，多个第一电极线包括具有凸顶表面的上部。多个第二电极线被设置在多个第一电极线之上以与多个第一电极线交叉，以及多个存储器图案被设置在多个第一电极线和多个第二电极线之间。
非易失性存储器

[发明专利]电子器件-CN201410643881.9有效
发明人： 赵光熙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：一种电子器件包括半导体存储单元。所述半导体存储单元包括：多个第一线，在第一方向上延伸；多个第二线，在与第一方向相交叉的第二方向上延伸；以及多个存储器单元，在第一线和第二线的相交处设置在第一线和第二线之间。存储器单元中的每个包括：可变电阻元件，耦合到且布置在相对应的第二线与第一选择元件和第二选择元件之间；第一选择元件，耦合到且布置在可变电阻元件和相对应的第一线之间；以及第二选择元件，耦合到且布置在可变电阻元件和相对应的第一线之间。第一选择元件允许双向电流流过，第二选择元件允许单向电流流过。
电子器件