“赛芬半导体有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]密集存储器阵列的过渡区-CN200680051735.0无效
发明人：博阿兹·埃坦;拉斯托姆·伊拉尼;阿萨夫·沙皮尔 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-11-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：一种非易失性存储器芯片，其具有：以亚F(低于最小特征尺寸F)的宽度间隔开的字线；以及至少两个过渡区中的所述字线的延伸部分，其中所述过渡区中的至少之一中的相邻的所述延伸部分以至少F的距离间隔开。本发明还包括一种用于对非易失性存储器芯片进行字线图案化的方法，所述方法包括：根据其宽度至少为最小特征尺寸F的掩膜生成的元件，生成在过渡区中具有延伸部分的亚F字线，所述延伸部分用于连接到外围晶体管。
密集存储器阵列过渡

[发明专利]非易失性存储器件及读取存储单元的方法-CN200810135688.9无效
发明人：爱德华多·马彦;盖伊·科亨;博阿兹·埃坦 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G11C16/28 文献下载
摘要：一种非易失性器件和操作该器件的方法，其包括根据不同存储单元组的阈值电压分布的变化改变用于读取一组存储单元的读取参考电平。该改变步骤可以包括确定与非易失性存储器单元阵列的一组存储单元相关的历史单元的历史读取参考电平以及将感测到的逻辑状态分布与存储的逻辑状态分布进行比较。
非易失性存储器读取存储单元方法

[发明专利]对称阵列的制备方法-CN200610164104.1无效
发明人：埃利·鲁斯基;伯阿兹·埃坦 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储设备，其包括多个字线区域、氧化物－氮化物－氧化物(ONO)层和保护元件，每个字线区域通过接触区相互隔开，所述ONO层位于所述字线区域内并且至少部分地位于所述接触区内，当在外围区域中形成隔离层时生成所述保护元件，以保护在所述接触区中ONO层下的硅。本发明还提供一种非易失性存储设备，其包括多个字线区域和位线氧化物，每个所述字线区域通过接触区相互隔开，所述位线氧化物的高度是相邻位线氧化物之间距离的至少四分之一。
对称阵列制备方法

[发明专利]擦除非易失性存储器单元的方法-CN200610115046.3无效
发明人：埃利·卢斯基;博阿兹·埃坦 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-08-17 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：一种方法包括确定一起擦除的行的分组，以在大量程序和擦除周期之后最小化与烘焙相关联的裕度损失。或者，所述方法包括确定一起擦除的行的分组，以最小化得到的擦除阈值电压分布的宽度，将所述分组一起擦除，当分组被擦除校验通过时，中止组的擦除并对之前未通过擦除校验的分组执行所述擦除步骤。
擦除非易失性存储器单元方法

[发明专利]用于读取非易失性存储单元的方法-CN200610115051.4无效
发明人：阿萨夫·沙皮尔;盖伊·科亨;埃利·卢斯基 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-08-17 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种方法，包括改变用于读取一组存储单元的读取参考电平，其作为不同组存储单元的阈值电压分布中的改变的函数。所述改变步骤包括确定与非易失性存储单元阵列的一组存储单元相关联的一组历史单元的历史读取参考电平，能够正确读取所述一组历史单元，根据第一读取参考电平选择存储器读取参考电平，以及读取所述非易失性存储阵列单元。
用于读取非易失性存储单元方法

[发明专利]密集型非易失性存储器阵列及其制造方法-CN200610159382.8无效
发明人：博阿兹·埃坦;利安·布洛姆;拉斯托姆·伊拉尼 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-07-18 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性存储器阵列具有间隔亚F(亚最小特征尺寸F)宽度的字线以及一般与所述字线垂直的位线。本发明还包括用于对非易失性存储器阵列进行字线构图的方法，其包括由宽度至少为最小特征尺寸F的掩模产生元件产生亚F字线。
密集型非易失性存储器阵列及其制造方法

[发明专利]用于非易失性存储器阵列中的读取误差检测的方法、电路和系统-CN200480039234.1无效
发明人：盖伊·科亨 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2004-10-27 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明是一种用于确定将在读取被编程到给定编程状态的单元时使用的参考电压的方法、电路和系统。本发明的一些实施例涉及用于建立一组将用于操作(例如读取)NVM块或阵列中的单元的操作参考单元的系统、方法和电路。作为本发明的一部分，可以读取NVM块或阵列的单元中的至少一个子集，并且可以将在与该阵列相关的给定状态发现的单元数量与一个或多个校验和值进行比较，所述一个或多个校验和值是在单元的所述至少一个子集的编程期间获得的。根据比较的结果，可以调节与给定编程状态相关的或与相邻状态相关的读取验证阈值参考电压。
用于非易失性存储器阵列中的读取误差检测方法电路系统

[发明专利]用于对非易失性存储器阵列编程的方法、系统和电路-CN200480039400.8无效
发明人：盖伊·科亨;博阿兹·埃坦 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2004-10-27 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明是一种用于编程NVM阵列(100)中的非易失性存储器(“NVM”)单元的多阶段方法、电路和系统。本发明可包括控制器(110)，用于在第一编程阶段(2000)，确定第一组单元的一个或多个单元何时达到或超过第一中间电压，并使电荷泵电路(130)向第一组中的一个或多个单元(100)的端子施加第二阶段编程(3000)脉冲，以便在具有较少储存电荷的单元中比在具有相对多储存电荷的单元中感应相对更大的阈值电压变化。
用于非易失性存储器阵列编程方法系统电路

[发明专利]用于确定参考电压的方法、电路和系统-CN200480038992.1无效
发明人：盖伊·科亨 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2004-10-27 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明是一种用于确定参考电压的方法、电路和系统。本发明的一些实施例涉及用于建立一组将用于操作(例如读取)NVM块或阵列中的单元的操作参考单元的系统、方法和电路。作为本发明的一部分，可以使用两组或多组测试参考单元中的每一个来读取NVM块或阵列中的单元的至少一个子集，其中每一组测试参考单元可以产生或者提供至少稍微偏离于每一个其他测试参考单元组的参考电压。对于用于读取NVM块的至少一个子集的每一组测试参考单元，可以计算或者确定读取误差率。可以选择与相对低的读取误差率相关的一组测试参考单元作为将用于操作(例如读取)NVM块或阵列中的所述单元子集之外的其他单元的操作参考单元组。在另一实施例中，所选择的测试参考单元组可以用于建立操作参考单元组，其具有基本上等于所选择的测试组的参考电压的参考电压。
用于确定参考电压方法电路系统

[发明专利]用于嵌入NROM的方法-CN200610089846.2无效
发明人：利安·布洛姆 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种用于使非易失性存储器嵌入有逻辑电路的方法，而不改变逻辑电路和NVM元件的性能(和/或不改变逻辑电路和NVM元件的制造步骤的顺序)。该嵌入工艺包括以维持CMOS性能的方式将NVM器件和阵列工艺步骤插入到现有逻辑CMOS工艺中，由此使得能使用现有电路库。因此NVM可以与高速低压CMOS结合，而不存在任何性能或可靠性的损失。
用于嵌入 nrom 方法

[发明专利]NROM单元中的阈值电压偏移-CN200610091700.1无效
发明人：埃利·卢斯基 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种NROM(氮化物只读存储器)单元，通过沟道热电子注入对其进行编程，通过热空穴注入对其进行擦除，该单元包括由底部氧化物层、电荷俘获层、以及顶部氧化物层形成的电荷俘获结构。所述底部氧化物层不厚于提供容限稳定性的底部氧化物层。
nrom 单元中的阈值电压偏移

[发明专利]擦除存储器阵列上存储单元的方法-CN200610005996.0无效
发明人：阿萨夫·沙比尔 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种擦除存储器阵列上存储单元的方法，该方法包括向存储单元阵列的单元集合的比特施加擦除脉冲，并仅在被擦除的单元集合的一个子群上执行擦除校验操作，以检查存储单元阈电压(Vt)是否已经降低至一擦除校验(EV)电压水平。
擦除存储器阵列存储单元方法

[发明专利]可预防固定模式编程的方法-CN200610005997.5无效
发明人：阿萨夫·沙比尔 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种可预防固定模式编程的方法，该方法包括将数据编程入存储器阵列中存储器单元的一种模式，并通过周期性扰动数据以预防固定程式编程，因此数据就被存储在存储器阵列中存储器单元的不同模式里。
预防固定模式编程方法

[发明专利]一种存储设备的操作方法-CN200610005264.1无效
发明人：爱德华多·马彦;博阿兹·艾坦 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-01-05 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种在存储阵列中存储单元字节的操作方法及系统，该方法包括将第一操作脉冲应用到第一单元的终端，第一操作脉冲会把第一单元置于预先确定的状态；然后将第二操作脉冲应用到组中第二单元的终端，第二操作脉冲会把第二单元置于预先确定的状态，第二操作脉冲的脉冲特性是第一单元对第一操作脉冲的响应函数。
一种存储设备操作方法

[发明专利]一种擦除一个或多个非易失存储器单元的方法、电路和系统-CN200610005416.8无效
发明人：阿萨夫·沙比尔;夏伊·艾森 -专利权人： 赛芬半导体有限公司
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明是一种擦除非易失存储器(“NVM”)阵列或阵列段上的NVM单元的方法、电路或系统。按照本发明的一个例子，一个或多个擦除脉冲参数可与NVM阵列内的每个阵列段相关联。无论何处，个别的擦除脉冲参数可与NVM阵列内一个以至所有阵列段相关联。按本发明的某些例子，施加到阵列段内一个或多个NVM单元上的擦除脉冲的特性(如脉冲振幅、脉冲持续时间等)可至少部分基于一个或多个与给定阵列段相关联的擦除脉冲参数。
一种擦除一个多个非易失存储器单元方法电路系统

1
2
下一页»
尾页
共 20 条