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[发明专利]半导体器件-CN201610320436.8有效
发明人： 赤木望;利田祐麻;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体元件(9)的元件电极(12、17)设置在单元区(1)中，而电连接到半导体衬底(6)的最外周电极(21)设置在周边区(2)中。在周边区(2)中，第二导电型层(7)设置在超级结结构之上。电位分割区(23)设置在第二导电型层(7)之上，以电连接元件电极(12、17)和最外周电极(21)，并还将元件电极(12、17)和最外周电极(21)之间的电压分成多个级。当从半导体衬底(6)的厚度方向看时，电位分割区(23)的一部分与周边区(2)重叠。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201580015009.2在审
发明人：利田祐麻;赤木望 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在具有SJ构造的半导体装置中，能够减少输出电容损失，并且抑制复原噪声和浪涌电压的增加。在第2导电型列区域(3)以及位于第2导电型列区域(3)上的半导体层(4)的至少某一方设置第1导电型区域(6)，该第1导电型区域(6)在第1电极(13)和第2电极(12)之间的电压为0时具有非耗尽层区域。并且，当第1电极(13)和第2电极(12)之间的电压为规定电压时，形成在第1导电型列区域(2)和第2导电型列区域(3)及第2导电型层(4)的界面的耗尽层(14)、以及形成在第1导电型区域(6)和该第1导电型区域(6)所形成的区域的界面之间的耗尽层(14)相连。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380062964.2在审
发明人：利田祐麻;赤木望;林敬太 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具备比超结构造高杂质浓度的深层(18)。所述深层从距半导体层(5)的表面为规定深度的位置形成，与高杂质层(10)相接并与所述超结构造相接。从衬底法线方向来看，所述深层和表面电极(12)中的与所述高杂质层相接的部分中成为最外周侧的第1端部(P1)与所述高杂质层中的外周侧的端部之间重叠。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201280047129.7在审
发明人： 赤木望;利田祐麻;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体元件（9）的元件电极（12、17）设置在单元区（1）中，而电连接到半导体衬底（6）的最外周电极（21）设置在周边区（2）中。在周边区（2）中，第二导电型层（7）设置在超级结结构之上。电位分割区（23）设置在第二导电型层（7）之上，以电连接元件电极（12、17）和最外周电极（21），并还将元件电极（12、17）和最外周电极（21）之间的电压分成多个级。当从半导体衬底（6）的厚度方向看时，电位分割区（23）的一部分与周边区（2）重叠。
半导体器件

[发明专利]包括垂直半导体元件的半导体器件-CN201280046798.2有效
发明人：利田祐麻;赤木望 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：设置有垂直半导体元件的半导体器件具有沟槽栅极结构和伪栅极结构。沟槽栅极结构包括被形成为通过穿透第一杂质区（5）和基极区（4）以到达超结结构中的第一导电类型区（2b）的第一沟槽（7）。伪栅极结构包括第二沟槽（10），第二沟槽（10）通过穿透基极区（4）到达超结结构并被形成为比第一沟槽（7）更深。
包括垂直半导体元件半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110197338.7有效
发明人：山本刚;住友正清;山口仁;赤木望;利田祐麻 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底(10)；在所述衬底上的多个第一和第二导电类型区域(20，30)，以用于提供超结结构；位于所述超结结构上的沟道层(40)；所述沟道层中的第一导电类型层(51)；所述沟道层中的接触第二导电类型区域(52)；经由栅极绝缘膜(62)位于所述沟道层(40)上的栅极电极(63)；所述沟道层上的表面电极(70)；位于与所述超结结构相对的所述衬底上的背侧电极(90)；以及掩埋第二导电类型区域(53)。所述掩埋第二导电类型区域设置在相应的第二导电类型区域中，突出至所述沟道层中并且与所述接触第二导电类型区域接触。所述掩埋第二导电类型区域的杂质浓度高于所述沟道层的杂质浓度，并且在所述相应的第二导电类型区域中的位置处具有最大杂质浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200810184399.8有效
发明人：曾根弘树;山田明;白木聪;赤木望 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置。该半导体装置包括包含有源层(101)、掩埋绝缘膜(103)和支撑衬底(102)的SOI衬底(104)；位于有源层(101)中且在第一基准电位下可操作的低电位基准电路部件(LV)；位于有源层(101)中且在第二基准电位下可操作的高电位基准电路部件(HV)；位于有源层(101)中且用于在第一和第二基准电位之间提供电平移动的电平移动元件形成部件(LS)；以及使支撑衬底(102)的第一和第二部分互相绝缘的绝缘构件(130)，其中所述第一和第二部分的位置分别对应于低和高电位基准电路部件(LV、HV)。
半导体装置

[发明专利]具有高击穿电压晶体管的半导体器件-CN200810170454.8有效
发明人：山田明;赤木望 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有半导体层(4)的高击穿电压晶体管(3)。该半导体层(4)具有元件部分(8)和布线部分(9)。元件部分(8)具有在半导体层(4)的正面上的第一布线(18)和在半导体层(4)的背面上的背面电极(19)。元件部分(8)构成为垂直晶体管，使电流在半导体层(4)的厚度方向上在第一布线(18)和背面电极(19)之间流动。背面电极(19)延伸到布线部分(9)。布线部分(9)具有在半导体层(4)的正面上的第二布线(23)。提供布线部分(9)和背面电极(19)作为允许电流流到第二布线(23)的拉线。
具有击穿电压晶体管半导体器件

[发明专利]半导体设备及其制造方法-CN200810170455.2有效
发明人： 赤木望;山口仁;藤井哲夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了一种半导体设备。所述半导体设备包括具有彼此相对的第一表面(10a)和第二表面(10b)的半导体衬底(10)。所述半导体设备还包括其中每一个都具有一对分别位于半导体衬底(10)的第一和第二表面(10a，10b)上的电极(18a，18b，21，21a，21b)的多个双-面电极元件(50，50a，50b)。电流在所述第一和第二电极(18a，18b，21，21a，21b)之间流动。每一双-面电极元件(50，50a，50b)具有位于所述半导体衬底(10)内的PN柱形区域(13)。所述半导体设备还包括包围所述多个双-面电极元件(50，50a，50b)中的每一个的绝缘沟槽(30)，所述绝缘沟槽(30)使所述多个双-面电极元件(50，50a，50b)相互绝缘并隔离。
半导体设备及其制造方法

[发明专利]具有横向MOS晶体管和齐纳二极管的半导体器件-CN200710147106.4有效
发明人：高桥茂树;中野敬志;赤木望;樋口安史;藤井哲夫;服部佳晋;桑原诚;冈田京子 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。
具有横向 mos 晶体管齐纳二极管半导体器件

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