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[发明专利]一种抑制微波器件微放电阈值的方法、结构及其测试装置-CN202310485393.9在审
发明人：王丹;孟祥琛;贺永宁;蔡亚辉;朱香平 -专利权人：西安交通大学;西安中科原子精密制造科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01J43/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制微波器件微放电阈值的方法、结构及其测试装置，方法包括通过机加工方式在氧化铝表面上制造微陷阱结构，在加工单元上制造周期性圆孔，得到具备多孔的氧化铝表面结构；采用直流磁控溅射法，在具备多孔的氧化铝表面结构上进行溅射反应，得到镀覆TiN薄膜的多孔氧化铝片。首先在氧化铝表面上制备周期性微陷阱结构，再在制得的多孔氧化铝表面上镀覆一层氮化钛薄膜，结合了微陷阱结构和镀覆薄膜的方法，能够抑制氧化铝表面的二次电子发射，所得到的氧化铝结构能够通用在空间高功率微波器件中的多种应用场景，实现对微放电现象的有效抑制。
一种抑制微波器件放电阈值方法结构及其测试装置

[发明专利]一种基于多模态数据的芯片抗辐照加固技术优化匹配系统-CN202310523224.X在审
发明人：鲍军鹏;何超;马俊杰;贺永宁;赵小龙 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：一种基于多模态数据的芯片抗辐照加固技术优化匹配系统，包括：芯片抗辐照加固技术参数采集模块，采集存储不同类型芯片抗辐照加固技术及其对应数据，构建多模态数据库；芯片抗辐照多模态加固技术关联度计算模块，计算芯片抗辐照加固技术优化方案的关联度，用以判断方案是否有效；芯片抗辐照加固技术优化匹配模块，根据选定的芯片型号及提供的辐照剂量和工作环境，自动匹配多模态数据库中符合条件的加固技术，形成多个加固技术方案并对其进行组合优化与评估；可视化展示模块，展示芯片抗辐照加固技术优化匹配结果。本发明实现了多种芯片抗辐照加固技术的自动匹配和组合优化，为研发人员提供芯片抗辐照加固方案优化选项，提高研发人员的工作效率。
一种基于多模态数据芯片辐照加固技术优化匹配系统

[发明专利]基于多模态数据的芯片抗辐照性能参数选型系统-CN202310538725.5在审
发明人：鲍军鹏;何超;马俊杰;贺永宁;赵小龙 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F18/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多模态数据的芯片抗辐照性能参数选型系统，包括参数采集模块、芯片抗辐照多模态性能参数关联关系发现模块、芯片抗辐照性能参数选型模块和可视化展示模块，本发明的选型系统可产生所查芯片相关的全部抗辐照性能参数，并对其进行关联分析，提供抗辐照性能较好的芯片列表供研发人员进行选择，通过采集芯片抗辐照的多模态数据，并自动发现其中的关联关系，实现了抗辐照性能参数选型的自动化和智能化；基于深度学习技术的抗辐照性能参数选型，可以提高芯片抗辐照性能参数选型工作的速度和准确性，通过智能化分析处理多模态数据，减轻了研发人员查询比较分析工作，降低了芯片研发成本和时间，提高了工作效率。
基于多模态数据芯片辐照性能参数选型系统

[发明专利]一种电接触互调及谐波效应的时域有限差分数值仿真方法-CN202310481184.7在审
发明人：赵小龙;贺永宁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种电接触互调及谐波效应的时域有限差分数值仿真方法，属于微波部件无源互调和谐波效应领域。本发明采用时域仿真方法，将接触界面视作二次激励源，并且激励源的大小受到线性场分量控制。通过计算该受控二次激励源作用下的非线性场分布，最终得到无源互调和谐波电平。本发明为如何利用微观接触界面非线性计算宏观微波部件无源互调和谐波效应，提供了一种基于时域仿真的准确的全波电磁仿真方法。该计算方法编程简单，并且可以嵌入到传统时域有限差分法电磁计算程序中，能够实现微波部件传统电性能计算的同时，进行接触非线性无源互调和谐波效应评估。
一种接触谐波效应时域有限数值仿真方法

[发明专利]一种微波铁氧体互调及谐波效应的时域有限差分仿真方法-CN202310570448.6在审
发明人：赵小龙;贺永宁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波铁氧体互调及谐波效应的时域有限差分仿真方法，包括：获取铁氧体材料磁化强度与磁场强度关系的非线性数学表达f()；基于麦克斯韦方程以及铁氧体中磁偶极矩运动方程，获取铁氧体材料中的磁化强度和磁场强度各个分量满足的微分方程；采用迭代法求解各个场分量满足的微分方程组，转换为迭代初值以及近似解与各自迭代初值差所满足的两组方程；利用时域有限差分法求解方程组，获得各个场分量的时域数值解，并通过后处理获得铁氧体微波器件的互调和谐波电平。本发明能够仿真由于磁化强度与外加磁场强度非线性关系以及磁化强度和磁场强度乘积非线性导致的铁氧体微波部件的互调和谐波效应。
一种微波铁氧体谐波效应时域有限仿真方法

[发明专利]一种材料非线性互调及谐波的时域有限差分全波仿真方法-CN202310485102.6在审
发明人：赵小龙;贺永宁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料非线性互调及谐波的时域有限差分全波仿真方法，属于微波部件无源互调和谐波效应领域。本发明可用于计算由介电非线性、磁滞非线性、电导非线性和磁导非线性引起的微波部件无源互调和谐波问题，对非线性方程的求解采用迭代法将其转换为线性方程，并在求解过程中将场量解的非线性部分与线性部分进行分离，单独求解，从而提高了非线性部分计算的精确度，同时，该计算方法可以方便的集成到传统时域有限差分法电磁计算中，能够实现在计算微波部件电性能的同时获得其无源互调和谐波特性评估结果。
一种材料非线性谐波时域有限差分全波仿真方法

[发明专利]一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统-CN202310380754.3在审
发明人：王丹;蔡亚辉;廉卓禧;贺永宁;祁康成 -专利权人：西安交通大学;电子科技大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提出了一种测量介质材料二次电子发射系数的方法及系统，方法包括获取一次电子束总电流，经过切割，得到一次电子束电流；获取束切割电流和采样电流，计算一次电子束电流与束切割电流的比值；获取待测介质材料的束切割电流和采样电流，得到待测介质材料在一次电子入射能量下的二次电子发射系数；通过第一中和电子枪和第二中和电子枪中和待测介质材料表面的积累电荷；测量不同一次电子入射能量下的二次电子发射系数，得到二次电子发射系数曲线。利用中和电子枪将待测介质材料表面的积累电荷中和进行清除，解决了以往介质材料测量过程耗时长及无法实现二次电子发射系数小于1的测量问题，实现介质材料二次电子发射系数完整曲线的快速精准测量。
一种测量介质材料二次电子发射系数方法系统

[发明专利]一种用于校正霍尔传感器输出信号失真的电路结构-CN202211624868.X在审
发明人：胡钰林;齐文;贺永宁;张连元;贾毓 -专利权人：陕西长岭迈腾电子股份有限公司;西安交通大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01D3/036 文献下载
摘要：一种用于校正霍尔传感器输出信号失真的电路结构，包括四相旋转电流电路、第一霍尔传感器、电源电压及偏置电路，输入端Vcm向运算放大器反向输入端输入为理想状态下第一霍尔传感器不受MOS管电阻影响的共模电压控制信号，由第二霍尔传感器、运算放大器及MOS管1～2构成的负反馈调节电路，使得输入端Vcm输入的控制信号传输到MOS管M1～2栅极，通过控制MOS管M1～2栅极电压实现调节第一霍尔传感器和四相旋转电流电路内的MOS管的各节点电压，使输出共模电压信号回到稳定值，从而校正霍尔传感器输出信号的失真。
一种用于校正霍尔传感器输出信号失真电路结构

[实用新型]一种用于校正霍尔传感器输出信号失真的电路结构-CN202223386012.1有效
发明人：胡钰林;齐文;贺永宁;张连元;贾毓 -专利权人：陕西长岭迈腾电子股份有限公司;西安交通大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01D3/036 文献下载
摘要：一种用于校正霍尔传感器输出信号失真的电路结构，包括四相旋转电流电路、第一霍尔传感器、电源电压及偏置电路，输入端Vcm向运算放大器反向输入端输入为理想状态下第一霍尔传感器不受MOS管电阻影响的共模电压控制信号，由第二霍尔传感器、运算放大器及MOS管1～2构成的负反馈调节电路，使得输入端Vcm输入的控制信号传输到MOS管M1～2栅极，通过控制MOS管M1～2栅极电压实现调节第一霍尔传感器和四相旋转电流电路内的MOS管的各节点电压，使输出共模电压信号回到稳定值，从而校正霍尔传感器输出信号的失真。
一种用于校正霍尔传感器输出信号失真电路结构

[发明专利]一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法-CN202211386742.3在审
发明人： 贺永宁;付祥和;陶静;蔡亚辉;赵小龙;彭文博;田鸿昌;何晓宁;李阳善 -专利权人：西安交通大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法，包括步骤：(1)对MOSFET器件进行初始阈值电压测试；(2)用电子束对上述MOSFET器件进行辐照处理，加速器件老化；(3)以设定的步长逐渐增加辐照剂量，测试并记录不同辐照剂量后器件的阈值电压；(4)对MOSFET器件进行负向高温栅偏加速老化，获得在指定高温栅偏加速应力条件A下器件阈值电压偏移量ΔVth(A)；(5)根据步骤(2)得到阈值电压偏移量为ΔVth(A)所对应的辐照剂量DA；(6)辐照剂量为DA的电子束辐照加速老化可以用于替负向高温栅偏加速应力条件A对器件进行快速的可靠性测试。本发明可以对MOSFET栅氧层可靠性进行快速检测，应用广泛。
一种电子束辐照检测 mosfet 氧化可靠性方法

[发明专利]一种低漏电台面结构SiC光电晶体管的制备方法-CN202211485532.X在审
发明人：赵小龙;崔珮雯;黄丹阳;贺永宁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低漏电台面结构SiC光电晶体管的制备方法，包括步骤：对SiC外延片进行标准清洗；对外延片进行对准标记刻蚀，然后光刻形成掩蔽膜，进行离子注入，热退火，形成P+区；光刻形成掩刻蚀膜，使用感应耦合等离子体技术进行刻蚀形成台面；对)得到的SiC外延片进行钝化；具体包括生长一层牺牲氧化层，用BOE溶液去除后再生长一层热氧化层，然后再PECVD 1μm氧化层；制作背面电极，电子束蒸发金属Ni电极形成n型欧姆接触；制作正面电极，电子束蒸发Ni/Ti/Al/ni/Au形成欧姆接触，最后蒸发Al形成引焊区，得到SiC新型光电NPN晶体管。本发明通过在台面SiC NPN器件的边缘离子注入P+区，使得器件边缘处的增益值大幅减小，降低器件漏电的目的。
一种漏电台面结构 sic 光电晶体管制备方法

[发明专利]一种MOSFET栅氧化层陷阱密度的检测方法-CN202211348843.1在审
发明人： 贺永宁;付祥和;蔡亚辉;赵小龙;彭文博;田鸿昌;何晓宁;朱权喆 -专利权人：西安交通大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET栅氧化层陷阱密度的检测方法，包括：1)对MOSFET器件进行阈值电压和栅氧化层电容测试；2)对上述MOSFET进行电子束辐照处理，在不同的辐照剂量之后，测试器件的阈值电压；3)当器件阈值电压不随辐照剂量增加而变化时，不在进行辐照处理，并记录最终的阈值电压；4)根据电子辐照处理前后MOSFET阈值电压变化量计算得到栅氧化层固定电荷的变化量；5)根据栅氧化层固定电荷的变化量和栅氧化层的面积计算得到栅氧化层陷阱密度。利用本发明，可以快速获取MOSFET栅氧化层陷阱密度，用于分析器件性能和栅氧化层工艺改进，应用广泛。
一种 mosfet 氧化陷阱密度检测方法

[发明专利]一种氧化锌电桥紫外探测单元及其制备方法-CN202011335126.6有效
发明人：彭文博;郭小川;齐文;潘子健;赵小龙;贺永宁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供的一种氧化锌电桥紫外探测单元及其制备方法，包括四个紫外光敏电阻，四个紫外光敏电阻呈电桥结构布置，所述四个紫外光敏电阻分别为第一紫外光敏电阻、第二紫外光敏电阻、第三紫外光敏电阻和第四紫外光敏电阻，其中，第二紫外光敏电阻、第三紫外光敏电阻和第四紫外光敏电阻上均设置有ZnO遮光层；本发明涉及的氧化锌电桥紫外探测单元具有体积小、成本低的特点，且具备更易与后端处理电路结合的优势。
一种氧化锌电桥紫外探测单元及其制备方法

[发明专利]基于椭圆单极子贴片天线的导电材料宽带无源互调表征方法-CN202110714275.1有效
发明人： 贺永宁;张可越;周昊楠 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01R29/10 文献下载
摘要：本发明基于椭圆单极子贴片天线的导电材料宽带无源互调表征方法，包括：1)校准：将校准铜箔贴片通过焊锡连接到天线馈线上，测试天线电参数和反射PIM，确保回路连接状态和低互调特性；2)待测材料更换：清理天线馈线和铜箔贴片之间的连接材料，取下校准铜箔，清洗干净后装配好待测材料；3)表征MUT互调特性；4)测试完所有待测材料；5)检验：观察是否有超过两种MUT的反射PIM落在接收系统灵敏度以下，如果是，以1dB的步长提高输入功率，直到MUT的PIM幅值落在PIM测试系统测试阈值中；6)归一化：根据3)的测试结果，将所有MUT的测试结果按照PIM测试结果+(43‑测试输入功率)*2.5的公式进行归一化，近似得到所有DUT在43dBm双载波激励下的PIM测试结果。
基于椭圆单极子贴片天线导电材料宽带无源表征方法

[发明专利]一种石墨烯三维霍尔磁传感器的制备方法-CN202210505146.6在审
发明人：蔡亚辉;贺永宁;赵小龙;王博博;刘毓萱 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯三维霍尔磁传感器的制备方法。该方法通过原子层沉积、光刻、电子束蒸镀、等离子体刻蚀、高温退火与湿法腐蚀工艺相结合的方法实现石墨烯三维霍尔磁传感器的制备。其优点在于通过退火处理和ALD生长Al2O3保护层使得石墨烯材料保持高迁移率和低载流子浓度的状态，获得高灵敏度的磁传感性能，其电流霍尔灵敏度可达2000V/(A·T)；同时引入聚磁结构的设计，使面内磁场转化成垂直磁场，并增强磁场强度，进一步提升磁场探测灵敏度，其电流霍尔灵敏度可达5000V/(A·T)；通过四个霍尔传感单元的组合设计探测和后处理计算实现三维磁场探测。本发明基于石墨烯材料的高灵敏度三维磁传感传感器的制备具有极大的实际意义、研究价值和应用潜力。
一种石墨三维霍尔传感器制备方法

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