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- [发明专利]闪存磨损程度判断方法和系统、电子设备-CN202310703810.2在审
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贺乐;赖鼐;龚晖
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珠海妙存科技有限公司
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2023-06-13
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2023-10-13
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G06F3/06
- 本发明公开了一种闪存磨损程度判断方法，包括：对闪存颗粒执行擦除/写入试验；在试验过程中，获取闪存颗粒的block每次执行擦除操作所需的第一擦除时间；根据试验结果，获得闪存颗粒的block执行擦除/写入操作的循环次数与第一擦除时间的对应关系；对待测试闪存的block执行擦除和写入操作，并获得待测试闪存的block执行擦除操作所需的第二擦除时间；根据第二擦除时间及对应关系，获得待测试闪存的block执行擦除/写入操作的循环次数；将待测试闪存执行擦除/写入操作的循环次数与待测试闪存的给定寿命进行比较，并根据比较结果获得待测试闪存的磨损程度。根据本发明实施例的方法，能够评估闪存的磨损程度。
- 闪存磨损程度判断方法系统电子设备
- [发明专利]NAND闪存质量分级方法、NAND闪存质量分级装置和存储介质-CN202310596797.5在审
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郭梦奇;贺乐;赖鼐;龚晖
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珠海妙存科技有限公司
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2023-05-24
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2023-09-01
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G11C29/44
- 本申请提出了一种NAND闪存质量分级方法、NAND闪存质量分级装置和存储介质，包括：获取多个纠错级别和多个电压偏移量，并提取NAND闪存的所有page的最大码字max_cw；对于每个纠错级别，确定与纠错级别对应的page总数，统计每个电压偏移量在page总数下的最大纠错能力max_ecc和平均纠错能力mean_ecc，根据最大码字max_cw、最大纠错能力max_ecc和平均纠错能力mean_ecc从多个电压偏移量中筛选出最佳电压偏移量；提取NAND闪存在每个纠错级别和最佳电压偏移量下的chip纠回参数；根据chip纠回参数对NAND闪存进行质量分级。由于本申请能够基于NAND闪存在每个纠错级别和最佳电压偏移量下的chip纠回参数进行质量分级，因此，本申请明确了NAND闪存的质量分级标准，从而能够对NAND闪存进行更精细的质量评估。
- nand闪存质量分级方法装置存储介质
- [发明专利]基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法、装置和存储介质-CN202310596823.4在审
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郭梦奇;贺乐;赖鼐;龚晖
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珠海妙存科技有限公司
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2023-05-24
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2023-09-01
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G11C29/42
- 本申请提出了一种基于数据可靠性的最佳retry组合确定方法、装置和存储介质，包括：获取多个电压偏移量retry，计算出每个电压偏移量retry对应的纠正有效率；当每个纠正有效率均小于100％，将纠正有效率最高的电压偏移量retry作为组合部分retry_part，并确定组合部分retry_part所纠正失效的第一失效数据；从除组合部分retry_part之外的其他电压偏移量retry中筛选出若干个电压偏移量retry作为第一补充部分retry_sup1；将第一补充部分retry_sup1更新合并至组合部分retry_part，并将更新后的组合部分retry_part作为最佳retry组合。当芯片产品不具备一个能够实现100％纠正能力的最佳retry时，可以通过本申请查找出能够实现100数据纠错能力的最佳retry组合，从而使得芯片产品能够有效地纠错所有异常数据，从而极大地提升了芯片产品的质量性能。
- 基于数据可靠性最佳retry组合确定方法装置存储介质
- [发明专利]电压偏移量确定方法、电压偏移量调整方法和存储介质-CN202310596831.9在审
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郭梦奇;贺乐;赖鼐;龚晖
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珠海妙存科技有限公司
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2023-05-24
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2023-09-01
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G11C29/02
- 本申请提出了一种电压偏移量确定方法、电压偏移量调整方法和存储介质，包括：获取多个运行场景、多个page类型和多个电压偏移量；从多个运行场景中确定目标运行场景，从多个page类型中确定目标page类型；对于每个chip，提取chip在目标运行场景和各个电压偏移量下的目标page类型的最大码字max_cw和平均码字mean_cw，根据最大码字max_cw和平均码字mean_cw从多个电压偏移量中筛选出候选最佳电压偏移量；对所有chip在目标运行场景和目标page类型下的所有候选最佳电压偏移量进行筛选，得到与目标运行场景和目标page类型对应的目标最佳电压偏移量。本申请能够根据运行场景和page类型快速调整得到多个chip的最佳电压偏移量，能够同时保证多个chip的纠正成功率和纠正速度，使得芯片性能得到极大提升。
- 电压偏移确定方法调整存储介质
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