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[发明专利]微型半导体元件以及微型半导体结构-CN202211428047.9在审
发明人：萧瑜萱;赖腾宪;林子旸 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种微型半导体元件以及微型半导体结构。微型半导体元件包括磊晶结构以及光学层。光学层配置于磊晶结构上。光学层为多层膜结构且包括第一膜层、第二膜层以及配置于第一膜层与第二膜层之间的第三膜层。第一膜层的折射率与第二膜层的折射率皆大于第三膜层的折射率。第三膜层的厚度大于第一膜层的厚度与第二膜层的厚度。光学层对微型半导体元件的外部光的反射率大于微型半导体元件的磊晶结构的自发光。本发明的微型半导体元件可让外部光对磊晶结构的影响最小化，以确保磊晶结构本身的特性，可具有较佳的结构可靠度。
微型半导体元件以及结构

[发明专利]发光二极管-CN201910386672.3有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN202010313803.8在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201610256143.8有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610790955.0有效
发明人：黄琮训;黄靖恩;郭佑祯;兰彦廷;康凯舜;吕飞龙;赖腾宪;黄逸儒 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体元件层、凹陷部、第一电极、以及第二电极。半导体元件层包括第一型掺杂半导体层、量子井层以及第二型掺杂半导体层。凹陷部在发光二极管芯片上定义出第一区域以及第二区域。第一区域以及第二区域分别包含部分第一型掺杂半导体层、部分量子井层以及部分第二型掺杂半导体层。第一电极配置于第一区域内且至少位在部分第一型掺杂半导体层与至少部分第二型掺杂半导体层上。第二电极位于第二区域内并与第二型掺杂半导体层电性连接。另一种发光二极体晶片亦被提供。本发明提供的发光二极管芯片具有较高的发光效率。
发光二极管芯片

[发明专利]发光二极管-CN201910765017.9在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。
布拉格反射发光二极管第二型半导体层第一型半导体层发光层发光波长峰值波长反射率第二电极第一电极发光效率反射波长波长涵盖

[发明专利]发光二极管-CN201610089111.3有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。
发光二极管

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610255191.5在审
发明人：郭祐祯;赖腾宪;康凯舜;兰彦廷;黄靖恩;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体组件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层及第二电极。半导体组件层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层及位于第一型与第二型掺杂半导体层之间的发光层。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层配置于第二型掺杂半导体层上。电流阻挡层夹于电流分散层与第二型掺杂半导体层之间。第二电极配置于电流分散层上并与第二型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层具有面向半导体组件层的第一表面、背向半导体组件层的第二表面以及第一斜面。第一斜面连接于第一表面与第二表面之间且相对于第一表面与第二表面倾斜。本发明提供的多种发光二极管芯片具有优良的性能。
发光二极管芯片

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610089246.X在审
发明人： 赖腾宪;郭祐祯;康凯舜;兰彦廷;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体组件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层以及第二电极。半导体组件层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。电流阻挡层包括主体以及多个分别从主体朝向第一电极延伸的延伸部。电流分散层覆盖电流阻挡层。第二电极配置于电流分散层上，且包括焊垫以及多个从焊垫延伸的指部。这些指部位于这些延伸部上方，其中这些延伸部的宽度大于对应指部的宽度，延伸部沿着一排列方向排列，且在排列方向上，较靠近发光二极管芯片边缘的延伸部具有较小的宽度。本发明具有电流阻挡层以有效控制电流聚集的位置，进而有效提升发光效率。
发光二极管芯片

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610089406.0在审
发明人：郭祐祯;赖腾宪;康凯舜;兰彦廷;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片，其包括半导体元件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层及第二电极。半导体元件层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层及位于第一型与第二型掺杂半导体层之间的发光层。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层配置于第二型掺杂半导体层上，且电流阻挡层包括主体及从主体延伸的延伸部。电流分散层覆盖电流阻挡层。第二电极通过电流分散层与第二型掺杂半导体层电性连接，其中第二电极包括焊垫及从焊垫延伸的指部，焊垫位于主体上方，而指部位于延伸部上方，且指部的部分区域未与延伸部重叠。该发光二极管芯片具有电流阻挡层以有效控制电流聚集的位置，进而有效提升发光效率。
发光二极管芯片

[发明专利]发光组件-CN201610089098.1在审
发明人：郭祐祯;兰彦廷;黄靖恩;赖腾宪;康凯舜 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光组件，包括一磊晶结构、一第一电极、一导电层以及一第二电极。磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层。第一电极设置于第一半导体层上。导电层设置于第二半导体层上，且导电层包括一第一导电区域以及一第二导电区域，其中第一导电区域的电阻小于第二导电区域的电阻。第二电极设置于导电层上，且第二电极具有一延伸部，其中延伸部朝第一电极的方向延伸，且第一导电区域与延伸部至少部分重叠。
发光组件

[发明专利]发光元件及其制作方法-CN201610089448.4在审
发明人：黄靖恩;康凯舜;郭祐祯;吕飞龙;赖腾宪 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件及其制作方法，其包括半导体发光单元以及透光基板。透光基板包括具有二长边以及二短边的上表面以及侧面，且半导体发光单元配置于上表面。侧面包括二第一表面、二第二表面以及粗糙微结构。每个第一表面连接上表面的其中的一长边，每个第二表面连接上表面的其中的一短边。粗糙微结构形成于第一表面及第二表面，粗糙微结构在每个第一表面的覆盖率大于或等于粗糙微结构在每个第二表面的覆盖率。本发明提供的发光元件具有良好的出光效率，发光元件的制作方法可以有效率地制作出具有高出光效率的发光元件。
发光元件及其制作方法

[发明专利]晶片级封装方法及其晶片级封装结构-CN201410219879.9在审
发明人：陈志明;陈正清;郑静琦;邹庆福;赖腾宪;黄正翰;张君铭 -专利权人：台湾半导体照明股份有限公司
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明为一种晶片级封装方法及其晶片级封装结构，应用于多个光二极管晶粒上，包括下列步骤：提供晶片，晶片具有第一表面；形成多个承载空间于晶片的第一表面上，这些承载空间的顶部开口位于第一表面，而这些承载空间的底部用以承载这些光二极管晶粒；形成光学材料层于晶片上，光学材料层覆盖于这些光二极管晶粒上并具有一微透镜数组结构。其中微透镜数组结构位于这些光二极管晶粒的上方，用以透射光二极管晶粒所发出的光线及定义光型。
晶片封装方法及其结构

[发明专利]光二极管封装结构-CN201010130279.7无效
发明人：陈志明;陈正清;郑静琦;邹庆福;赖腾宪;黄正翰;张君铭 -专利权人：矽畿科技股份有限公司
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种光二极管封装结构，应用于一光二极管晶粒上，该封装结构包含：一基板，其具有一第一表面；一承载空间，其顶部开口位于该基板的该第一表面，其底部用以承载该光二极管晶粒；以及一光学材料层，其覆盖于该光二极管晶粒上并具有一微透镜阵列结构，其中该微透镜阵列结构位于该光二极管晶粒的上方，用以透射该光二极管晶粒所发出的光线及定义光型。本发明既能有效改善透镜结构与封装基座间相对位移所造成的对准及固定的问题，也不至工艺繁复与成本提高。
二极管封装结构

[实用新型]可显示速度及里程的显示模组-CN200720097463.X无效
发明人：邹庆福;赖腾宪;林哲炜;黄正翰;曾国钧;陈建桦;张铠麟 -专利权人：邹庆福;赖腾宪;林哲炜;黄正翰;曾国钧;陈建桦;张铠麟
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G01C23/00 文献下载
摘要：一种可显示速度及里程的显示模块，包括：一感测讯号装置、一第一、第二次积分电路、一控制电路；感测讯号装置的输出端与第一次积分电路的输入端连接，感测讯号装置将感受待测物的速度变化或震动外力产生的电压值输入第一次积分电路；第一次积分电路的输出端分别与控制电路及第二次积分电路的输入端连接，第二次积分电路的输出端再与控制电路的输入端连接，第一次积分电路得到的瞬时速度值分别输入控制电路及第二次积分电路，第二次积分电路将瞬时速度值再次积分得到一位移值的模拟讯号，输入控制电路；控制电路的输出端与显示屏的输入端连接，作模拟数字的讯号转换，再将转换后的讯号再输入显示屏。本实用新型拆装简便，携带便利，输出值精准度佳。
显示速度里程模组

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